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公开(公告)号：CN111933711A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010831004.X
申请日：2020-08-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成了SBD的超结MOSFET。本发明相对与传统结构，具有以下几个特点：一、器件采用双槽结构，分别为槽栅结构和肖特基槽型结构，肖特基槽型结构的槽侧壁引入肖特基接触，能够有效节省版图面积和增大续流能力；二、双槽下方引入横向伸长的P型屏蔽层对双槽进行保护，可以抑制集成肖特基二极管的反向泄漏电流，并避免肖特基接触和槽栅底部提前击穿，有效提高击穿电压；三、漂移区采用了超结结构，有效地克服了P型屏蔽层带来的小电流能力问题。本发明的有益效果为，相对于传统集成SBD的SiC MOSFET结构，本发明能够节省版图面积、增强续流能力和抑制体二极管开启能力，同时具有更低的导通压降和更高的击穿电压。
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公开(公告)号：CN107027220A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710311574.4
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
Abstract: 一种可调光LED驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，压敏电阻Rv保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。
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公开(公告)号：CN110416294B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910806274.2
申请日：2019-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高耐压低损耗超结功率器件。本发明的主要特征在于：在P型漂移区上方有夹断结构，夹断结构由夹断槽以及夹断槽之间P型体接触区组成。正向导通时，夹断结构夹断中间的P型漂移区，从而抑制空穴被P型漂移区收集，提高载流子在漂移区中的存储效果；器件关断时，P型漂移区通过P型体接触区与发射极连接，作为空穴抽取路径，减小关断损耗；正向耐压时，P型漂移区通过P型体接触区与发射极接触，其电位为0，因此P型漂移区的辅助耗尽作用更好，器件的耐压更高。与传统超结IGBT器件相比，本发明的超结IGBT器件有更低的导通压降，Von‑Eoff折中更佳；与P柱浮空超结IGBT器件相比，本发明的超结IGBT器件有更高的正向耐压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113130627A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110393954.3
申请日：2021-04-13
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L27/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成沟道二极管的碳化硅鳍状栅MOSFET。本发明的主要特征在于：具有沟槽结构，且在沟槽区底部集成了沟道二极管，当器件处于反向续流工作模式时，沟道二极管导通实现续流功能，降低了反向导通压降并有效抑制体二极管的导通，消除双极退化带来的影响；采用鳍状栅结构，保证沟槽下方P区域良好接地，使沟槽底部氧化层的峰值电场低于临界击穿值，提高器件在阻断工作模式下的可靠性；位于沟槽内的两个对称鳍状栅，以及位于鳍状栅下方的沟槽底部第三导电材料，构成复合分离栅结构，降低栅漏电容，减少开关损耗，使器件在高频应用中更具优势。
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公开(公告)号：CN110416294A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910806274.2
申请日：2019-08-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种高耐压低损耗超结功率器件。本发明的主要特征在于：在P型漂移区上方有夹断结构，夹断结构由夹断槽以及夹断槽之间P型体接触区组成。正向导通时，夹断结构夹断中间的P型漂移区，从而抑制空穴被P型漂移区收集，提高载流子在漂移区中的存储效果；器件关断时，P型漂移区通过P型体接触区与发射极连接，作为空穴抽取路径，减小关断损耗；正向耐压时，P型漂移区通过P型体接触区与发射极接触，其电位为0，因此P型漂移区的辅助耗尽作用更好，器件的耐压更高。与传统超结IGBT器件相比，本发明的超结IGBT器件有更低的导通压降，Von-Eoff折中更佳；与P柱浮空超结IGBT器件相比，本发明的超结IGBT器件有更高的正向耐压。
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公开(公告)号：CN107094330A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710311698.2
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
Abstract: 一种带调光功能的LED驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，高压泄流电路保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。
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公开(公告)号：CN107027219A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710311506.8
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
CPC classification number: Y02B20/341 , H05B33/0842
Abstract: 一种LED恒流驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件和高压二极管组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，双向瞬态电压抑制器TVS保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。
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公开(公告)号：CN106982494A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710311700.6
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05B33/08
CPC classification number: H05B33/0809 , H05B33/0887
Abstract: 一种可调光LED恒流驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，双向瞬态电压抑制器TVS保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。
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