公开(公告)号：CN105977254A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610091368.2

申请日：2016-02-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 天羽生淳

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/945 ,  G11C16/0466 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792 ,  H01L27/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28008 ,  H01L27/115

Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。在包括在半导体器件中混在一起的分离栅极型MONOS存储器以及具有部分地嵌入在形成在半导体衬底的主表面中的沟槽中的上电极的沟槽电容器元件的半导体器件中，嵌入在沟槽中的上电极的顶表面的平整度得到改进。形成在半导体衬底之上以形成形成MONOS存储器的存储器单元的控制栅极电极的多晶硅膜嵌入在形成在电容器元件形成区域中的半导体衬底的主表面中的沟槽中，从而形成包括有在沟槽中的多晶硅膜的上电极。