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公开(公告)号：CN114163241A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111226100.2
申请日：2021-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种低温热压制备的高性能低介微波介质陶瓷及其方法。本发明方法包括：称取NaOH与NaCl粉体，将两者均匀地溶解于蒸馏水中，后将液体烘干，得到NaOH‑NaCl混合物粉体；称取CaF2粉末，在CaF2粉末中添加所得的NaOH‑NaCl混合物粉体，充分研磨使两者混合均匀；将所得的混合粉末置于模具中，放入热压机中进行热压烧结，热压结束后获得致密的CaF2陶瓷；将获得的CaF2陶瓷烘干至恒重。本发明方法所得的微波陶瓷表现出优异的介电性能：相对密度为88％～96％，介电常数5.5
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公开(公告)号：CN102324045B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110257384.1
申请日：2011-09-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06K9/66
Abstract: 本发明公开了基于Radon变换和极谐波变换的不变矩目标识别方法。其步骤为：(1)输入待识别图像；(2)图像预处理；(3)Radon变换；(4)仿射变换；(5)构造不变矩；(6)提取不变特征；(7)特征模型；(8)图像目标识别；(9)输出图像目标识别结果。本发明成功构造出Radon复指数不变矩、Radon正余弦不变矩和极地复指数实虚不变矩三个新的不变矩，通过提取不变矩的实部和虚部作为不变特征，能够有效地解决噪声干扰的问题，更好的体现图像的真实性，提高图像目标识别的准确率。本发明具有较好的适用性和稳定性，提高了不变矩的整体性能以及图像目标识别的适用性和稳定性。
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公开(公告)号：CN102496027B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201110356014.3
申请日：2011-11-10
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06K9/62
Abstract: 本发明公开了一种基于约束自适应传递的半监督图像分类方法，主要解决现有半监督图像分类方法的分类精度低，存在信息缺陷，运行时间不稳定的问题。其实现步骤是：(1)输入待分类的图像和对式约束集合；(2)构造最近邻集合；(3)构造相似度矩阵；(4)构造拉普拉斯矩阵；(5)构造对式约束权值矩阵；(6)解半正定规划；(7)聚类并输出结果。本发明具有分类精度较高，运行时间稳定的优点，有效的克服了现有半监督图像分类方法存在的核矩阵信息缺陷问题。
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公开(公告)号：CN102034811A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010289473.X
申请日：2010-09-21
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/87
Abstract: 一种用于集成电路芯片ESD保护的低压SCR结构，属于电子技术领域。包括两类低压SCR ESD保护器件，第一类器件集成了2个N阱二极管和2个NMOS，其中N阱二极管连接于I/O和VDD之间，NMOS连接于VDD和VSS之间，且N阱二极管和NMOS组成SCR结构，提供PS、PD模式和VDD-VSS之间的ESD防护。第二类器件集成了2个P阱二极管和2个PMOS，其中P阱二极管连接于I/O和VSS之间，PMOS连接于VSS和VDD之间，且P阱二极管和PMOS共同组成SCR结构，提供ND、NS模式和VDD-VSS之间的ESD防护。本发明在芯片正常工作时具有较高的维持电压，抗闩锁效应，而在发生ESD时的触发电压较低，触发速度较快；在提供多种模式的ESD保护功能和优异的ESD保护性能的同时，还能够有效降低保护器件所占用芯片的相对面积和减少寄生电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101840918A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201019087047.5
申请日：2010-04-14
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: H01L29/87 , H01L29/0649 , H01L29/0692
Abstract: 一种二极管触发的可控硅整流式(SCR)静电释放(ESD)保护电路结构，属于电子技术领域。本发明通过集成一个击穿电压较低的二极管，将常规SCR ESD保护电路结构的触发电压由P阱/N阱结的击穿电压转变为N+/P阱(或N阱/P+)结的击穿电压，从而降低SCR ESD保护电路结构触发电压，最终对芯片内部电路起到更好的保护作用。同时，本发明在不改变触发电压的前提下，通过简单调节器件的尺寸参数，即可获得可调控的器件维持电压。本发明与CMOS工艺兼容，也可采用BiCMOS、BCD、SOI等工艺，可将本发明提供的保护电路结构连接在集成电路电源和地之间，作为电源钳位(Power Clamp)的ESD保护，也可将其连接在集成电路输入、输出端口和电源(地)之间作为输入输出端口的ESD保护。
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公开(公告)号：CN102930301B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210393790.5
申请日：2012-10-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06K9/66
Abstract: 本发明公开一种基于特征权重学习与核稀疏表示的图像分类方法。主要解决现有技术缺少特征层判别能力的问题。实现步骤为：将训练样本与测试样本映射到核空间；在核空间中构造结构化的字典，用该字典对训练样本和测试样本进行稀疏表示；通过Fisher判别准则，利用训练集的稀疏系数求解每类子字典的权重及对应重构误差的权重；根据字典权重和重构误差权重计算测试样本的重构误差；从各类子字典对测试样本的重构误差中选择最小值，将其对应子字典的类作为测试样本的分类结果。本发明可增强字典及重构误差在特征层的类判别能力，提高基于图像重构的分类器的性能，可用于人脸识别，图像分类，图像标记，图像检索和图像分割。
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公开(公告)号：CN102930301A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210393790.5
申请日：2012-10-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06K9/66
Abstract: 本发明公开一种基于特征权重学习与核稀疏表示的图像分类方法。主要解决现有技术缺少特征层判别能力的问题。实现步骤为：将训练样本与测试样本映射到核空间；在核空间中构造结构化的字典，用该字典对训练样本和测试样本进行稀疏表示；通过Fisher判别准则，利用训练集的稀疏系数求解每类子字典的权重及对应重构误差的权重；根据字典权重和重构误差权重计算测试样本的重构误差；从各类子字典对测试样本的重构误差中选择最小值，将其对应子字典的类作为测试样本的分类结果。本发明可增强字典及重构误差在特征层的类判别能力，提高基于图像重构的分类器的性能，可用于人脸识别，图像分类，图像标记，图像检索和图像分割。
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公开(公告)号：CN114163241B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202111226100.2
申请日：2021-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/553 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种低温热压制备的高性能低介微波介质陶瓷及其方法。本发明方法包括：称取NaOH与NaCl粉体，将两者均匀地溶解于蒸馏水中，后将液体烘干，得到NaOH‑NaCl混合物粉体；称取CaF2粉末，在CaF2粉末中添加所得的NaOH‑NaCl混合物粉体，充分研磨使两者混合均匀；将所得的混合粉末置于模具中，放入热压机中进行热压烧结，热压结束后获得致密的CaF2陶瓷；将获得的CaF2陶瓷烘干至恒重。本发明方法所得的微波陶瓷表现出优异的介电性能：相对密度为88％～96％，介电常数5.5
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