用于产生具有银(Ag)基间隙的闪烁体阵列的方法

    公开(公告)号:CN102985845B

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201180032905.1

    申请日:2011-06-24

    Inventor: S·莱韦内

    CPC classification number: A61B6/40 A61B6/032 A61B6/4233 G01T1/2002 G10K15/00

    Abstract: 一种方法包括获得多个氧硫化钆的二维阵列。阵列具有在探测器像元的行或列之间延伸的较宽宽度的非银基间隙(304),和在探测器像元的行或列中的另一个之间延伸的较窄宽度的非银基间隙(306)。该方法还包括向该阵列的顶部表面或底部表面中的至少一个施加银涂层(312)。该方法还包括通过利用相邻阵列之间的基本相等的粘合剂层重叠地(附图3B)堆积涂有银的阵列,来形成堆栈。该方法还包括经由较宽的非银基间隙将该堆栈进行切片,从而形成闪烁体探测器像元的二维阵列(314),其具有沿所述阵列的至少一个方向的银基间隙(312)。

    用于产生具有银(Ag)基间隙的闪烁体阵列的方法

    公开(公告)号:CN102985845A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201180032905.1

    申请日:2011-06-24

    Inventor: S·莱韦内

    CPC classification number: A61B6/40 A61B6/032 A61B6/4233 G01T1/2002 G10K15/00

    Abstract: 一种方法包括获得多个氧硫化钆的二维阵列。阵列具有在探测器像元的行或列之间延伸的较宽宽度的非银基间隙(304),和在探测器像元的行或列中的另一个之间延伸的较窄宽度的非银基间隙(306)。该方法还包括向该阵列的顶部表面或底部表面中的至少一个施加银涂层(312)。该方法还包括通过利用相邻阵列之间的基本相等的粘合剂层重叠地(附图3B)堆积涂有银的阵列,来形成堆栈。该方法还包括经由较宽的非银基间隙将该堆栈进行切片,从而形成闪烁体探测器像元的二维阵列(314),其具有沿所述阵列的至少一个方向的银基间隙(312)。

    使用薄电路的计算机断层摄影探测器

    公开(公告)号:CN101278208A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200680036713.7

    申请日:2006-09-14

    CPC classification number: G01T1/2018

    Abstract: 一种x射线探测器阵列(102)包括多个探测器元件或摄素(100)。每个探测器元件包括第一闪烁器(1061)、第二闪烁器(1062)、第一光电探测器(1101)和第二光电探测器(1102)。第一和第二光电探测器(1101,1102)被布置在第一和第二闪烁器(1061,1062)各自的侧面。多个探测器元件(100)的光电探测器(1101,1102)被诸如薄挠性电路的电路板(103)所承载。

Patent Agency Ranking