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公开(公告)号：CN111095493A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880057309.0
申请日：2018-08-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , B23K26/53
Abstract: 薄型化板状部件的制造方法的特征在于，具有向板状部件(WF)照射激光(LB)的激光照射工序和将板状部件(WF)沿着分割面(DP)分割而至少形成第一薄型化板状部件和第二薄型化板状部件的分割工序，在向板状部件(WF)照射激光的工序中，在板状部件(WF)的内部沿着分割面(DP)形成多个改性部，所述第一薄型化板状部件的厚度比板状部件(WF)的厚度小，所述第二薄型化板状部件的厚度比板状部件(WF)的厚度小。
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公开(公告)号：CN111095493B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201880057309.0
申请日：2018-08-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , B23K26/53
Abstract: 薄型化板状部件的制造方法的特征在于，具有向板状部件(WF)照射激光(LB)的激光照射工序和将板状部件(WF)沿着分割面(DP)分割而至少形成第一薄型化板状部件和第二薄型化板状部件的分割工序，在向板状部件(WF)照射激光的工序中，在板状部件(WF)的内部沿着分割面(DP)形成多个改性部，所述第一薄型化板状部件的厚度比板状部件(WF)的厚度小，所述第二薄型化板状部件的厚度比板状部件(WF)的厚度小。
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公开(公告)号：CN110832620B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201880044028.1
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在‑20℃以上、10℃以下的环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在0℃下的剪切力为190N/(3mm×20mm)以上、400N/(3mm×20mm)以下。即使所得到的芯片尺寸小时，该隐形切割用粘着片1也可通过冷却扩展良好地将半导体晶圆单片化成芯片。
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公开(公告)号：CN110809815B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880043967.4
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , C09J7/20
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在室温环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面的侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为70N/(3mm×20mm)以上、250N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片1，即使在室温下进行扩展时，也可良好地将半导体晶圆单片化成芯片。
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公开(公告)号：CN110753992B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880040196.3
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/20 , C09J11/06 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在室温环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于基材(11)的一面侧的粘着剂层(12)，将隐形切割用粘着片(1)经由粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)的芯片清洗性优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109906504B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN201780067347.X
申请日：2017-10-18
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 山下茂之
IPC: H01L21/683 , B32B27/00 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片，其具备基材与层叠在所述基材的单面侧的粘着剂层，在边使用热机械分析装置以升温速度20℃/分钟将所述基材从25℃加热到120℃、边以0.2g的负荷拉伸所述基材的情况下，将从所述基材的60℃时的长度减去所述基材的初始长度而得到的所述基材的长度变化量设定为ΔL60℃，并将从所述基材的90℃时的长度减去所述基材的初始长度而得到的所述基材的长度变化量设定为ΔL90℃时，满足下述式(1)的关系。所述隐形切割用粘着片的热收缩性优异。ΔL90℃－ΔL60℃＜0μm…(1)。
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公开(公告)号：CN111989764A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026145.X
申请日：2019-04-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/683 , B23K26/00 , C09J7/20 , C09J7/38 , C09J201/00
Abstract: 本发明涉及一种工件加工用片1，其至少具备基材2与层叠于基材2的第一面侧的粘着剂层3，其中，基材2的第二面的算术平均粗糙度(Ra)为0.01μm以上、0.4μm以下，基材2的第二面的最大高度粗糙度(Rz)为0.01μm以上、2.5μm以下，基材2的波长532nm的透光率为40％以上。该工件加工用片1的激光打标性优异，且同时对激光具有耐受性。
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公开(公告)号：CN110753993A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201880040197.8
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在-20℃以上、10℃以下的环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于所述基材(11)的一面侧的粘着剂层(12)，将所述隐形切割用粘着片(1)经由所述粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，所述粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在0℃下的剪切力为30N/(3mm×20mm)以上、190N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)可通过冷扩展充分地扩大芯片间隔，可抑制从扩展状态的释放所造成的芯片碰撞。
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公开(公告)号：CN110073468A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201780067328.7
申请日：2017-10-24
Applicant: 琳得科株式会社
Inventor： 山下茂之
IPC: H01L21/301 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种切割片1，其至少具备基材2与层叠于基材2的第一面侧的粘着剂层3，基材2的第二面的算术平均粗糙度(Ra)为0.01μm以上、0.5μm以下，且基材2的第二面的最大高度粗糙度(Rz)为3μm以下。该切割片1具有适合于工件的高倍率摄像的光线透射性。
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公开(公告)号：CN108271381A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201780003864.0
申请日：2017-01-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , H01L21/304 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1，其至少具备基材10、半导体贴附层80、及剥离膜30，基材10的第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，在将基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302的界面上的剥离力设为α，并将在半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力设为β时，α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0，剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时、不容易发生粘连。
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