公开(公告)号：CN105140275A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510290946.0

申请日：2015-05-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 井上真雄 ,  丸山祥辉 ,  齐藤朋也 ,  吉富敦司

IPC: H01L29/51 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792 ,  H01L29/511 ,  H01L21/28 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/115

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。实现包括存储器元件的半导体器件的性能的改善。在半导体衬底之上，经由作为用于存储器元件的栅极绝缘膜的绝缘膜，形成用于存储器元件的栅极电极。绝缘膜包括依次远离衬底的第一绝缘膜、第二绝缘膜、第三绝缘膜、第四绝缘膜和第五绝缘膜。第二绝缘膜具有电荷存储功能。第一绝缘膜和第三绝缘膜中的每一个绝缘膜的带隙大于第二绝缘膜的带隙。第四绝缘膜的带隙小于第三绝缘膜的带隙。第五绝缘膜的带隙小于第四绝缘膜的带隙。