-
公开(公告)号：CN110753992A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201880040196.3
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/20 , C09J11/06 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在室温环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于基材(11)的一面侧的粘着剂层(12)，将隐形切割用粘着片(1)经由粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)的芯片清洗性优异。
-
公开(公告)号：CN108243616A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201780003861.7
申请日：2017-01-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , B32B27/00 , H01L21/304
CPC classification number: B32B27/00 , C09J7/20 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1，其至少具备：具有第一面101和第二面102的基材10、具有第一面801和第二面802的半导体贴附层80、及具有第一面301和第二面302的剥离膜30，第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，第二面302的算术平均粗糙度Ra大于0.05μm且为0.8μm以下，将第二面802与第一面301贴附且在40℃下保管3天后的、在第二面802与第一面301的界面上的剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时，不容易发生粘连。
-
公开(公告)号：CN110832620B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201880044028.1
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在‑20℃以上、10℃以下的环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在0℃下的剪切力为190N/(3mm×20mm)以上、400N/(3mm×20mm)以下。即使所得到的芯片尺寸小时，该隐形切割用粘着片1也可通过冷却扩展良好地将半导体晶圆单片化成芯片。
-
公开(公告)号：CN110809815B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201880043967.4
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , C09J7/20
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片1，其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆，在室温环境下切断并分离成各个芯片，其具备：基材11与层叠在所述基材11的一面的侧的粘着剂层12，经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时，粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为70N/(3mm×20mm)以上、250N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片1，即使在室温下进行扩展时，也可良好地将半导体晶圆单片化成芯片。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110753992B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201880040196.3
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J4/00 , C09J7/20 , C09J11/06 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在室温环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于基材(11)的一面侧的粘着剂层(12)，将隐形切割用粘着片(1)经由粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)的芯片清洗性优异。
-
公开(公告)号：CN108243615B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780003713.5
申请日：2017-01-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种半导体加工片，其具备基材膜、以及层叠于基材膜的至少一面侧的粘着剂层，其特征在于，基材膜含有氯乙烯类树脂和作为增塑剂的己二酸酯类增塑剂及对苯二甲酸酯类增塑剂，在基材膜中，己二酸酯类增塑剂的含量相对于己二酸酯类增塑剂及对苯二甲酸酯类增塑剂的合计含量的质量比率为50～80质量％。根据该半导体加工片，虽然使用邻苯二甲酸烷基酯的代替物质作为增塑剂，但也能够显示充分的柔软性、且能够在从被粘着物上剥离时抑制残渣物的产生。
-
公开(公告)号：CN110753993A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201880040197.8
申请日：2018-02-02
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1)，其至少用于在-20℃以上、10℃以下的环境下，将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片，所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于所述基材(11)的一面侧的粘着剂层(12)，将所述隐形切割用粘着片(1)经由所述粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时，所述粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在0℃下的剪切力为30N/(3mm×20mm)以上、190N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)可通过冷扩展充分地扩大芯片间隔，可抑制从扩展状态的释放所造成的芯片碰撞。
-
公开(公告)号：CN108271381A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201780003864.0
申请日：2017-01-05
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/20 , H01L21/304 , C09J201/00
CPC classification number: H01L21/304 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明提供一种半导体加工用片1，其至少具备基材10、半导体贴附层80、及剥离膜30，基材10的第一面101的算术平均粗糙度Ra为0.01～0.8μm，在将基材10的第一面101与剥离膜30的第二面302的界面上的剥离力设为α，并将在半导体贴附层80的第二面802与剥离膜30的第一面301的界面上的剥离力设为β时，α比β的比值(α/β)为0以上且小于1.0，剥离力β为10～1000mN/50mm。该半导体加工用片1在具有优异的光线透射性的同时、不容易发生粘连。
-
公开(公告)号：CN106795396A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580047960.6
申请日：2015-11-27
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/10 , H01L21/301
CPC classification number: C09J133/10 , C09J7/20
Abstract: 本发明提供一种粘着片，其中，所述粘着片用于对板状构件照射激光形成改性部，将所述板状构件分割后芯片化，具有基材和设置于所述基材的一个面上的粘着剂层，所述基材对于所述一个面以及所述一个面的相反侧的一面这两个面，于JIS B0601:2013(ISO 4287:1997)所规定的算术平均粗糙度Ra为0.01μm以上、0.2μm以下，所述粘着剂层的厚度为2μm以上、12μm以下。该粘着片被使用于利用激光的切割工序中时，难以产生缺陷且具有优异的拾取性。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.023 seconds)
