公开(公告)号：CN114975598A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210567503.1

申请日：2022-05-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  魏雨夕 ,  孙涛 ,  邓思宇 ,  魏杰 ,  杨可萌 ,  鲁娟 ,  彭小松 ,  蒋卓林

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L27/07

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成续流二极管的氧化镓纵向场效应晶体管。在栅/源电压为零时，栅/源电极金属与氧化镓半导体之间功函数差耗尽导电沟道；随着栅/源电压增加，耗尽区逐渐变窄直至在沟道侧壁形成高浓度电子积累层。因此，在正向导通时，本发明能减小导通电阻且增强正向电流能力；正向阻断时，有效降低场效应晶体管的泄漏电流且提高器件的击穿电压，提高阈值电压；正向阻断或正向导通时，集成二极管处于关断状态，不影响场效应晶体管的导通及耐压特性。在反向续流时，集成二极管导通，具有低的开启电压和低的导通压降。本发明的场效应晶体管和集成二极管工艺兼容，实现单片工艺集成，有利于减少寄生电感和模块体积。

公开(公告)号：CN113066870B

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202110317471.5

申请日：2021-03-25

Applicant: 电子科技大学 ,  中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 罗小蓉 ,  魏雨夕 ,  鲁娟 ,  杨可萌 ,  魏杰 ,  蒋卓林 ,  王元刚 ,  吕元杰 ,  冯志红

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/267 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难且器件边缘电场集中的问题，提出一种兼具肖特基结、异质PN结以及含有变掺杂分布氟离子的钝化层终端的二极管。正向导通时，低势垒的肖特基结使器件具有低正向导通压降；反向阻断时，异质PN结屏蔽高电场，变掺杂分布的氟离子终端结构缓解电场集中效应，从而减小反向泄漏电流并增大击穿电压。本发明在钝化介质层中而不是氧化镓材料中注入氟离子，减少氧化镓材料晶格损伤对正向导通特性的影响。本发明的有益效果为，本发明的器件兼具正向压降小、泄漏电流小和反向击穿电压高的优点。

公开(公告)号：CN113257922B

公开(公告)日：2022-05-17

申请号：CN202110521158.3

申请日：2021-05-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  鲁娟 ,  魏雨夕 ,  魏杰 ,  蒋卓林 ,  杨可萌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种多沟道增强型氧化镓结型场效应晶体管(Ga2O3JFET)。本发明的主要特征是引入能与N型氧化镓形成PN异质结的P型氧化物使Ga2O3增强型JFET得以实现，同时器件漂移区上部两侧沿纵向方向分段的P氧化物栅区及横向两侧P氧化物栅区之间的P氧化物区可使Ga2O3JFET相较常规JFET器件，正向导通时具有多沟道，反向耐压时电场分布调制，从而器件在实现增强型的同时，兼具低导通电阻、高耐压和高可靠性，进一步发挥氧化镓材料的优势。

公开(公告)号：CN113066870A

公开(公告)日：2021-07-02

申请号：CN202110317471.5

申请日：2021-03-25

Applicant: 电子科技大学 ,  中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 罗小蓉 ,  魏雨夕 ,  鲁娟 ,  杨可萌 ,  魏杰 ,  蒋卓林 ,  王元刚 ,  吕元杰 ,  冯志红

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/267 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有终端结构的氧化镓基结势垒肖特基二极管。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难且器件边缘电场集中的问题，提出一种兼具肖特基结、异质PN结以及含有变掺杂分布氟离子的钝化层终端的二极管。正向导通时，低势垒的肖特基结使器件具有低正向导通压降；反向阻断时，异质PN结屏蔽高电场，变掺杂分布的氟离子终端结构缓解电场集中效应，从而减小反向泄漏电流并增大击穿电压。本发明在钝化介质层中而不是氧化镓材料中注入氟离子，减少氧化镓材料晶格损伤对正向导通特性的影响。本发明的有益效果为，本发明的器件兼具正向压降小、泄漏电流小和反向击穿电压高的优点。