一种固态电解质的应用
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114695950A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202111437949.4

    申请日:2021-11-30

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种固态电解质的应用:特别涉及一种固态电解质石榴石型LLZO作为电解质材料应用到高温一次电池中,实现高比能量大电流放电应用,属于电化学技术领域。本发明将LLZO用作高温电池的电解质材料,所述高温一次电池放电体系由正极,负极和LLZO电解质等部分组成。本发明固态电解质LLZO高温下离子电导率大于0.1Scm‑1,电流密度可为100~500mA cm‑2;放电温度范围宽,为180~800℃。本发明将固态电解质石榴石型LLZO粉体不与导电添加剂混合,直接用做固态电解质;实现固态电解质高比能量大电流放电能力。本发明所涉及的应用,其应用领域包括热电池、锂原电池、高温熔盐中的至少一种。

    一种低温合成的NiCl2粉末及应用

    公开(公告)号:CN113955814A

    公开(公告)日:2022-01-21

    申请号:CN202111448816.7

    申请日:2021-11-30

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种低温合成的NiCl2粉末及应用,属于粉体制备技术领域。所述低温合成的NiCl2粉末是以水合氯化镍为原料;将原料和萃取助剂在有机溶剂中混合均匀后干燥,随后在280‑550℃煅烧即可得到;所述萃取助剂为过渡金属元素的氯化物。本发明首次实现了在低温条件下制备出了纯相NiCl2。其涉及的制备工艺周期短,能耗低,成本低廉。本发明所设计和制备的产品,其应用领域包括热电池、超级电容器、锂离子电池、钠离子电池中的至少一种。

    一种银钼合金薄膜及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN113073245A

    公开(公告)日:2021-07-06

    申请号:CN202110313669.6

    申请日:2021-03-24

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明提供了一种银钼合金薄膜及其制备方法与应用,所述薄膜中包括纯银相和银固溶于钼的固溶体相。采用双靶聚焦共沉积法在任意无机材料衬底上制备得到银钼合金薄膜,薄膜中由于钼的存在,使其具有高的硬度;由于纯银相的存在,使其具有良好的导电性,同时银还可以作为软质润滑相,提高材料的摩擦学性能。通过在一种廉价、适宜的电接触材料表面涂覆一层银钼合金薄膜,既可以节约成本,又可以发挥薄膜的导电、耐磨和抗电蚀性能。还可用于电磁炮轨道涂层、抗极端高温(2000℃以上)的“发汗”材料以及银/钼复合互连材料的过渡层。

    一种碳化硅包覆金刚石复合材料的制备方法及金刚石/铝复合材料

    公开(公告)号:CN111732100A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010608324.9

    申请日:2020-06-30

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种碳化硅包覆金刚石复合材料的制备方法及金刚石/铝复合材料,本发明首次在1000℃以下的较低温度条件下,通过化学反应在金刚石表面合成碳化硅镀层。其制备方法包括以下步骤:采用薄膜沉积技术在金刚石表面沉积金属铝薄膜;在制得的样品表面继续沉积硅薄膜,获得双镀层金刚石;对制备得到的双镀层金刚石进行真空热处理;(4)冷却至室温后,即可得到表面均匀包覆碳化硅镀层的碳化硅包覆金刚石复合材料。本发明合成的碳化硅包覆金刚石复合材料的碳化硅膜层均匀、连续,通过化学结合包覆于金刚石表面,与金刚石衬底有良好的界面粘接性能,可用于高导热、耐磨金刚石复合材料的研制。

    一种碳化硅包覆金刚石复合粉末的低温合成方法及应用

    公开(公告)号:CN111730054A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010608297.5

    申请日:2020-06-30

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种碳化硅包覆金刚石复合粉末的低温合成方法及应用。碳化硅包覆金刚石复合粉末是由铝粉、硅粉、金刚石颗粒机械混合后在温度不高于1000℃的条件下形成。其具体合成方法为:首先将铝粉、硅粉与金刚石颗粒均匀混合,放入真空管式炉中,在不高于1000℃的条件下,保温0.5-3小时,通过快速降温即可在金刚石表面获得碳化硅包覆层,然后用NaOH溶液清洗掉未反应的铝粉、硅粉,经筛分便可得到碳化硅包覆金刚石复合粉末;将该方法获得的碳化硅包覆金刚石复合粉末应用于制备金刚石/铝基合材料,提高了复合材料的热导率,又抑制界面处碳化铝相的形成,提升了金刚石/铝复合材料在潮湿环境下的使役稳定性。

    一种二硫化镍-碳复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108390044B

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201810189138.9

    申请日:2018-03-08

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明公开了一种二硫化镍‑碳复合材料及其制备方法和应用。所述二硫化镍‑碳复合材料为颗粒状,主要由二硫化镍‑碳微米颗粒组成,所述二硫化镍‑碳微米颗粒由碳和多个二硫化镍‑碳纳米颗粒聚集而成,二硫化镍‑碳纳米颗粒由二硫化镍纳米粒子和包覆在二硫化镍纳米粒子表面的碳组成。该材料性能好,热稳定好,用作热电池正极,可防止放电产物Ni单质向电解质迁移,提高放电稳定性和电池安全性。

    一种耐磨δ-TaN薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108977767B

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201811021251.2

    申请日:2018-09-03

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种耐磨δ‑TaN薄膜及其制备方法和应用;属于耐磨材料设计制备技术领域。所述δ‑TaN薄膜的织构系数I(200)/[I(200)+I(111)]为0.2~0.8;所述薄膜的晶体结构为NaCl晶型的δ‑TaN。所述薄膜中,Ta/N的原子比约为0.72~1.33。其制备方法为:采用射频反应磁控溅射,以氮气和氩气作为工作气体、以钽靶为钽源,固定氮气和氩气的流量比;通过改变工作气压和/或钽靶功率来调控薄膜晶粒织构系数。所得薄膜的应用包括用作切割设备、电子封装的扩散阻挡层等。本发明开创了一种全新的调控薄膜晶粒织构系数的方法;所得产品性能优良,便于高精度、大规模的产生和应用。

    一种耐磨δ-TaN薄膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108977767A

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201811021251.2

    申请日:2018-09-03

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种耐磨δ-TaN薄膜及其制备方法和应用;属于耐磨材料设计制备技术领域。所述δ-TaN薄膜的织构系数I(200)/[I(200)+I(111)]为0.2~0.8;所述薄膜的晶体结构为NaCl晶型的δ-TaN。所述薄膜中,Ta/N的原子比约为0.72~1.33。其制备方法为:采用射频反应磁控溅射,以氮气和氩气作为工作气体、以钽靶为钽源,固定氮气和氩气的流量比;通过改变工作气压和/或钽靶功率来调控薄膜晶粒织构系数。所得薄膜的应用包括用作切割设备、电子封装的扩散阻挡层等。本发明开创了一种全新的调控薄膜晶粒织构系数的方法;所得产品性能优良,便于高精度、大规模的产生和应用。

    一种非晶Cu-Ta纳米多层膜及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108914072A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810608107.2

    申请日:2018-06-13

    Applicant: 湖南大学

    Abstract: 本发明涉及一种非晶Cu-Ta纳米多层膜及其制备方法和应用。所述纳米多层膜由两种不同结构的非晶层交替叠加形成;任意一非晶层中同时含有Cu和Ta。所述纳米多层膜中,相接触的两种不同结构的非晶层成分连续过渡。其制备方法为:首先以纯Cu、纯Ta作为靶材;选择衬底;将靶材固定于靶头上,调整两靶的高度及角度使两靶中心聚焦于样品台的中心;将衬底放置于样品台的设定位置上;然后抽真空,通入保护气体;通过磁控溅射聚焦共沉积法在衬底上沉积薄膜;沉积薄膜时,转动样品台;得到设定结构的Cu-Ta非晶纳米多层膜。本发明所设计和制备的产品,其应用领域包括将其用于材料表面抗摩擦磨损防护、固体润滑、电子封装扩散阻挡层、热电界面中的至少一种。

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