公开(公告)号：CN106997886A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201710048806.1

申请日：2017-01-20

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 神野健 ,  后藤洋太郎

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14605 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14603

Abstract: 本申请涉及半导体器件。实现了半导体器件的性能的提高。半导体器件包括像素，像素包括：在其中形成传输晶体管和光电二极管的第一有源区域和用于提供接地电势的第二有源区域。在第二有源区域中的p型半导体区域上方设置用于提供接地电势的插塞。在用于第一有源区域中形成的传输晶体管的漏极区域的n型半导体区域中引入吸附元素。然而，在第二有源区域中的p型半导体区域中没有引入吸附元素。