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公开(公告)号：CN109937245A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201780070366.8
申请日：2017-10-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , B32B7/02 , B32B27/00 , B32B27/30 , C09J11/06 , C09J133/06 , C09J133/14 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 本发明的半导体加工用粘合片依次具有基材、中间层及粘合剂层，其中，所述中间层是由中间层形成用组合物形成的层，并且所述粘合剂层为能量线固化性，所述中间层形成用组合物含有非能量线固化性的丙烯酸类聚合物(A)和重均分子量为5万～25万的能量线固化性的丙烯酸类聚合物(B)，能量线固化后的中间层和粘合剂层在23℃下的弹性模量差为20MPa以下。
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公开(公告)号：CN115141557A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210072213.X
申请日：2022-01-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J7/30 , C09J7/40 , C09J133/08 , C09J133/10 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜，其为能量射线固化性保护膜形成膜，所述保护膜形成膜含有不具有能量射线固化性基团的丙烯酸树脂(b)，所述丙烯酸树脂(b)具有衍生自4‑(甲基)丙烯酰基吗啉的结构单元，在所述丙烯酸树脂(b)中，所述衍生自4‑(甲基)丙烯酰基吗啉的结构单元的量相对于结构单元的总量的比例为10质量％以上，在所述保护膜形成膜中，所述丙烯酸树脂(b)的含量相对于所述保护膜形成膜的总质量的比例为8质量％以上。
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公开(公告)号：CN109312199B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201780034368.1
申请日：2017-06-22
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/50 , C09J7/30 , C09J133/06 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种半导体加工用粘合片，其具备基材和粘合剂层，所述粘合剂层设置在所述基材的一面上，且由粘合剂组合物形成，其中，所述粘合剂组合物含有：具有反应性官能团(A1)的聚合物(A)、具有与反应性官能团(A1)不同的反应性官能团(B1)及能量线聚合性基团(B2)的聚合物(B)、与反应性官能团(A1)反应的交联剂(C)、以及与反应性官能团(B1)反应的交联剂(D)。
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公开(公告)号：CN111868193A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980020566.1
申请日：2019-03-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/38 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 作为技术问题，本发明的目的在于，特别是在采用预切割法而制造微小的半导体芯片时，减少将芯片21从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印不良。此外，本发明的目的在于，改善将芯片从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印效率。作为解决手段，本发明提供一种粘着胶带10，所述粘着胶带10的特征在于，其优选被用作为上述背磨胶带，其包含基材11与设置在该基材11的一面的粘着剂层12，所述粘着剂层12由能量射线固化性粘着剂构成，照射能量射线而固化后的粘着剂的200℃下的储能模量E’200为1.5MPa以上。
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公开(公告)号：CN111868192A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980020459.9
申请日：2019-03-14
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/38 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/304
Abstract: 作为技术问题，本发明的目的在于，特别是在采用预切割法而制造微小的半导体芯片时，减少将芯片21从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印不良。此外，本发明的目的在于，改善将芯片从背磨胶带10转印至拾取胶带30或粘合胶带的转印效率。作为解决手段，本发明提供一种粘着胶带10，所述粘着胶带10的特征在于，其优选被用作为上述背磨胶带，其包含基材11与设置在该基材11的一面的粘着剂层12，所述粘着剂层12由能量射线固化性粘着剂构成，将硅晶圆镜面贴附于所述粘着剂层12后，对粘着剂层照射能量射线而进行固化，进一步在压力0.5N/cm2、210℃的条件下热压接5秒钟后的23℃下的粘着力为9.0N/25mm以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107207920A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007239.9
申请日：2016-01-12
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J121/00 , C09J133/00 , C09J175/04 , C09J201/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用粘合片，其在基材上依次具有中间层和粘合剂层，且满足(a)在频率1Hz下测定的50℃时的该中间层的损耗角正切为1.0以上、以及(b)在频率1Hz下测定的50℃时的该粘合剂层的储能模量A与该中间层的储能模量I之比[A/I]为1.8以下。
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公开(公告)号：CN112625275B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202011052837.2
申请日：2020-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , C08L33/08 , C08L63/00 , C08K13/06 , C08K9/04 , C08K3/36 , C08K7/18 , C08K3/08 , C08K5/544 , C08K3/04 , C08K5/00 , C08K5/3467 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/32 , B32B27/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于在芯片的背面形成保护膜，其中，利用保护膜的波长1400～1500nm下的吸光度的最大值Xmax与保护膜的150℃下的比热S150，并通过式：Z150＝Xmax/S150计算出的Z150为0.38以上，且利用所述Xmax与保护膜的200℃下的比热S200，并通过式：Z200＝Xmax/S200计算出的Z200为0.33以上。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成用膜。
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公开(公告)号：CN115141568A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210073715.4
申请日：2022-01-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/29 , C09J7/30 , C09J175/04 , C08G18/62 , C08G18/73 , C08G18/76 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种支撑片(10)，该支撑片(10)用于带树脂膜的芯片(901)的制造方法且在基材(11)上设置了粘着剂层(12)，粘着剂层(12)通过涂布含有具有羟基的丙烯酸树脂及异氰酸酯类交联剂的粘着剂组合物而形成，相对于所述丙烯酸树脂的1当量羟基，所述异氰酸酯类交联剂的掺合比例为0.07当量以上，所述异氰酸酯类交联剂含有甲苯二异氰酸酯及六亚甲基二异氰酸酯，相对于1质量份的甲苯二异氰酸酯，所述六亚甲基二异氰酸酯的掺合比例为0.3～4.0质量份。
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公开(公告)号：CN115124743A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210072759.5
申请日：2022-01-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , C08L75/14 , C08L33/00 , C08K3/36 , C09J7/24 , C09J7/38 , C09J133/00 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜，其为能量射线固化性的保护膜形成膜，所述保护膜形成膜含有不具有能量射线固化性基团的丙烯酸树脂(b)与无机填充材料(d)，所述丙烯酸树脂(b)的重均分子量为1100000以下，分散度大于3.0，在所述保护膜形成膜中，除所述无机填充材料(d)以外的成分的合计含量相对于所述无机填充材料(d)的含量的比例为40质量％以上。
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公开(公告)号：CN109312199A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780034368.1
申请日：2017-06-22
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/25 , C09J7/50 , C09J7/30 , C09J133/06 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种半导体加工用粘合片，其具备基材和粘合剂层，所述粘合剂层设置在所述基材的一面上，且由粘合剂组合物形成，其中，所述粘合剂组合物含有：具有反应性官能团(A1)的聚合物(A)、具有与反应性官能团(A1)不同的反应性官能团(B1)及能量线聚合性基团(B2)的聚合物(B)、与反应性官能团(A1)反应的交联剂(C)、以及与反应性官能团(B1)反应的交联剂(D)。
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