公开(公告)号：CN101034011A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710084313.X

申请日：2007-02-27

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  日本电气株式会社

Inventor： 土屋哲男 ,  水田进 ,  熊谷俊弥 ,  佐佐木得人 ,  仓科晴次

IPC: G01J5/20 ,  G01D5/26

CPC classification number: G01J5/20

Abstract: 依照本发明的红外传感器制造方法包括：在Si衬底上形成绝缘材料的桥结构的步骤，在桥结构上通过干膜形成方法形成氧化钒薄膜的步骤，在氧化钒薄膜上照射激光以由此改变其材料性能的步骤，把改变了材料性能的氧化钒薄膜形成为具有预定图形的测辐射热仪电阻器的步骤，和形成绝缘材料的保护层以便覆盖具有预定图形的测辐射热仪电阻器和桥结构的步骤。

公开(公告)号：CN1655356A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510007923.0

申请日：2005-02-05

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 川原尚由 ,  村濑宽 ,  大窪宏明 ,  菊田邦子 ,  中柴康隆 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01C7/1013 ,  H01L27/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。

公开(公告)号：CN1645613A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510004377.5

申请日：2005-01-17

Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 ,  日本电气株式会社

Inventor： 大洼宏明 ,  菊田邦子 ,  中柴康隆 ,  川原尚由 ,  村濑宽 ,  小田直树 ,  佐佐木得人 ,  伊藤信和

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L23/00 ,  G01K7/00

CPC classification number: H01L23/34 ,  G01K7/015 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。