公开(公告)号：CN115020498A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110834993.2

申请日：2021-07-23

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚株式会社

Inventor： 千大焕 ,  朴正熙 ,  洪埩熀 ,  郑永均 ,  周洛龙

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/45 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 一种肖特基势垒二极管，包括：n+型衬底；n‑型外延层，设置在n+型衬底的第一表面上并具有在面对n+型衬底的表面的相对侧开口的沟槽；p型区域，设置在沟槽的侧面上；肖特基电极，设置在n‑型外延层上并位于沟槽内；以及欧姆电极，设置在n+型衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN108010957A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201710102089.6

申请日：2017-02-24

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的示例性实施例的半导体器件包括：电流施加区；和布置在电流施加区的端部的端接区。所述端接区包括：布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n-型层；布置在n-型层中的p型端接结构；和布置在p型端接结构上，以致与p型端接结构重叠的下栅极流道。

公开(公告)号：CN107958936B

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN201710119656.9

申请日：2017-03-02

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括n+型碳化硅基板、n‑型层、n型层、多个沟槽、p型区域、n+型区域、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、漏电极和沟道。多个沟槽被布置为平面矩阵形状。n+型区域被布置为具有开口的平面网格类型、围绕沟槽中的每一个、并且在平面对角线方向上彼此相邻的沟槽之间与源电极接触。p型区域被布置在平面网格类型的n+型区域的开口中。

公开(公告)号：CN113871452A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111138971.9

申请日：2016-11-22

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了半导体器件。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN107579121A

公开(公告)日：2018-01-12

申请号：CN201611149881.9

申请日：2016-12-13

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/046 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/08 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

Abstract: 本公开提供了肖特基势垒二极管及其制造方法。根据本公开示范性实施方式的肖特基势垒二极管包括：设置在n+型碳化硅基底的第一表面上的n-型层；设置在n-型层上的p+型区域和p型区域，p+型区域和p型区域相互分离；设置在n-型层、p+型区域和p型区域上的阳极；以及设置在n+型碳化硅基底的第二表面上的阴极，其中p型区域有多个，在平面上具有六角形形状，并且以矩阵形状设置，以及设置在p+型区域和p型区域之间的n-型层在平面上具有六角形形状而且围绕p型区域。

公开(公告)号：CN106876390A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610561758.1

申请日：2016-07-15

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8222

CPC classification number: H01L29/7805 ,  H01L21/047 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L27/0635 ,  H01L21/8222

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。该器件包括具有设置在n+型碳化硅衬底的第一表面中的沟槽的n‑型层。n+型区和第一p型区设置在n‑型层和沟槽的侧面处。多个第二p型区设置在n‑型层处并与第一p型区隔开。栅极包括分别设置在沟槽处的第一栅极和从第一栅极延伸的多个第二栅极。源极设置在栅极上并与其绝缘。漏极设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。源极接触彼此隔开的多个第二p型区，在第二p型区中设置有n‑型层。

公开(公告)号：CN114695537A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111403740.6

申请日：2021-11-24

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  起亚株式会社

Inventor： 朴正熙 ,  千大焕 ,  洪埩熀 ,  郑永均 ,  周洛龙

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件，包括：在衬底的第一表面上的n‑型层、在n‑型层的一部分上的p型区、在n‑型层和p型区上的栅极、在栅极上的第一栅极保护层和在第一栅极保护层上的第二栅极保护层、在第二栅极保护层和p型区上的源极，以及在衬底的第二表面上的漏极。

公开(公告)号：CN107579109B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201611031572.1

申请日：2016-11-22

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 周洛龙 ,  郑永均 ,  朴正熙 ,  李钟锡 ,  千大焕

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包含：n‑型层，布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，形成在n‑型层中并且彼此分离；n+型区，布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第一沟槽内；源极绝缘层，布置在第二沟槽内；栅极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅极上；源极，布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上；以及漏极，布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。

公开(公告)号：CN107958936A

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201710119656.9

申请日：2017-03-02

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/30604 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/1033

Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括n+型碳化硅基板、n-型层、n型层、多个沟槽、p型区域、n+型区域、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、漏电极和沟道。多个沟槽被布置为平面矩阵形状。n+型区域被布置为具有开口的平面网格类型、围绕沟槽中的每一个、并且在平面对角线方向上彼此相邻的沟槽之间与源电极接触。p型区域被布置在平面网格类型的n+型区域的开口中。

公开(公告)号：CN107026203A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201610983600.3

申请日：2016-11-09

Applicant: 现代自动车株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  周洛龙 ,  朴正熙 ,  李钟锡

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7827 ,  H01L21/0445 ,  H01L29/66068

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：第一n‑型层和第二n‑型层，顺次布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一沟槽和第二沟槽，布置在第二n‑型层处并且彼此分隔开；p型区域，围绕第一沟槽的侧表面和下表面；n+型区域，布置在p型区域和第二n‑型层上；栅极绝缘层，布置在第二沟槽中；栅电极，布置在栅极绝缘层上；氧化层，布置在栅电极上；源电极，布置在氧化层和n+型区域上且布置在第一沟槽中；以及漏极，布置在n+型碳化硅基板的第二表面处。