-
公开(公告)号：CN112164718A
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN202010888222.7
申请日：2020-08-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有控制栅保护层的分离栅器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第二导电类型阱区，重掺杂第一导电类型区，重掺杂第二导电类型区，第二导电类型区，第一介质氧化层，第二介质氧化层，第三介质氧化层，第四介质氧化层，第五介质氧化层，控制栅多晶电极，分离栅多晶电极，源极金属接触；所述第二导电类型区位于重掺杂第二导电类型区下方作为控制栅保护层，在关态耐压时将原本指向控制栅的电场线转移至该第二导电类型区的电离负电荷，成功降低了控制栅靠近漂移区位置的电场峰值，消除了该处可能存在的提前击穿。
-
公开(公告)号：CN111969042A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010887963.3
申请日：2020-08-28
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种具有高深宽比体内超结的横向高压器件及其制造方法，包括：第一导电类型漂移区、深槽区域，通过深槽槽底注入形成与第二导电类型衬底相连的第二导电类型区，位于漂移区两侧的第一和第二导电类型阱区和重掺杂区，位于器件表面的控制栅多晶硅电极、第一和第二介质氧化层。所述深槽通过硬掩模层Hard Mask保护刻蚀得到，然后槽底注入得到第二导电类型区与槽底两侧的漂移区一起形成体内超结，并维持电荷平衡，优化了器件体内场，并提供体内低阻通路；超结条宽和深度由深槽刻蚀宽度和深度决定，可以得到高深宽比的体内超结结构。本发明提出的结构提优化了体内场提高器件耐压，同时供了体内低阻通路，进一步降低比导通电阻。
-
公开(公告)号：CN109616522A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811070263.4
申请日：2018-09-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种横向高压器件，元胞结构包括：第二导电类型半导体衬底，第二导电类型半导体，第一导电类型半导体漂移区，第一导电类型半导体漂移区设有堆叠的PN条，PN条包括：第一层第二导电类型埋层、第一层第一导电类型半导体、第二层第二导电类型半导体、第二层第一导电类型半导体…第n层第二导电类型半导体、第n层第一导电类型半导体，源极第一导电类型JFET注入区设置在第二导电类型半导体和堆叠的PN条之间且位于第二导电类型半导体衬底上方，漏极第一导电类型JFET注入区设置在堆叠的PN条右侧且位于第二导电类型半导体衬底上方，本发明有效缓解器件开启状态下JFET区耗尽甚至夹断对器件非饱和区的影响，提高器件的非饱和区电流。
-
公开(公告)号：CN107027220A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710311574.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
Abstract: 一种可调光LED驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，压敏电阻Rv保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。
-
公开(公告)号：CN111969043A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010888999.3
申请日：2020-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种高压三维耗尽超结LDMOS及其制造方法，包括第二导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一和第二导电类型阱区，第一介质氧化层，第二导电类型埋层，第二介质氧化层，周期性排列的第一和第二导电类型区形成超结；所述第二导电类型埋层以及超结结构均位于第一导电类型漂移区中，其中超结位于第二导电类型埋层上方且与第二导电类型埋层相连；所述第二导电类型埋层在关态下优化器件表面电场，第二导电类型埋层和超结第二导电类型区三面包围超结第一导电类型区，形成三维耗尽超结结构Fin-SJ结构，允许第一导电类型漂移区和超结第一导电类型区掺杂浓度提高，并且超结结构提供了表面低阻通路，降低器件比导通电阻。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106973461A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201710311508.7
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H05B33/0809 , H05B33/0842
Abstract: 一种LED驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件和高压二极管组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，压敏电阻Rv保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。
-
公开(公告)号：CN106954314A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710311575.9
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H05B33/0809 , H05B33/0845
Abstract: 一种带调光功能的LED恒流驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件和高压二极管组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，高压泄流电路保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。
-
公开(公告)号：CN109616522B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201811070263.4
申请日：2018-09-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种横向高压器件，元胞结构包括：第二导电类型半导体衬底，第二导电类型半导体，第一导电类型半导体漂移区，第一导电类型半导体漂移区设有堆叠的PN条，PN条包括：第一层第二导电类型埋层、第一层第一导电类型半导体、第二层第二导电类型半导体、第二层第一导电类型半导体…第n层第二导电类型半导体、第n层第一导电类型半导体，源极第一导电类型JFET注入区设置在第二导电类型半导体和堆叠的PN条之间且位于第二导电类型半导体衬底上方，漏极第一导电类型JFET注入区设置在堆叠的PN条右侧且位于第二导电类型半导体衬底上方，本发明有效缓解器件开启状态下JFET区耗尽甚至夹断对器件非饱和区的影响，提高器件的非饱和区电流。
-
公开(公告)号：CN107094330A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710311698.2
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
Abstract: 一种带调光功能的LED驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，高压泄流电路保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。
-
公开(公告)号：CN107027219A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710311506.8
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
CPC classification number: Y02B20/341 , H05B33/0842
Abstract: 一种LED恒流驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件和高压二极管组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，双向瞬态电压抑制器TVS保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.017 seconds)
