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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110176925B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910123283.1
申请日：2019-02-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K19/0185 , G11C16/30
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置。为了使负电压电平移位器即使在输入信号的高电平的电压值被降低时也稳定地操作，半导体装置中的负电压电平移位器包括第一电平移位器、第二电平移位器和第一中压生成电路。所述第一电平移位器将输入信号的高电平从正的第一电源电压转换为第一中压。所述第二电平移位器将所述第一电平移位器的输出信号的低电平从第三电源电压转换为低于所述第三电源电压的负的第四电源电压。所述第一中压生成电路以使所述第一中压高于所述第一电源电压但低于第二电源电压的方式来生成所述第一中压，并且包括源极跟随器NMOS晶体管和钳位PMOS晶体管。
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公开(公告)号：CN117219136A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202310679613.1
申请日：2023-06-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: G11C11/16
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体设备。钳位元件46在读出操作时向位线BL施加固定电势。参考电流源RCS生成参考电流Iref。偏移电流源OCS1在用于OTP单元OTPC的读出操作时被激活，并且在被激活时生成要从单元电流Icel中减去的偏移电流Iof1。在对OTP单元OTPC的该读出操作时，该感测放大器SA检测该参考电流Iref和通过从该单元电流Icel中减去该偏移电流Iof1获得的读出电流Ird之间的大小关系。
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公开(公告)号：CN102024816A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010284307.0
申请日：2010-09-14
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 武田晃一
IPC: H01L27/11 , G11C11/412
CPC classification number: G11C5/025
Abstract: 本发明涉及一种半导体存储器件。根据本发明的半导体存储器件包括：第一存储器单元阵列，其中多个第一存储器单元被布置成矩阵，数据被从第一存储器单元读取或者被写入到第一存储器单元；和第二存储器单元阵列，其中多个第二存储器单元被布置成矩阵，所述第二存储器单元放大并且存储被布置在相对应的列中的多个第一存储器单元中的一个存储器单元的数据。第一存储器单元阵列和第二存储器单元阵列被布置为在列方向上面对面。第二存储器单元的面积大于第一存储器单元的面积。第一存储器单元阵列的面积是第二存储器单元阵列的面积的两倍或者更大。
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公开(公告)号：CN117198351A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310662826.3
申请日：2023-06-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 武田晃一
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。提供了一种能够增加非易失性电阻式随机存取存储器中的读出容限的半导体装置。箝位电路将固定电位施加到存储器元件和参考电阻式元件中的每一者。预充电电路将第一节点和第二节点预充电到电源电位。在由预充电电路进行预充电之后，基于单元电流和参考电流，感测放大器将在放电时段之后生成的第一节点的电位与第二节点的电位之间的电位差放大。第三节点通过电容器耦合到第一节点和第二节点。电荷供应电路连接到第三节点，并且在放电时段中将电荷供应到第三节点。
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公开(公告)号：CN110176925A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910123283.1
申请日：2019-02-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H03K19/0185 , G11C16/30
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体装置。为了使负电压电平移位器即使在输入信号的高电平的电压值被降低时也稳定地操作，半导体装置中的负电压电平移位器包括第一电平移位器、第二电平移位器和第一中压生成电路。所述第一电平移位器将输入信号的高电平从正的第一电源电压转换为第一中压。所述第二电平移位器将所述第一电平移位器的输出信号的低电平从第三电源电压转换为低于所述第三电源电压的负的第四电源电压。所述第一中压生成电路以使所述第一中压高于所述第一电源电压但低于第二电源电压的方式来生成所述第一中压，并且包括源极跟随器NMOS晶体管和钳位PMOS晶体管。
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