-
公开(公告)号：CN112133749A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010964501.7
申请日：2020-09-15
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种P型帽层增强型HEMT器件及其制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、低温成核层、缓冲层、高阻层、沟道层、势垒层、插入层、P‑GaN帽层，本发明提供了一种新的结构及长法，实现增强型HEMT器件的外延制备同时保证其性能的稳定性。
-
公开(公告)号：CN111584620A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010465628.4
申请日：2020-05-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种降低P型MOSFET源漏电极接触电阻的制备方法，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的硅衬底、AlN成核层、AlGaN缓冲层、低温GaN位错阻隔层、GaN沟道层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层，本发明利用低温GaN位错阻隔层能够有效降低氮化镓外延层中的位错密度，同时有效控制外延薄膜中的应力，得到Si衬底上无裂纹、低翘曲度的高质量AlGaN/GaN异质结外延材料。
-
公开(公告)号：CN111337811A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010207709.4
申请日：2020-03-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明属于微电子器件的测试技术领域，涉及一种忆阻器测试电路。本发明的忆阻器测试电路，包括输入模块、限流模块、稳压模块、换向控制模块、测量模块、输出模块。输入模块为脉冲发生装置用于产生电压脉冲信号并控制ADC和DAC；稳压模块实现了电压的稳定，使得忆阻器一端的电压与输入电压相等；限流模块实现了脉冲测试过程中电流不超过限流电流；换向控制模块实现了忆阻器无需施加负电压的置位与复位过程；测量模块实现了电压测量，并用于对被测电压求差运算；输出模块由ADC作为输出模块实现了电压的采集和电路的控制。相比常规测试设备，本发明能够在测量模式和激励模式快速切换，能够输出连续短脉冲和自定义波形，避免了大型设备的使用。
-
公开(公告)号：CN111063726A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911322780.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778
Abstract: 一种Si基氮化镓器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、缓冲层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中，成核层是由ALN/GaN循环生长组成，缓冲层是由InN/SiN/GaN循环生长组成，包括InN晶核层、网状结构SiN薄层、GaN填平层，本发明通过循环生长ALN/GaN成核层主要作用是缓解衬底与外延层的晶格失配和热失配，InN/SiN/GaN缓冲层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
-
公开(公告)号：CN105784156B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610340822.3
申请日：2016-05-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K7/00
Abstract: 本发明涉及集成电路和传感器领域，具体涉及一种集成温度传感器。包括TCO，片上参考时钟电路以及FDC。本发明利用片上振荡器电路来为集成温度传感器提供时钟信号，以解决现有的集成温度传感器均需求片外时钟源而导致的无法全片上集成的问题，从而降低了集成温度传感器的使用成本。针对电源电压和集成电路制作工艺对片上振荡器的影响，本发明提出采用相同结构的振荡器来实现集成温度传感器中的片上时钟源电路以及AFC，从而利用频率相比的方法来改善集成温度传感器对抗电源电压以及工艺变化的能力。本发明不仅拓展了集成温度传感器的应用范围，还提高了集成温度传感器芯片制作的成品率，为进一步降低其使用成本奠定基础。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107147600A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710294464.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路和通信领域，具体为一种基于神经网络的数字调制信号解调器及其解调方法。本发明利用神经网络模块对ADC转换过的调制信号进行学习，得到可以解调该调制信号时的网络权重值，以实现之后遇到相同调制方式信号的识别和解调。本发明在不改变神经网络的软件配置的情况下，同时解调n种调制信号；并且通过利用神经网络的学习能力，可以学习新的调制信号及其调制方式，实现解调。
-
公开(公告)号：CN106253893A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610571228.5
申请日：2016-07-19
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03L1/022 , G06N3/0454 , G06N3/084
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体为一种基于人工神经网络算法的高精度微机补偿晶体振荡器。该晶体振荡器包括控制PC、控制电压产生模块和晶体振荡模块，控制电压产生模块由微处理器、D/A、A/D、温度传感器和频率计组成，其作用是在微处理器程序控制下，产生非线性补偿电压；其中，微处理器采用人工神经网络算法产生非线性补偿电压。本发明利用人工神经网络算法产生变容二极管两端所需的控制电压，通过对人工神经网络的训练，使得该网络能够以高精度逼近非线性函数，从而产生对温度呈非线性函数的控制电压，该电压通过控制变容二极管的容值精确补偿TCXO和VCTCXO的频率因温度变化产生的偏移，显著改善其频率稳定度。
-
公开(公告)号：CN106209072A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610493237.7
申请日：2016-06-27
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H03L1/022 , G06N3/0454 , G06N3/084
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体为一种基于人工神经网络的晶体振荡器。该晶体振荡器包括控制电压产生模块和晶体振荡模块。控制电压产生模块由温度传感器、频率计、数据选择器、输入数据处理单元、人工神经网络和输出数据处理单元组成。本发明通过人工神经网络产生变容二极管两端所需的控制电压，利用人工神经网络自身固有的非线性映射能力，使得该网络能够以高精度逼近非线性函数，从而产生对温度呈非线性函数的控制电压，该电压通过控制变容二极管的容值精确补偿TCXO和VCTCXO的频率因温度变化产生的偏移，显著改善其频率稳定度。
-
公开(公告)号：CN120068744A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510222158.1
申请日：2025-02-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于数字集成电路验证技术领域，具体涉及一种基于UVM和python的AI加速器的验证系统。本发明基于UVM验证平台，使用Python搭建参考模型的方法来取代传统systemverilog搭建参考模型，解决了传统方法工作量大，准确率低的问题；辅以C语言作为桥梁搭建UVM验证平台中参考模型以外的原生systemverilog组件与python参考模型之间的通信通道，使Python参考模型可用，并降低了参考模型与验证平台的耦合度，易于维护；因为Python端使用现成的神经网络相关的算法库，提高了代码可读性。本发明不再需要手动构建大量多维数组并对其进行众多复杂操作，并可显著降低参考模型搭建的难度，且极大的保证了参考模型的准确性。
-
公开(公告)号：CN119834809A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411874781.7
申请日：2024-12-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路存算领域，具体为一种基于存算单元中标准延时单元的时间数字转换器电路。本发明采用上升下降沿交替量化方法，使得量化过程中，主链路上标准延时单元充放电的次数降低，从而降低功耗；采用将信号运算与量化过程并行的提前进位模块，并使用传输门通过运算结果控制量化过程，在高速量化过程中降低量化误差；且整体结构保证了可复用性和可拓展性。由于本发明中采用的延时单元链是由存算单元中的标准延时单元组成的，因此能够直接将运算中的延时单元数量与时间量化结果关联起来，尤其适用于存算一体化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
103
records
(took 0.028 seconds)
