-
公开(公告)号：CN113299239A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110428547.1
申请日：2021-04-21
IPC: G09G3/3225 , H01L27/32
Abstract: 本发明涉及一种电场调控的有源阵列显示器件。行电极阵列和列电极阵列垂直交叉形成的阵列像元区域；阵列像元区域中的每一像元区域均设有一像元和公共电极；像元包括发光体、驱动电极、选择电极、控制电极；驱动电极与公共电极电气连接，选择电极与所述行电极电气连接，所述控制电极与列电极电气连接；对驱动电极施加交流电压信号，为发光体的发光提供能量；控制电极和选择电极形成调制电场，实现对发光体发光亮度的调控。本发明有源阵列显示器件在每一个像元位置采用电场开关，该电场开关仅通过电场调控就可以实现发光器件的亮度调节，有利于缩小像元尺寸，降低器件制备复杂度、成本，有望实现具有亚微米级甚至纳米像元的极高分辨率显示。
-
公开(公告)号：CN113238306A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110420416.9
申请日：2021-04-19
Abstract: 本发明提出提高集成成像3D显示景深的多焦距微透镜阵列，所述多焦距微透镜阵列在光线入射方向上依次设有透光基板和微透镜阵列；当用于成像时，所述微透镜阵列与小孔光栅紧邻；小孔光栅处密布多个透光小孔；所述微透镜阵列由多种微透镜有序排列而成；微透镜阵列中的每个用于成像的微透镜均位于小孔光栅透光小孔的光路径处；本发明的多焦距微透镜阵列可以同时提高景深和空间分辨率，提高集成成像3D显示重构性能，该制备方法简单、效率快、成本低。
-
公开(公告)号：CN112506410A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011430724.1
申请日：2020-12-09
IPC: G06F3/0484 , G06K9/00 , G10L21/06 , G10L21/10
Abstract: 本发明涉及一种聋哑人无障碍在线视频交互装置。包括移动端和服务器端；移动端包括用于音视频采集的音视频采集模块、用于音视频播放的显示播放模块和用于链接网络的互联网链接模块；服务器端包括用于将音视频转手语手势视频及将手语手势转音视频的音视频‑手语手势模块和用于发送及接收音视频的音视频发送接收模块。本发明的移动端可以是一部手机，整个装置可以基本完全用软件开发完成，具有结构简单、成本低、便于聋哑人与正常人随时随地进行无障碍视频交互的特点。
-
公开(公告)号：CN112381116A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011134658.3
申请日：2020-10-21
Abstract: 本发明涉及一种基于对比学习的自监督图像分类方法，包括以下步骤:步骤S1:获取无标签数据，并进行随机增强生成不同视图；步骤S2:对视图进行特征提取，无监督对比计算损失,得到无监督分类模型C1；步骤S3:对无标签数据中部分进行人工标注，作为训练验证集；步骤S4:将C1作为预训练模型，根据训练验证集进行微调；步骤S5:提取训练验证集的特征，有监督对比计算损失,得到C2；步骤S6:根据C2对无标签数据预测标签，并筛选置信度高于预设值的数据作为训练样本；步骤S7:基于训练样本，将C2作为预训练模型，选取小网络进行训练微调，将验证输出准确率最高的作为最佳分类模型C3。本发明能够有效利用无标签数据训练泛化的图像分类模型，解决多类图像分类问题。
-
公开(公告)号：CN111834506A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010536751.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种具有高功率放大系数的三极发光管及其制备方法，包括缓冲层、第一半导体层至第四半导体层、第一至第三接触电极、发光层以及非导电层；第一至第三半导体层、发光层以及第四半导体层从下自上依次堆叠于缓冲层之上；其中，第一半导体层与第二半导体层均具有台面结构；第一接触电极设置于第一半导体层的台面上，并与其形成欧姆接触；第二接触电极设置于第二半导体层的台面上，并与其形成欧姆接触；第三接触电极设置于第四半导体层上，并与其形成欧姆接触；第一半导体层与第二半导体层的台面之间设置有非导电层。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，具有较大的放大系数，可实现用小功率输入信号驱动半导体发光。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111834505A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010536568.0
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的三极发光管器件，包括从下至上依次设置的衬底、缓冲层、三极管、发光芯片和色彩转换层；所述三极管包括从下至上依次设置的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层，还包括从第一半导体层引出的第一接触电极和从第二半导体层内引出的第二接触电极；所述发光芯片包括从下至上依次设置第三半导体层、发光层和第四半导体层，以及从第四半导体层内引出的第三接触电极；所述色彩转换层包括从下至上依次设置光转换层和分布式布拉格反射层。本发明对输入信号功率放大，实现小功率输入信号驱动发光芯片激发色彩转换层而实现色彩转换；同时，有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
-
公开(公告)号：CN111834502A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535446.X
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种三极发光管外延结构及三极发光芯片，包括衬底、缓冲层和半导体层；所述半导体层包括依次堆叠的第一半导体层、第二半导体层、第三型半导体层、发光层、第四半导体层；还包括从第一半导体层引出的第一接触电极、从第二半导体层引出的第二接触电极和从第四半导体层引出的透明第三接触电极。所述三极发光管工作时，在第一接触电极和第二接触电极之间施加一个小功率信号，在第一接触电极和第三接触电极之间施加一个同极性的固定大电压，可以是使得三极发光管芯片发光。本发明可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
-
公开(公告)号：CN111834421A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010539826.0
申请日：2020-06-12
IPC: H01L27/32 , H01L27/15 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/50 , H01L51/50 , H01L51/56 , G09F9/33 , G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本发明涉及一种三极管调控型的混合结构全彩化显示器件及其制造方法，该发明第一接触电极和第二、第三接触电极SCE1和SCE2之间分别施加一个小功率可变输入信号，在第一接触电极和第四、第五接触电极TCE1和TCE2之间分别施加一个正向偏置电压，驱动B单元内蓝光发光芯片发出蓝光，R单元内的蓝光发光芯片发出蓝光进而激发红色转换层发出红光，在所述G单元内的阴极和透明阳极之间施加电压，激发出绿光，从而实现全彩化显示；本发明第一、第二三极管对所述输入信号的功率放大，实现用小功率输入信号驱动所述发光芯片发光，还可以有效降低发光器件的驱动电路设计复杂度，提高显示装置的集成度。
-
公开(公告)号：CN111834389A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010535556.6
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED显示器件检测及修复方法，μLED显示器件阵列设置k个μLED像素，每个像素包含ni个芯片，以形成至少mi个发光体；μLED显示器件检测及修复包括以下步骤：S1）采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对芯片进行驱动发光；S2）通过逐点扫描或拍摄处理发光图片获得不良像素的行列地址；S3）根据不良像素的行列地址进行寻址，采用非Au-In互连方法在相应位置的芯片电极的备用区域与驱动背板对应电极的备用区域进行原位修复；S4）重复S1-S3，直至良品率达到预期良率。该方法降低了μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，提高了μLED显示器件的良品率。
-
公开(公告)号：CN111798764A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010535535.4
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种μLED像素单元结构及显示器件，μLED显示器件在驱动背板上阵列设置有k个μLED像素单元，每个μLED像素单元包含ni个μLED芯片，以形成至少mi个μLED发光体；μLED芯片电极的设置方式包括两个电极分别设置于μLED芯片的上下两侧以及两个电极设置于μLED芯片的同一侧，μLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和互连失效后用于修复连接的备用区域，μLED芯片电极与驱动背板电极采用Au-In键合、非Au-In互连或Au-In键合和非Au-In互连复合的方式互连。本发明可以有效降低μLED显示器件的制作难度、制作周期和制作成本，并提高μLED显示器件的良品率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
518
records
(took 0.052 seconds)
