公开(公告)号：CN109154575A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780028352.X

申请日：2017-05-23

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： B·布拉尔 ,  S·巴塔查里亚

IPC: G01N21/95 ,  G01N21/88

Abstract: 本发明揭示通过比较测试图像及参考图像与呈现设计图像来执行缺陷检测，所述呈现设计图像可从设计文件产生。这可发生的原因是：归因于噪声，测试图像与另一参考图像的比较是非结论性的。所述两个与所述呈现设计图像的比较的结果可指示缺陷是否存在于所述测试图像中。

公开(公告)号：CN108431936A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680075236.9

申请日：2016-12-14

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： S·巴纳吉 ,  A·V·库尔卡尼 ,  J·萨拉斯沃图拉 ,  S·巴塔查里亚

IPC: H01L21/66

Abstract: 形状基元用于半导体晶片或其它工件的检验。所述形状基元能够界定设计的局部拓朴及几何性质。一或多个规则应用到所述形状基元。所述规则能够指示缺陷的存在或缺陷存在的可能性。规则执行引擎能够搜索由所述至少一个规则涵盖的所述形状基元的出现。

公开(公告)号：CN107004038A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580065599.X

申请日：2015-12-30

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： S·巴塔查里亚 ,  B·布罗伊尔 ,  L·高

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F7/70616

Abstract: 本发明提供用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的方法及系统。一种方法包含：从样本的设计选择一或多个对准目标。所述一或多个对准目标的至少一部分包含内建目标，其包含于所述设计中以用于除使检验结果对准到设计数据空间之外的用途。所述一或多个对准目标的至少所述部分不包含一或多个个别装置特征。接着，所述对准目标的一或多个图像及由所述检验子系统在所述对准目标的所述位置处产生的输出可用于确定由所述检验子系统以本文所描述的多种方式产生的其它输出的设计数据空间位置。

公开(公告)号：CN115769255A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202180045443.0

申请日：2021-08-17

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： S·巴塔查里亚 ,  S·埃斯本斯哈德

IPC: G06T7/00

Abstract: 本发明公开一种扫描电子显微镜，其从光学检验系统接收晶片的结果文件。所述结果文件包含所述晶片上的锚定点。使用所述扫描电子显微镜产生所述晶片上的所述锚定点处的缺陷检查图像。将设计片段对准到所述锚定点处的所述缺陷检查图像，从而产生经对准缺陷检查图像。使用所述经对准缺陷检查图像进行缺陷检测。

公开(公告)号：CN109964116B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN201780071387.1

申请日：2017-11-30

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： S·巴塔查里亚 ,  D·夏尔马 ,  C·马厄 ,  华波 ,  P·梅斯热 ,  R·达南

IPC: G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  G01N21/01

Abstract: 本文中描述用于发现掩埋于三维半导体结构内的所关注缺陷DOI及配方优化的方法及系统。通过存储与受测量的所述半导体结构的总深度的一子组相关联的图像而减小经受缺陷发现及验证的半导体晶片的体积。记录与一或多个聚焦平面或聚焦范围处的缺陷位置相关联的图像片块。基于以下各项中的任一者而减少所考虑光学模式的数目：一或多个所测量晶片级缺陷图征与一或多个预期晶片级缺陷图征的比较、所测量缺陷信噪比及无需逆向处理而验证的缺陷。此外，采用经验证缺陷及所记录图像来训练扰乱筛选程序且优化测量配方。将所述经训练扰乱筛选程序应用于缺陷图像以选择最优光学模式来用于生产。

公开(公告)号：CN112789713A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980065115.X

申请日：2019-10-15

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： D·道林 ,  T·辛格 ,  B·布拉尔 ,  S·巴塔查里亚 ,  B·曼蒂普利 ,  李胡成 ,  李晓春 ,  S·S·帕克

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  G06T7/00

Abstract: 一种在半导体晶片缺陷检验系统处执行半导体晶片图像对准的方法。在所述方法中，将半导体晶片装载到所述半导体晶片缺陷检验系统中。针对所述半导体晶片执行预检验对准。在执行所述预检验对准之后，实行第一扫描带以产生所述半导体晶片上的第一区的第一图像。确定所述第一图像中的目标结构相对于已知点的偏移。使用所述偏移针对所述第一图像执行缺陷识别。在实行所述第一扫描带且确定所述偏移之后，实行第二扫描带以产生所述半导体晶片上的第二区的第二图像。在实行所述第二扫描带时，使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准。

公开(公告)号：CN109154575B

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201780028352.X

申请日：2017-05-23

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： B·布拉尔 ,  S·巴塔查里亚

IPC: G01N21/95 ,  G01N21/88

Abstract: 本发明揭示通过比较测试图像及参考图像与呈现设计图像来执行缺陷检测，所述呈现设计图像可从设计文件产生。这可发生的原因是：归因于噪声，测试图像与另一参考图像的比较是非结论性的。所述两个与所述呈现设计图像的比较的结果可指示缺陷是否存在于所述测试图像中。

公开(公告)号：CN108431936B

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201680075236.9

申请日：2016-12-14

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： S·巴纳吉 ,  A·V·库尔卡尼 ,  J·萨拉斯沃图拉 ,  S·巴塔查里亚

IPC: H01L21/66

Abstract: 形状基元用于半导体晶片或其它工件的检验。所述形状基元能够界定设计的局部拓朴及几何性质。一或多个规则应用到所述形状基元。所述规则能够指示缺陷的存在或缺陷存在的可能性。规则执行引擎能够搜索由所述至少一个规则涵盖的所述形状基元的出现。

公开(公告)号：CN107004038B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201580065599.X

申请日：2015-12-30

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： S·巴塔查里亚 ,  B·布罗伊尔 ,  L·高

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明提供用于确定由检验子系统产生的输出在设计数据空间中的位置的方法及系统。一种方法包含：从样本的设计选择一或多个对准目标。所述一或多个对准目标的至少一部分包含内建目标，其包含于所述设计中以用于除使检验结果对准到设计数据空间之外的用途。所述一或多个对准目标的至少所述部分不包含一或多个个别装置特征。接着，所述对准目标的一或多个图像及由所述检验子系统在所述对准目标的所述位置处产生的输出可用于确定由所述检验子系统以本文所描述的多种方式产生的其它输出的设计数据空间位置。

公开(公告)号：CN112840205B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN201980067471.5

申请日：2019-10-17

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： B·达菲 ,  M·普利哈尔 ,  E·索尔塔默罕默德 ,  G·罗素 ,  S·巴塔查里亚 ,  C·马厄

IPC: G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  G06T7/00 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供用于设置具有基于设计及噪声的关注区域的样品的检验的方法及系统。一个系统包含经配置用于产生样品的基于设计的关注区域的一或多个计算机子系统。所述计算机子系统还经配置用于针对所述样品上的所述关注区域的多个例子确定一或多个输出属性，且从由输出获取子系统针对所述多个例子产生的输出确定所述一或多个输出属性。所述计算机子系统进一步经配置用于将所述样品上的所述关注区域的所述多个例子分离成不同关注区域子群组，使得所述不同关注区域子群组具有所述输出属性的统计上不同值且基于所述不同关注区域子群组而选择所述样品的检验配方的参数。