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公开(公告)号：CN107112409A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069409.1
申请日：2015-12-24
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异，且能够以低成本简便地制造的帕尔贴冷却元件，所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料，所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜。本发明还提供一种帕尔贴冷却元件的制造方法，所述帕尔贴冷却元件使用了热电转换材料，所述热电转换材料在支撑体上具有由含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物形成的薄膜，该制造方法包括：将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及离子液体的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序；对该薄膜进行退火处理的工序。
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公开(公告)号：CN107109151A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580069936.2
申请日：2015-08-20
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B27/20 , C09J183/04 , C09J201/00 , H01L23/36 , H01L35/30 , H01L35/34 , H02N3/00
Abstract: 本发明谋求导热性粘接片的高导热部及低导热部的尺寸精度的提高、以及低导热部的低导热系数化，进而提供可容易地叠层于电子器件、能够为该电子器件的内部赋予足够的温度差的导热性粘接片、其制造方法及使用了该导热性粘接片的电子器件。本发明的导热性粘接片包含粘接剂层、以及包含高导热部和低导热部的基材，其中，在该基材的一面叠层有粘接剂层，并且在该低导热部含有中空填料，且该中空填料的含量为低导热部总体积中的20～90体积％，另外，该基材的另一面由该低导热部的和与该粘接剂层接触的面相反侧的面、以及该高导热部的和与该粘接剂层接触的面相反侧的面构成，或者，该高导热部和该低导热部的至少任一者构成该基材的厚度的一部分。
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公开(公告)号：CN110168759B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201780076510.9
申请日：2017-12-07
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H10N10/857 , B32B7/027 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B33/00 , H10N10/852 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供一种热电性能及弯曲性优异，且能够以低成本简便地制造的热电转换材料及其制造方法；所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物；所述制造方法是热电转换材料的制造方法，所述热电转换材料在支撑体上具有由热电半导体组合物形成的薄膜，所述热电半导体组合物含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物，该制造方法包括：将含有热电半导体微粒、耐热性树脂及无机离子性化合物的热电半导体组合物涂布在支撑体上并进行干燥而形成薄膜的工序；进一步对该薄膜进行退火处理的工序。
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公开(公告)号：CN115428174A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180024959.7
申请日：2021-03-18
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供热电性能得到了进一步提高的热电转换模块，该热电转换模块包含基材、以及由热电半导体组合物形成的热电元件层，其中，上述热电半导体组合物包含热电半导体材料、耐热性树脂A、以及离子液体和/或无机离子性化合物，上述基材的热阻为0.35K/W以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110462856A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201880021879.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种耐久性优异的热电转换元件层及其制造方法，所述热电转换元件层包含在膜基板的一面上至少包含热电元件层的热电转换模块，并且在所述热电元件层的表面侧进一步包含密封层，所述热电元件层是P型热电元件层和N型热电元件层在面内方向交替邻接并串联配置而成的，其中，所述密封层的按照JIS K7129:2008规定的在40℃×90％RH下的水蒸气透过率为1000g·m-2·day-1以下。
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公开(公告)号：CN105531837A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480050736.8
申请日：2014-09-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L35/30 , C09J7/02 , C09J183/04 , C09J201/00 , H01L35/32 , H01L35/34 , H02N11/00
CPC classification number: C09J9/02 , C08K3/04 , C08K3/041 , C08K3/042 , C08K3/046 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/38 , C08K2003/2227 , C08K2003/385 , C08K2201/001 , C09J7/22 , C09J2201/122 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , C09J2205/106 , C09J2483/00 , H01L35/02 , H01L35/32
Abstract: 本发明提供一种导热性粘接片、其制造方法、以及使用了该导热性粘接片的电子器件，通过将所述导热性粘接片叠层在电子器件上，能够高效地放出热，并且能够选择性地在特定方向上放出热，从而对该电子器件内部赋予充分的温差。本发明的导热性粘接片包含基材和粘接剂层，所述基材包含高导热部和低导热部，在该基材的一面叠层粘接剂层，并且，该基材的另一面由该低导热部的与该粘接剂层相接的面相反侧的面及该高导热部的与该粘接剂层相接的面相反侧的面构成，或者该高导热部和该低导热部的至少任一个构成了该基材的厚度的一部分。本发明还提供上述导热性粘接片的制造方法、以及使用了该导热性粘接片的电子器件。
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公开(公告)号：CN115700061A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180038636.3
申请日：2021-05-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H10N10/817 , H10N10/856 , H10N10/857 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供可防止由接合材料引起的电极上的热电转换材料的芯片的位置偏移、抑制邻接的热电转换材料的芯片之间的短路、热电转换材料的芯片与电极的接合不良的热电转换组件及其制造方法。该热电转换组件包含：具有第1电极的第1基板；具有第2电极的第2基板；由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片；由第1接合材料形成的第1接合材料层，所述第1接合材料层将该热电转换材料的芯片的一面和上述第1电极接合；以及由第2接合材料形成的第2接合材料层，所述第2接合材料层将上述热电转换材料的芯片的另一面和上述第2电极接合，其中，上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的熔点，或者上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的固化温度。
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公开(公告)号：CN113632253A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080025034.X
申请日：2020-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供能够通过简易的工序以不具有与电极的接合部的形态进行热电转换材料的退火处理、且能够以最佳退火温度进行热电半导体材料的退火的热电转换材料的芯片的制造方法，其是制造由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片的方法，该方法包括：(A)在基板上形成所述热电转换材料的芯片的工序；(B)对所述(A)的工序中得到的所述热电转换材料的芯片进行退火处理的工序；以及(C)将所述(B)的工序中得到的退火处理后的所述热电转换材料的芯片剥离的工序，其中，所述热电半导体组合物包含热电半导体材料及树脂，所述退火处理的温度为该树脂的分解温度以上。
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公开(公告)号：CN112602203A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980055534.5
申请日：2019-08-27
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有形状控制性优异的热电元件层且可高集成化的热电转换元件的制造方法，该方法是在基板(1)上包含热电元件层(4a、4b)的热电转换元件的制造方法，所述热电元件层(4a、4b)由包含热电半导体材料的热电半导体组合物形成，该方法包括：在所述基板上设置具有开口部(3)的图案框(2)的工序；在所述开口部填充所述热电半导体组合物的工序；将填充于所述开口部的所述热电半导体组合物干燥而形成热电元件层的工序；以及将所述图案框从基板上剥离的工序。
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