公开(公告)号：CN113098473A

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN202110226043.1

申请日：2021-03-01

Applicant: 电子科技大学 ,  上海麦歌恩微电子股份有限公司

Inventor： 唐晓莉 ,  刘梦丽 ,  苏桦 ,  姜杰

IPC: H03K17/95

Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，具体为一种开关场区域可调的巨磁电阻磁双极性开关传感器，包括基片、上下电极、传感单元薄膜和导电薄膜。本发明利用不对称残余应变材料的残余应变有无可通过脉冲电压极性调控的特点，通过应变对基片上传感单元薄膜的铁磁层1产生磁弹耦合能有无来实现巨磁电阻双极性开关传感器中开关场的调控。由于该调控可在一固定传感单元中开关场调整，并且可配合残余应变引入时间，实现不对称开关场形式的巨磁电阻双极性开关传感器，因而可以提高该类产品的适应度及扩展应用场景，满足一些特殊的应用需求。

公开(公告)号：CN109166690B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201810978419.2

申请日：2018-08-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐晓莉 ,  陈敏 ,  杜伟 ,  苏桦

IPC: H01F10/14 ,  H01F41/18 ,  H01L43/08

Abstract: 一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻，属于磁性材料与元器件技术领域。所述磁电阻包括基片，以及依次形成于基片之上的缓冲层薄膜、第一反铁磁层/[铁磁层/第二反铁磁层]n的多层薄膜和覆盖层薄膜，n≥2。本发明提供的各向异性磁电阻在控制磁性层总厚度的情况下，将每层铁磁层减薄到100nm以下，可在反铁磁层/铁磁层/反铁磁层中获得交换偏置场，进而提升整体薄膜的各向异性场，从而实现对基于各向异性磁电阻效应的传感器磁场探测区间的拓展。并且，由于交换偏置场的大小与铁磁层的厚度呈反比，因而可以在控制铁磁层总厚度的情况下，通过调整重复周期n，获得不同的交换偏置场和各向异性场，方便的实现不同磁场探测区间的获得。

公开(公告)号：CN110911789B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201911124531.0

申请日：2019-11-18

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李元勋 ,  曾昭怡 ,  陆永成 ,  彭睿 ,  苏桦 ,  陶志华

IPC: H01P1/208

Abstract: 本发明设计属于微波射频技术领域，具体是一种基片集成波导带通滤波器，附有金属夹层。本发明采用八分之一基片集成波导结构，物理尺寸是一般基片集成波导结构的八分之一，易于小型化；相比于微带线、悬置线等结构，Q值更高、集成度更高、选择性更好、损耗更小。同时，通过在基片集成波导结构的上下金属层间添加直角梯形的金属夹层，克服了基片集成波导结构不能产生水平极化电磁波这一缺点，为沿垂直于电壁的纵向电流提供路径，其信号的选择性更好，损耗更低。

公开(公告)号：CN111704454A

公开(公告)日：2020-09-25

申请号：CN202010573036.4

申请日：2020-06-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 苏桦 ,  钟茂峰 ,  唐晓莉 ,  荆玉兰 ,  李元勋

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634

Abstract: 本发明属于微波介质材料及其制造领域，具体涉及一种无助熔剂低损耗LTCC材料及其制备方法。本发明材料的化合式为：Zn3-x-yCoxCuyB2O6(0.05≤x≤0.20,0.02≤y≤0.12)，烧结温度825℃～875℃，相对介电常数5.85～6.95，Q×f值63400GHz～165000GHz，谐振频率温度系数-25ppm/℃～-70ppm/℃。在本发明中通过Co、Cu离子共替代的方式，将材料体系的烧结温度降低至825～875℃，完全满足LTCC低温烧结的要求，且材料损耗还能够大幅度的下降，材料为纯陶瓷材料，无玻璃助熔剂掺杂，降低了材料制备的成本，同时避免玻璃掺杂带来的损耗增大及LTCC工艺的不兼容问题，具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN111593375A

公开(公告)日：2020-08-28

申请号：CN202010411345.1

申请日：2020-05-15

Applicant: 电子科技大学 ,  赣州市德普特科技有限公司

Inventor： 陶志华 ,  马正国 ,  李元勋 ,  廖斌 ,  张恒军 ,  陈彦 ,  苏桦 ,  韩莉坤

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/04

Abstract: 本发明属于电子电路电镀技术领域，具体提供一种用于电子电路电镀铜填孔的整平剂及电镀铜浴，所述整平剂为1-(4-羟苯基)-5-巯基-1H-四唑、5-巯基-1-(4-甲氧苯基)-1H-四唑、1-(4-乙氧苯基)-5-巯基-1H-四唑中的一种或多种。本发明中，整平剂具有在HDI板盲孔孔口处阻碍铜的电沉积，从而达到无空洞填充铜，其在溶液中含量—般较低，故对低电流密度区无太大的影响，在高电流密度区起抑制作用，使得原本起伏不平的表面变得更为平坦；同时，组合使用该整平剂、抑制剂和加速剂得到电镀铜浴，能够实现HDI微盲孔无缺陷电镀；因此，采用本发明所述整平剂及其电镀铜浴能够提高电子电路电镀铜浴稳定性及铜互连线品质，降低HDI铜互连制作的成本，提升生产效率。

公开(公告)号：CN111244268A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010040488.6

申请日：2020-01-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐晓莉 ,  刘梦丽 ,  杜伟 ,  苏桦

IPC: H01L43/12 ,  H01L41/29 ,  H01L41/31

Abstract: 一种压控三态磁存储单元的实现方法，属于磁存储技术领域。以压电基片作为基底，在压电基片的上下表面生长导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极，然后在上电极上依次形成磁性存储层和保护层，其中，所述磁性存储层的磁矩初始态为45度角方向，此时可获得一中间值大小的电阻态，在压电基片上施加不同大小的电压，可获得高电阻态和低电阻，这样就可实现高、中、低三种电阻态。本发明通过在压电基片上不施加、施加大于或小于压电基片矫顽电场的电压，来获得高、中、低三种稳定的存储态实现三态存储。由于该三种存储状态只需通过电压大小调制，因此具有结构简单、容易设计且功耗低等优点。

公开(公告)号：CN110903078A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201911139343.5

申请日：2019-11-20

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞成启瓷创新材料有限公司

Inventor： 苏桦 ,  向汝 ,  唐晓莉 ,  李元勋 ,  陶志华 ,  陈加旺 ,  陈振威

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，涉及一种超低介LTCC微波陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的超低介LTCC微波陶瓷材料：烧结温度850℃～900℃，介电常数εr4.5～5.1，品质因数Q×f值18500～26000GHz，谐振频率温度系数τf-4.5～5ppm/℃，是以SiO2为主晶相的SiO2-Li2TiO3复合陶瓷，分子式为xSiO2-(1-x)Li2TiO3-yLBSCA(Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3)玻璃，0.9≤x≤0.95摩尔比，4wt％≤y≤8wt％质量百分比，通过固相法制得。制作工艺简单，可批量生产，该微波陶瓷在作为LTCC微波介质基板或器件材料时，可广泛应用于LTCC微波基板、叠层微波器件和模块中；低的介电常数对应短信号延迟时间，可提高信号传输速度。

公开(公告)号：CN110724960A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201911043813.8

申请日：2019-10-30

Applicant: 电子科技大学 ,  东莞成启瓷创新材料有限公司

Inventor： 李元勋 ,  王桂娟 ,  陶志华 ,  苏桦 ,  陆永成 ,  韩莉坤

IPC: C23F11/14 ,  C23G1/06 ,  C23G1/08

Abstract: 本发明属于铁基材除锈酸洗/微蚀处理领域，具体提供一种铁基缓蚀剂及其在铁基材酸洗液中的应用。本发明采用罗丹明衍生物(罗丹明B化合物、罗丹明6G化合物)作为缓蚀剂，应用于铁基材酸洗液中，酸洗液中酸液为硫酸或盐酸的一种或两种的组合，配制得具有缓蚀效果的铁基材酸洗液；该酸洗液中作为缓蚀剂的罗丹明衍生物用量少，且缓蚀效率高、可达到80-99％，缓蚀性能稳定，在不同的温度和浓度下均具有良好的缓蚀性能；同时，由于罗丹明衍生物作为荧光探针的一种，具有特殊的内酰胺结构和优良的荧光性能，成为了理想的荧光探针母体，使得本发明适合酸液中铁基体材料的保护的同时便于探测电子电器封装表面微纳米级缺陷或酸液输送管道的泄漏微孔检测。

公开(公告)号：CN109904307A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910106493.X

申请日：2019-02-01

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐晓莉 ,  刘梦丽 ,  苏桦

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L41/08 ,  H01L41/12

Abstract: 一种基于各向异性磁电阻的压控存储单元及其实现方法，属于磁存储领域。所述压控存储单元包括四层结构，自下而上依次为底电极、压电基片、磁性薄膜层和顶电极，在底电极和顶电极之间施加电压，压电基片产生应力并通过磁性薄膜磁致伸缩效应实现对磁矩方向的改变，进而在磁性薄膜中获得高、低阻态，实现磁存储。本发明通过在存储单元的基片上施加或不施加电压实现信息“1”、“0”的存储，存储单元磁矩的翻转无需外加磁场，具有结构简单、工艺难度低、低功耗等优点。

公开(公告)号：CN106946557A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710149955.7

申请日：2017-03-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 唐晓莉 ,  杜祥裕 ,  苏桦 ,  张怀武 ,  荆玉兰 ,  李元勋

IPC: C04B35/16 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/16 ,  C04B35/622 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/365

Abstract: 本发明属于电子陶瓷材料及其制造领域，具体涉及一种复合体系LTCC材料及其制备方法。该复合体系LTCC材料，其化学通式为Li2x(Zn0.95Co0.05)2‑xSiO4‑yLMZBS(0.125≤x≤0.375，y为1～2wt％)；由斜方六面体结构的(Zn，Co)2SiO4为主晶相，正交晶系结构的Li1.6Zn1.2SiO4为次晶相组成的复合陶瓷材料。于900～950℃低温烧结，介电常数εr为6.1～6.5；Q×f值在130，000GHz以上，最高达到230，602GHz；谐振频率温度系数τf为‑41～‑22ppm/℃。生产原料便宜，工艺工程简单，方便操作，成本低。在作为LTCC微波介质基板或器件材料时，可以显著降低微波器件或模块的损耗。