一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN113436806A

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202110519898.3

    申请日:2021-05-13

    Abstract: 本发明涉及一种高稳定性银纳米线图形化导电薄膜的制备方法。所述方法:先在银纳米线导电膜上实现光刻胶的图形化,接着利用半导体氧化物薄膜对未被光刻胶覆盖的银纳米线网络进行加固,最后通过超声使图形化光刻胶粘附底部银纳米线一起剥离出基板,从而实现银纳米线导电膜的图形化。本发明制作工艺简单、成本低,容易实现高分辨率的图形化银纳米线导电膜,同时能增强银纳米线的抗氧化能力和在基板上的附着性。

    带有出气孔的封装结构
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108232035A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201810052338.X

    申请日:2018-01-19

    Applicant: 福州大学

    Abstract: 本发明提供了一种带有出气孔的封装结构,包括承载OLED结构的基板、设置在OLED结构上方的盖板、以及均匀分布在所述基板和盖板之间,且环绕OLED结构的封装胶圈;所述盖板下侧设置有干燥剂;所述盖板上设置有出气孔。本发明结构在盖板封装贴合过程中,基板和盖板之间腔体中的气体从盖板的孔洞排出,避免腔体中的保护气体在压缩过程中对封装胶产生挤压,冲开封框胶,造成密封不紧密,从而提高OLED器件的使用寿命。与传统的抽真空方式,该方法工艺流程简单,无需专用真空设备,成本低。

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