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公开(公告)号：CN116306857B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310558303.4
申请日：2023-05-18
Abstract: 本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN116382624A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310390694.3
申请日：2023-04-13
Abstract: 本申请属于加法器技术领域，提供了一种有限域加法器电路及集成电路，采用高频小信号作为激励，利用忆阻低通滤波器实现信号相位的调制，通过级联即可实现各个忆阻器的阻值映射到相位上的加法。由于相位本身的周期性，基于相位的加法可自然实现有限域的循环特性，而无需在相加之后判断其大小再做减法，这使得其电路结构更为简化，可应用于计算机编码、密码学以及神经元电路等相关领域的应用研究，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN116306857A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310558303.4
申请日：2023-05-18
Abstract: 本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电压相距较远，且触发脉冲发放需要两个检测脉冲按先后顺序在一定时间内成对出现，可以有效避免由于干扰或膜电位在所设置的基准电压附近波动而导致的脉冲少发或误发现象。该神经元激活状态识别和激活脉冲发放电路能够即时、准确地发放标准脉冲激活信号，为大规模多层脉冲神经网络的层间信号匹配与脉冲神经网络和各功能模块间的信号交互提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN115879530B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310186971.9
申请日：2023-03-02
IPC: G06N3/08 , G06N3/0464 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种面向RRAM存内计算系统阵列结构优化的方法，主要是利用后训练量化算法中的相应公式对基于RRAM的存内计算系统阵列结构进行优化处理，在保证计算准确率和精度的情况下，减小阵列面积，降低系统功耗。本发明的有益效果是：本发明适配于多层感知机和卷积神经网络等多种神经网络，在相同计算情况下，通过减半1T1R阵列规模，有效减少系统面积、降低系统能耗，提升系统计算效率，结合RRAM器件制备工艺不够成熟的现状，更适用于商业化落地；本发明在CNN卷积层的卷积核数量增多的情况下，阵列规模是常规技术的一半，但额外添加计算XZWQ和XQWZ的乘法器数量保持不变，系统总体性能优势十分显著。
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公开(公告)号：CN112397648B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202011442707.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 湖北大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明提供了一种基于钛掺杂的氧化铌选通管及其制备方法，该选通管包括：底电极；转换层，位于所述底电极一侧表面；顶电极，位于所述转换层远离所述底电极一侧表面；其中，所述转换层的材料为钛掺杂的氧化铌。未掺杂钛的氧化铌选通管相比于本发明，需要在选通管上外加‑5.15V的Forming电压，只有经过Forming过程选通管才能表现出阈值转变的性能。本发明的基于钛掺杂的氧化铌选通管，不需要Forming过程就可以直接表现出阈值转变的性能，具有Forming‑free的特性，可以极大地缓解外围电路的设计压力，并保护器件免受大电压的破坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115000429A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210365231.7
申请日：2022-04-07
Abstract: 本发明公开了一种LNCAF电极材料、燃料电池及其制备方法，所述制备方法包括：将满足摩尔比为Li:Ni:Co:Al:F＝1:0.8:0.15:0.05:0.2或1:0.8:0.15:0.05:0.1的原料Co3O4、Al2O3、LiOH·H2O、Ni(OH)2、NiF2进行研磨，得到混合粉体；将混合粉体在500～600℃进行4～6小时第一次煅烧，煅烧后再次研磨为粉体；将煅烧后研磨得到的粉体在800～900℃进行4～6小时第二次煅烧，得到所述LNCAF电极材料，该电极材料在中低温下具有良好催化活性，所得燃料电池的操作温度可降低至550℃，同时该电极材料与燃料电池各组件间的化学相容性好。
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公开(公告)号：CN114975079A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210355105.3
申请日：2022-03-31
Abstract: 本发明提供了一种超临界流体处理氧化铌选通管的方法，包括以下步骤：将氧化铌选通管置于反应腔体内，向所述反应腔体内加入水；向所述反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为380～424K，反应时间为1～2h。本发明的超临界流体处理氧化铌选通管的方法，采用超临界二氧化碳流体技术，以水为反应物，对已制备好的掺钛氧化铌选通管进行处理，成功降低了器件的OFF态电流，大幅提高了选通比，为器件的进一步集成和运用提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN109638164B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201811543868.0
申请日：2018-12-17
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种水处理SnO2薄膜及其钙钛矿太阳能电池的制备方法。本发明的水处理SnO2薄膜的制备步骤为：在导电基底表面旋涂一层去离子水，接着旋涂一层SnO2胶体水溶液，并在70～200℃条件下退火30min制得。本发明的钙钛矿太阳能电池是在水处理SnO2薄膜表面旋涂钙钛矿溶液，经退火处理，得到钙钛矿薄膜，再在钙钛矿薄膜表面依次旋涂空穴传输层和蒸镀金属电极。本发明制备工艺简单，环境友好，成本低廉，稳定性好，制得的SnO2薄膜表现出优异的致密性和平整性，同时将其应用在正型平面三元混合钙钛矿电池中获得了21.39％的光电转化效率，为低成本制备平面钙钛矿太阳能电池走向商业化提供了可能。
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公开(公告)号：CN114864832A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210505418.2
申请日：2022-05-10
Abstract: 本申请属于太阳能电池技术领域，提供了一种CuxO空穴传输层的低温制备方法及钙钛矿太阳能电池，首先将十二烷基苯磺酸钠溶解在第一溶剂内得到第一溶液，将第一溶液与铜盐溶液均匀混合形成第二溶液，然而在第二溶液中加入氢氧化物溶液得到第三溶液，在第三溶液中加入还原剂均匀混合后得到第四溶液；其中，十二烷基苯磺酸钠、铜盐、氢氧化物、还原剂的摩尔比为1000：1：x：34，4≤x≤9；最后对第四溶液进行恒温陈化处理得到第五溶液，将第五溶液旋涂在基底上，并退火处理形成空穴传输层，可以避免空穴传输层的制备过程中容易引入杂质缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN112952088B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202110212580.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 湖北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池阴极储能材料技术领域。本发明以碳布为基底，将碳布预处理后置于配有适当比例的金属盐、锰盐和尿素的反应釜内胆的混合溶液中，并将碳布用聚四氟乙烯板固定，最后将反应釜装置放入干燥箱中进行水热反应，其中：反应温度设置为100～180℃，反应时间设置为16～24h，反应完成后清洗干净并干燥即可。本发明的金属掺杂碳酸锰后，形貌发生改变，在提高结构的稳定性同时，增大了反应过程的表面积，也提升了其能量密度。此外，本发明制备的电极材料在电池充放电过程中对进入阴极材料内部嵌入脱嵌的锌离子的静电作用力减少，电导率增大，提升了电池的电化学性能。
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