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公开(公告)号：CN113067564A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202110349739.3
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/08
Abstract: 本发明公开了一种高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，该电路包括：高精度输入信号接收电路、数字控制电路、调制发送电路、隔离电路、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高效率输出驱动电路、发送端低压产生电路、接收端低压产生电路和芯片状态监测电路。本发明所提供的高效率绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，首先，采用高压电容绝缘隔离技术，可实现高耐压的前提下，提高信号处理速度；其次，可以根据负载大小和输入控制脉冲的频率自适应调整驱动电流，从而最大程度上提高驱动电路的电源效率；另外，采用高精度输入信号接收电路，提高信号输入可靠性。本发明可以广泛应用于驱动各类高压SiC MOSFET和IGBT器件。
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公开(公告)号：CN112609242A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011417405.7
申请日：2020-12-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓单晶生长装置，具体涉及单晶生长设备技术领域，包括底座、壳体、加热阻丝和塞盖，底座的顶端固定连接有壳体，所述壳体内部的顶端固定连接有筒体，且筒体内部与壳体顶端之间的两侧分别设置有升降结构，所述壳体顶端的一侧设置有排气结构，所述加热台的顶端固定连接有坩埚，且坩埚与壳体的一侧之间分别设置有进料结构。本发明通过在筒体与壳体之间的两侧分别设置有遮挡结构，以升降结构将网框抬升至筒体的内部后，轻旋空心筒内部的活动杆便可以限位块将在弹簧轴作用下朝外翻转的挡板压入筒体的内部，而后再以卡块对活动杆的顶部进行限位即可对网框内部的晶粒进行保存，其冷却效率亦得到一定程度的提升。
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公开(公告)号：CN112584607A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011419622.X
申请日：2020-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓半导体器件，具体涉及半导体技术领域，包括器件主体，所述器件主体的内壁上设置有防水结构，所述器件主体内部的四周设置有加强结构，所述器件主体内部的一端固定连接有电路板，所述器件主体的顶端固定连接有四组连接块，所述器件主体内部的底端固定连接有放置座。本发明通过设置有内层体、加强板、中层体和连接座，使用时，器件主体的内部设置有中层体和内层体，中层体和内层体形成双层的结构，增加了器件主体的结构强度，并且在中层体和内层体之间通过连接座横向设置有加强板，加强了结构的强度，加强板和连接座连接在一起，结构稳定，避免在使用过程中发生脱落，增加了器件的使用效果。
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公开(公告)号：CN112104370A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011022536.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03M1/34
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种高精度模数转换器转换速度提升电路，该电路包括：信号输入电路、高精度ADC内核、高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路、数据求和电路以及数字校准电路。本发明所述高精度模数转换器转换速度提升电路采用微分信号处理技术，在传统中速高精度ADC内核基础上增加了输入模拟信号跟踪量化电路，实现模拟信号的高速跟随和量化，达到提升ADC转换速率的目的。所述模拟信号跟踪量化电路仅包括高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路以及数据求和电路，在不需要成倍增加硬件和功耗开销的条件下，快速提升ADC转换速度，具有低成本优势。
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公开(公告)号：CN119716480A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411892202.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多点采集的芯片高低温试验方法，具体包括如下步骤：步骤一：采用动态温控阵列对芯片温度进行实时数据分析，并调整温控单元的工作状态；步骤二：构件三维温度监测网络，在芯片表面及周围的三维空间中部署多个高精度温度传感器，实时捕捉温度的空间分布和变化，并将三维温度数据导入可视化软件中，生成实时的三维温度分布图；通过智能控制和自适应调整，实现了局部温度的精确控制，有效解决了温度不稳定性的问题，提高了测试的准确性和可靠性，同时构建了全方位的温度监测体系，能够实时捕捉温度的空间分布和变化，为识别和修正温度不均匀性提供了有力支持，并且避免了温度传感器与芯片直接接触导致的测温误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119596113A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411819789.3
申请日：2024-12-11
Applicant: 无锡芯力为半导体设备有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了基于高温环境的碳化硅集成电路可靠性测试方法及系统，具体包括如下步骤：步骤一：构建多应力条件综合测试平台；步骤二：制定包含多应力条件的测试标准；步骤三：优化样品处理与测试夹具设计，针对碳化硅集成电路的特点，设计合适的测试夹具，确保样品在测试过程中不会受到损坏或性能下降；通过实施构建多应力条件综合测试平台、制定包含多应力条件的测试标准、优化样品处理与测试夹具设计、提升测试设备精度与校准频率以及建立持续监测与反馈机制一系列具体且融入公式的步骤，综合提升碳化硅集成电路在高温环境下的可靠性测试水平，确保测试结果的准确性和可靠性，为碳化硅集成电路的可靠性评估提供统一标准和有力支持。
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公开(公告)号：CN117076384B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311315720.2
申请日：2023-10-12
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院 , 上海航天计算机技术研究所
Abstract: 本发明提供了一计算装置、存内计算加速系统，可以应用于可重构技术领域。计算装置包括多个计算核模块，计算核模块包括：核内控制器单元、开关阵列单元、存算单元组、第一驱动单元组、第一计算单元组、第二驱动单元组以及第二计算单元组，核内控制器单元用于根据配置信息，向开关阵列单元发送第一连接指令，向存算单元组发送第二连接指令，开关阵列单元用于执行第一连接指令，第一驱动单元组和第二驱动单元组用于按列或行驱动存算单元组，存算单元组用于执行第二连接指令，并执行存内计算得到存内计算结果，第一计算单元组和第二计算单元组用于对存内计算结果执行预设计算操作得到计算结果，可支持多种算法和神经网络算子。
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公开(公告)号：CN117053926A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311069626.3
申请日：2023-08-24
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明属于氮化镓器件测试领域，具体为一种氮化镓器件测温监控装置及方法，包括工作架和导气管，所述工作架上螺栓安装有安装板，所述安装板内转动连接有蜗杆，所述蜗杆上啮合连接有蜗轮，所述蜗轮上固定连接有转动轴，所述转动轴的顶端转动连接在安装板的内部顶端面上，所述转动轴的底端固定连接有转盘，所述转盘的底端面上安装有烟雾传感器，所述转盘上安装有隔断防护组件，解决了现有的监控装置功能性较为单一，只能够进行简单的摄像监控工作，氮化镓器件在测试过程中，出现过热或短路导致起火时，现有的监控装置不能够及时对氮化镓器件进行自动隔离灭火处理，因此火焰极易对周围设备造成二次损坏，实用性和安全性较差的问题。
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公开(公告)号：CN116755017A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310980901.0
申请日：2023-08-07
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体测试机校准装置及其测试校准方法，涉及半导体测试机技术领域。其包括测试台，测试台的侧面安装有控制机箱，测试台表面的边缘处设置有测试仪，测试台的内部设置有校准机构，测试台表面的中间位置设有底座，校准机构与底座的下表面连接，且校准机构与控制机箱之间信号连接，底座的表面嵌入有置物板，底座的两侧设有距离传感器。本发明解决了现有技术中无校准功能的问题，本发明通过测试仪对半导体件测试，半导体件放置在底座上的置物板中，而距离传感器可对底座的位置进行实时检测，判断底座的位置是否发生位移，若底座偏离出预先设置的距离范围，则通过控制模块驱动控制机箱控制校准机构对底座的位置进行校准。
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公开(公告)号：CN116754917A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310805466.8
申请日：2023-07-03
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件位移损伤等级测试系统及方法，属于氮化镓器件测试技术领域。本发明解决了现有氮化镓器件经中子辐照后产生位移损伤影响性能的问题，通过对未质子辐照的氮化镓器件进行电学性能测试，再将氮化镓器件连接在PCB测试板上，使用激光准直器以使靶室中心对准待测试氮化镓器件进行质子辐照；再对质子辐照后的氮化镓器件进行电学性能测试，并将两轮测试结果与预设参考值进行对比，有效对比出氮化镓器件在质子辐照后和未质子辐照前的电学性能结果与参考值的差距，进而获得氮化镓器件位移损伤等级结果；从而在氮化镓器件遭受同等辐照，有效预判出产生位移损伤程度，进而可提前布施检修方法，避免影响使用效率与使用寿命。
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