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公开(公告)号：CN110133934A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910469351.X
申请日：2019-05-31
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/153
Abstract: 本发明公开一种双稳态电致变色器件及其制备方法，器件从上至下依次包括第一ITO透明导电玻璃、电解液、WO3岛状纳米颗粒粗糙层和第二ITO透明导电玻璃；第一ITO透明导电玻璃和第二ITO透明导电玻璃的两个相对面为导电面，在导电面上，与电解液相邻的区域分别涂覆一层有MPTMs；第二ITO透明导电玻璃的MPTMs层上沉积有WO3岛状纳米颗粒粗糙层，WO3岛状纳米颗粒粗糙层为W、O和Ag的混合颗粒结构；电解液的周围设有绝缘垫片，绝缘垫片的上下两端分别粘合在第一ITO透明导电玻璃和第二ITO透明导电玻璃上。本发明的双稳态电致变色器件不仅能在透明态、镜态和黑态之间进行可逆变化，还能在去除电场或电流作用时维持良好的电化学和光学性能，比传统的电致变色器件更加节能。
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公开(公告)号：CN105551579B
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201510974843.6
申请日：2015-12-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及薄膜及其制备方法，提供一种可电致变色的多层透明导电薄膜及其制备方法，所述多层透明导电薄膜包括从上往下依次设置的衬底、第一WO3薄膜层，Ag导电层，W缓冲层和第二WO3薄膜层；其制备方法首先通过反应溅射法在衬底上制备第一WO3薄膜层；然后分别通过直流溅射和磁控溅射在第一WO3薄膜层表面制备Ag导电层和W缓冲层；最后再通过反应溅射法在W膜层表面制备第二WO3薄膜层，本发明经过优化多层透明导电薄膜结构及制备工艺，采用溅射法制备得可电致变色的多层透明导电薄膜，且该薄膜具备可见光范围内的高透过率，高电导率，以及具有可见光透射率调节范围大、着色效率高、循环稳定性好和环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN103409138A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310339368.6
申请日：2013-08-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种PDP用碳纳米管掺杂荧光粉的制备方法，属于功能材料技术领域。包括碳纳米管的提纯和分散、荧光粉和碳纳米管的均匀混合两部分内容。其中第一部分利用高温灼烧和回流法去除碳纳米管中的杂质，并使其表面改性，随后通过添加活性剂和机械处理使碳纳米管实现在溶液中的单分散；第二部分将分散好的碳纳米管掺入荧光粉，搅拌均匀并高温灼烧处理，最后经过球磨实现碳纳米管和荧光粉的均匀混合。本发明使碳纳米管避免了在荧光粉中的局部团聚，实现完全的均匀混合，能够有效地缩短PDP的寻址时间和提高寻址速度，并且降低了碳纳米管掺杂量的控制难度，有助于提高屏幕的发光亮度和发光效率。
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公开(公告)号：CN119894122A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202311382326.0
申请日：2023-10-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本专利公开了一种基于碲纳米网与硅异质结的光电探测器。器件制备步骤是先使用光刻和反应离子刻蚀工艺将SiO2/n‑Si衬底上一个区域的硅裸露出来，然后使用热蒸发等工艺制作金顶部电极，最后使用气相生长的方法生长碲纳米网，制备成具有垂直结构的异质结光电探测器。本专利通过碲原子链间的范德华键和准范德华界面处的自发失配弛豫克服了化学键对材料合成和晶格失配异质外延的限制，100℃低温下在硅表面横向生长由自焊接碲纳米线组成的碲纳米网。本专利的优点是一维碲纳米材料的生长可控性好，工艺简单，原料成本低，器件光响应好。
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公开(公告)号：CN118936296A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411012648.0
申请日：2024-07-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本专利公开了一种基于碲纳米网(Te NMs)的柔性应变传感器。器件制作步骤是先使用气相生长方法在柔性材料基底上生长碲纳米网，然后使用物理掩膜方法结合电子束蒸发制作金属电极。本专利利用碲原子链间的范德华键和准范德华界面处的自发失配弛豫，在100℃低温下于柔性衬底上制备了碲纳米网作为应变传感器的传感层。制作的应变传感器在小应变下具有灵敏度高、耐用性好等特点。本专利的优点是器件制作方法简单、可靠、灵敏度高，适用于测量微应变的场景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109267027A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811425891.X
申请日：2018-11-27
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有岛状纳米颗粒结构的WO3电致变色薄膜制备方法，包括以下步骤：S1、采用射频磁控溅射技术，以钨金属靶为阴极靶材，设定相应溅射工艺参数，在洗净的ITO透明导电玻璃衬底上沉积一层WO3薄膜；S2、在钨金属靶上放置若干银金属片，再次设定相应溅射工艺参数，在WO3薄膜上溅射制备一层W、Ag和O混合岛状纳米颗粒结构层；S3、将经过步骤S1和S2制备的样品采用稀硝酸处理，以消除W、Ag和O混合岛状纳米颗粒结构层中的Ag，从而获得具有岛状纳米颗粒结构的WO3电致变色薄膜。本发明制备的电致变色薄膜具有着色效率高、变色时间快、表面粗糙度大、微结构分布均匀、疲劳特性好、环境污染小和参数易控制的特点。
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公开(公告)号：CN105551579A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510974843.6
申请日：2015-12-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及薄膜及其制备方法，提供一种可电致变色的多层透明导电薄膜及其制备方法，所述多层透明导电薄膜包括从上往下依次设置的衬底、第一WO3薄膜层，Ag导电层，W缓冲层和第二WO3薄膜层；其制备方法首先通过反应溅射法在衬底上制备第一WO3薄膜层；然后分别通过直流溅射和磁控溅射在第一WO3薄膜层表面制备Ag导电层和W缓冲层；最后再通过反应溅射法在W膜层表面制备第二WO3薄膜层，本发明经过优化多层透明导电薄膜结构及制备工艺，采用溅射法制备得可电致变色的多层透明导电薄膜，且该薄膜具备可见光范围内的高透过率，高电导率，以及具有可见光透射率调节范围大、着色效率高、循环稳定性好和环境友好等优点。
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公开(公告)号：CN119899514A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510209117.9
申请日：2025-02-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于聚乙烯吡咯烷酮(PVP)修饰的光子晶体胶体薄膜及其制备方法。该光子晶体胶体薄膜由经PVP表面修饰的二氧化硅微球(SiO2)在以聚乙二醇苯醚丙烯酸酯(PEGPEA)和二乙二醇乙醚丙烯酸酯(DEGEEA)为主要成分的弹性胶体内部自组装，并通过光引发剂1173进行紫外固化而形成。与传统光子晶体薄膜相比，本发明的光子晶体胶体薄膜有效抑制了角度依赖性，实现了光子晶体结构色的稳定表征。同时，该薄膜具备柔性良好、灵敏度高、环境友好以及工艺简单的特点，在大批量工业化生产中展现出极高的生产效率，具有显著的技术优势和应用潜力。
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公开(公告)号：CN118766410B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202410927310.1
申请日：2024-07-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于柔性近红外点阵列探测器的可穿戴瞳孔监测设备及方法。本设备和方法无需红外相机和透镜，通过柔性近红外探测器点阵列紧密贴合眼睑表面，精确检测闭眼瞳孔透射的近红外光信号，同时通过建立闭合眼睑瞳孔图像处理模型并利用遗传算法作为优化算法实现了动态的闭眼瞳孔监测。该设备和方法不仅为用户提供了便捷轻量化的闭眼状态下瞳孔大小的动态监测方式，还提高了闭眼状态下瞳孔监测的准确性和可靠性。
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公开(公告)号：CN118766410A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410927310.1
申请日：2024-07-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于柔性近红外点阵列探测器的可穿戴瞳孔监测设备及方法。本设备和方法无需红外相机和透镜，通过柔性近红外探测器点阵列紧密贴合眼睑表面，精确检测闭眼瞳孔透射的近红外光信号，同时通过建立闭合眼睑瞳孔图像处理模型并利用遗传算法作为优化算法实现了动态的闭眼瞳孔监测。该设备和方法不仅为用户提供了便捷轻量化的闭眼状态下瞳孔大小的动态监测方式，还提高了闭眼状态下瞳孔监测的准确性和可靠性。
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