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公开(公告)号：CN113394278A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010167943.9
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本公开提供一种逆导型IGBT及其制备方法。该逆导型IGBT包括第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；其中,所述漂移层包括元胞区和位于所述元胞区周围的终端区，所述终端区包括设置于所述漂移层表面内的第一导电类型截止环区和位于所述元胞区与所述截止环区之间的第二导电类型JTE区；位于所述衬底下方的第二导电类型集电区和与所述集电区相邻接的第一导电类型短路区；其中，所述短路区与所述JTE区对齐，以使所述JTE区、所述漂移层、所述衬底和所述短路区构成快速恢复二极管。该结构使得元胞区的背面即元胞区对应的衬底下方全是集电极区，有效的抑制了逆导型IGBT的回跳现象，而且可另外采用局域寿命控制的方法进行二极管参数的优化。
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公开(公告)号：CN113053750A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911375713.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开提供了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域，所述方法包括：在衬底上依次形成叠置的多个外延层，每个外延层和所述衬底具有第一导电类型，每个外延层包括掺杂区，相邻的外延层中的所述掺杂区彼此邻接，其中：形成每个外延层包括：对外延层进行掺杂以形成初始掺杂区，所述初始掺杂区具有与第一导电类型不同的第二导电类型；执行退火，以使得所述初始掺杂区变为中间掺杂区；对所述中间掺杂区的边缘部分进行刻蚀，以形成贯穿所述中间掺杂区的沟槽，所述中间掺杂区的剩余部分作为所述掺杂区；和在所述沟槽中形成填充材料。
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公开(公告)号：CN112447832A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910803935.6
申请日：2019-08-28
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , G01K7/16 , G01K1/14
Abstract: 本发明涉及检测的技术领域，公开一种半导体功率器件及制备方法，该半导体功率器件，包括：衬底、形成于衬底内的结构层、形成于衬底一侧表面的金属连接层；其中：衬底包括沿衬底厚度方向排列的P型层和位于P型层背离金属连接层一侧的N型层以形成P‑N结，衬底形成有开口位于P型层背离N型层一侧表面的电阻沟槽；金属连接层包括测温电阻引出端；结构层包括测温电阻，测温电阻位于电阻沟槽内，测温电阻朝向金属连接层的一端与测温电阻引出端连接、且远离金属连接层的一端伸入至N型层内，且测温电阻与P型层和N型层之间绝缘，能够解决现有技术中对功率器件工作时温度不准确的技术问题。
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公开(公告)号：CN111834336A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910321865.0
申请日：2019-04-22
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片及其制备方法、IPM模块，IGBT芯片，包括衬底，衬底上设置截止环，衬底上表面分别设置第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘，第一发射极焊盘、第二发射极焊盘和栅极焊盘在截止环内侧，截止环外侧的衬底上设置热敏电阻，热敏电阻在IGBT芯片的制备过程中直接集成到衬底上；IGBT芯片的制备方法，在氧化物层淀积之后和氧化物层刻蚀之前，还包括热敏电阻材料层淀积和热敏电阻材料层刻蚀步骤；IPM模块，包括基板，在基板上设有IGBT芯片、FRD芯片和控制电路，IGBT芯片为集成有热敏电阻的IGBT芯片。本发明所述的IGBT芯片，将热敏电阻直接集成在IGBT上，热敏电阻能够直接采集IGBT芯片的温度，大大提升采样温度的准确性。
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公开(公告)号：CN114256066B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202011005223.9
申请日：2020-09-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/203 , H01L21/324 , H10D12/00 , H10D62/10
Abstract: 本申请公开了一种少子寿命控制方法，应用于第一硅晶片，第一硅晶片属于RC‑IGBT，方法包括：向第一硅晶片注入第一离子，得到P型半导体；在P型半导体上淀积阻隔层；从阻隔层上刻蚀出第一区域，并将第一区域作为续流二极管区域，第一区域不具有阻隔层；向第一区域注入第二离子，以在第一区域上形成N型半导体；对形成N型半导体的第一区域进行重金属溅射；采用第一热处理方式，对包含经过重金属溅射的第一区域的所述第一硅晶片进行热处理，以使重金属在第一硅晶片中形成复合中心。由于复合中心可以改变第一硅晶片中少子的复合方式，将少子的复合方式由直接复合变为间接复合，因此，可以有效地减少少子的复合时间从而降低续流二极管的反向恢复时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113394277A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202010165425.3
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本公开提供沟槽栅IGBT的元胞结构、其制备方法及沟槽栅IGBT，所述元胞结构包括第一导电类型衬底；位于所述衬底上方的第一导电类型漂移层；位于所述漂移层内并位于所述元胞结构中心位置的第一沟槽栅和贯穿所述第一沟槽栅的第二沟槽栅；位于所述漂移层上方的发射极金属层；其中，所述第一沟槽栅通过第一连接孔连接至所述发射极金属层，所述第二沟槽栅与所述发射极金属层之间通过层间介质层隔离。在不改变元胞面积的情况下，通过将真假栅极整合在一个元胞中，解决了假栅极导致的芯片面积增大的问题。不仅不会影响沟槽之间的间距和导电沟道，而且增加了发射极接触面积，改善了电导调制效应，在阻断电压不变的同时使导通压降下降。
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公开(公告)号：CN113140623A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010060419.1
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 涉及半导体技术领域，本申请提供了一种功率半导体芯片，所述芯片呈矩形，所述芯片包括基材与栅极布线；所述基材内具有多个元胞；所述栅极布线包括栅极焊盘以及多个栅极引线，多个所述栅极引线由所述栅极焊盘向所述芯片的各个角延伸，所述栅极引线分别连接于多个所述元胞的栅极。拥有更短的导通时间，降低了器件的开通时间，提升了芯片的开启性能，降低了器件的开通损耗。改善了外围栅极布线方式，降低了栅极电阻等参数。
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公开(公告)号：CN113140456A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202010060417.2
申请日：2020-01-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/321 , H01L29/739
Abstract: 涉及半导体技术领域，本申请提供一种功率半导体芯片及其制备方法，所述一种功率半导体芯片制备方法，包括：在半导体基材正面形成第一金属层，在所述第一金属层上形成金属连接层，回刻平坦化处理所述金属连接层，在所述金属连接层上形成第二金属层，对得到的所述半导体正面金属做金属合金成型处理，本申请还包括所述功率半导体芯片制备方法制备的半导体芯片。相较于现有技术，本申请的技术方案可改善现有技术中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致与引线连接时的正面金属层脱落现象，同时改进传统和结构中半导体器件或芯片正面金属层凹凸不平导致性差异，进而提高半导体整体性能的可靠性。
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公开(公告)号：CN212033027U
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202020302696.4
申请日：2020-03-12
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种平电场沟槽功率半导体芯片终端结构及半导体芯片，所述芯片终端结构包括：位于N型衬底之上的P区和P+区，位于N型衬底的上表面的凹型沟槽，位于沟槽的底部及N型衬底表面的氧化层，位于氧化层之上的多晶硅栅极，位于多晶硅栅极及未被所述多晶硅栅极覆盖的氧化层表面之上的绝缘层，位于绝缘层之上的金属场板，位于金属场板及未被金属场板覆盖的绝缘层之上的钝化层，位于N型衬底之下的金属层。本实用新型的终端结构改进注入区域结构、多晶刻蚀结构及金属刻蚀结构，设置了平电场沟槽结构，使芯片的表面电场分布更加均匀，提升了芯片的耐压性能，增强了芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210866185U
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201921806520.6
申请日：2019-10-24
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本实用新型提供了一种半导体终端结构及半导体结构，涉及半导体技术领域。半导体终端结构包括衬底层以及设置于所述衬底层上的外延层；所述外延层上形成有多个结终端拓展结构，所述结终端拓展结构向所述衬底层的方向延伸，且多个所述结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减。本申请中设置于外延层上的多个结终端拓展结构延伸的距离沿预设方向递减，延伸的距离与所具有的离子浓度相关联，得到的各结终端拓展结构的浓度递减，因此形成不同的浓度梯度递进变化的结终端拓展结构，浓度梯度的渐变效果好。
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