公开(公告)号：CN112772001A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201980062400.6

申请日：2019-09-27

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 津川优太 ,  西村浩二 ,  青野良太

IPC: H05K1/02 ,  H01L23/36

Abstract: 接合基板(10)，其具备：基板(20)；金属板(30)，其与基板(20)构成层叠状态且具有基板(20)侧的第1面(32)和位于第1面(32)的相反侧的第2面(34)，在从层叠方向观察时，第1面(32)的缘部与第2面(34)的缘部相比更靠外侧；及接合构件(40)，其配置在基板(20)与金属板(30)之间且将金属板(30)与基板(20)接合，在从层叠方向观察时，所述接合构件(40)在金属板(30)的全周范围内从缘部伸出，其中，沿层叠方向切断而得的切断面中的、从相当于第1面(32)的周缘的部分至相当于第2面(34)的周缘的部分的周面长度(A)、接合构件(40)的伸出长度(B)、及金属板(30)的厚度(C)满足下述的第1式及第2式。(第1式)0.032≤B/(A+B)≤0.400(第2式)0.5(mm)≤C≤2.0(mm)。

公开(公告)号：CN110731129A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201880037182.6

申请日：2018-06-07

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 青野良太 ,  中原史博 ,  西村浩二 ,  津川优太

IPC: H05K3/18 ,  B23K1/00 ,  C23C18/42 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K3/32

Abstract: 课题在于得到适于半导体元件的银纳米粒子接合、与功率模块密封树脂的密合性优异的陶瓷电路基板。解决方案在于一种陶瓷电路基板，其为在使用了氮化铝或氮化硅的陶瓷基板的两主面介由钎料而接合铜板、在至少一主面的铜板上实施了镀银的陶瓷电路基板，其特征在于，铜板侧面不实施镀银，银镀层的厚度为0.1μm至1.5μm，镀银后的电路基板的表面粗糙度的算术平均粗糙度Ra为0.1μm至1.5μm。