公开(公告)号：CN106463375B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580030575.0

申请日：2015-05-18

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  米山裕之 ,  稻男洋一

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。

公开(公告)号：CN108778722A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780014253.6

申请日：2017-02-10

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  佐佐木辽 ,  米山裕之 ,  山本大辅

IPC: B32B27/00 ,  C09D201/00 ,  C09J201/00 ,  C09J7/20

CPC classification number: B32B27/00 ,  C09D201/00 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其在支撑片的一个表面上具备保护膜形成用膜、且在所述支撑片的与具备所述保护膜形成用膜的一侧相反侧的表面上具备涂敷层而成，其中，所述涂敷层的与所述支撑片相接触的一侧相反侧的表面的光泽值为32～95。

公开(公告)号：CN105408105B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201480041620.8

申请日：2014-07-16

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 米山裕之 ,  佐伯尚哉

IPC: B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  B32B27/32 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00 ,  H01L23/00

CPC classification number: B32B27/32 ,  B32B7/12 ,  B32B27/08 ,  B32B2457/14 ,  C09J7/20 ,  C09J7/22 ,  C09J7/243 ,  C09J7/30 ,  C09J201/00 ,  C09J2201/122 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2423/106 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供保护膜形成用复合片(1)，其具备在基材(21)的一面侧叠层粘合剂层(22)而成的粘合片(2)、和叠层于粘合片(2)的粘合剂层(22)侧的保护膜形成膜(3)，粘合片(2)不具有沿厚度方向贯穿该粘合片(2)的通孔，使用积分球测定的粘合片(2)在波长532nm下的透光率为75～85％。根据该保护膜形成用复合片(1)，即使使用不具有通孔的粘合片，也能够在对保护膜形成膜(保护膜)进行激光打印时抑制在粘合片与保护膜形成膜(保护膜)之间产生气体积存。

公开(公告)号：CN106489189A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580032859.3

申请日：2015-09-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  米山裕之 ,  山本大辅 ,  小桥力也 ,  稻男洋一

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有粘合片、和叠层于粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，所述粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在加热后相对于加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。

公开(公告)号：CN111180380B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202010008742.4

申请日：2014-09-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  稻男洋一 ,  山本大辅 ,  米山裕之

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  B32B27/00 ,  B23K26/57 ,  B23K26/53 ,  B23K26/18 ,  C08J7/04 ,  C08L67/02

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。

公开(公告)号：CN108701641B

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN201780013457.8

申请日：2017-02-17

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  米山裕之 ,  小桥力也

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明的保护膜形成用片在支撑片上具备保护膜形成层、且在该保护膜形成层上具备剥离膜而成，该支撑片的与具备该保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，基于JIS K7125标准测得的该支撑片的上述表面和该剥离膜的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为29N以下。

公开(公告)号：CN114599517A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080074351.0

申请日：2020-10-22

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  米山裕之

IPC: B32B27/32 ,  B32B27/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/08 ,  B32B3/08 ,  B32B7/12 ,  B32B27/18 ,  B32B27/22 ,  B32B27/36 ,  B32B27/28 ,  B32B27/40 ,  B32B25/00 ,  B32B25/08 ,  C08J7/04 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的目的在于使用切割刀切断半导体晶圆等工件与保护膜形成用膜而制造带保护膜的小片时，能够抑制产生崩边。本发明的保护膜形成用膜(1)包含填料(2)，在该膜(1)的剖面观察中，将膜的总厚度设为T时，且将自膜的一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第一区域、将自膜的另一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第二区域，在第一区域中所观察到的填料的50％累计粒径D501与在第二区域中所观察到的填料的50％累计粒径D502，满足下述条件：D501

公开(公告)号：CN112111236A

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN202010468045.7

申请日：2020-05-28

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 米山裕之 ,  山本大辅 ,  古野健太

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/25 ,  C09J133/08 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备防污片、与形成在所述防污片的一个面上的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片的宽度的最大值为155～194mm、205～250mm、305～350mm或455～500mm，宽度为15mm的所述防污片的试验片能够伸长15％以上，且在伸长10％时的拉伸强度为4.0N/15mm以上。

公开(公告)号：CN107001876B

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN201680003816.7

申请日：2016-03-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 小桥力也 ,  佐伯尚哉 ,  米山裕之

IPC: C09J7/20 ,  C09J7/30 ,  B32B27/30 ,  B32B27/20 ,  B32B27/06 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B33/00 ,  B32B27/26 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供再剥离性优异的树脂膜形成用片、以及具有该树脂膜形成用片和支撑体直接叠层而成的结构的树脂膜形成用复合片，所述树脂膜形成用片是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，待与硅晶片粘贴一侧的该片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为40nm以上。

公开(公告)号：CN111613564A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010288922.2

申请日：2014-01-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  米山裕之 ,  高野健

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/66 ,  C09J7/10 ,  C09J7/20 ,  C09J7/30 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用片(2)，其具备保护膜形成膜(1)、和叠层于该保护膜形成膜的一面或两面的剥离片(21)，所述保护膜形成膜(1)的特征在于，其在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。根据该保护膜形成用片(2)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。