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公开(公告)号：CN100356148C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510011172.X
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01J1/42
Abstract: 基于无序多壁碳纳米管的红外激光功率探测器，该探测器包括一片由多壁碳纳米管粉末压成的薄片和一金属基片，即把多壁碳纳米管薄片的一面与金属基片紧密接触，另一面覆以金属导电薄膜。工作时，先把金属导电薄膜和金属基片分别用导线和外电路测量仪表相连接，然后将被测红外激光入射到金属导电薄膜的表面，这样，随着入射光强的变化，电路中将产生不同强度的光致电流，且在光强增大时电流增大，光强减小时电流减小。本发明相对于现有技术，结构简单，制作方便，而且光电响应速度快，对红外波段光非常敏感，其探测响应时间为秒量级。该器件在红外激光功率测量领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN101026224A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710064947.9
申请日：2007-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L49/00
Abstract: 基于宏观长度银纳米线异质结构的光电流传感器，涉及一种光电子学器件及其应用。它是将具有宏观长度的Ag纳米线簇的两端分别与两金属Ni电极相连接构成异质结构。然后，将该异质结构真空封装于石英套管内，并在套管外留出两电极引线，构成光电流传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接，当有光束照射在Ag/Ni异质结结区时，电路中光致电流会发生显著变化，该光致电流的强度依赖于入射光的光强，即当光强增加时，光致电流强度也会增加，反之，光强减小时，光致电流强度也会减小。本发明不仅结构简单，制作方便，而且其光电响应速度快。
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公开(公告)号：CN1223696C
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：CN02121109.4
申请日：2002-06-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种固体电解质晶体材料及其晶体薄膜制备方法，属于固体电解质材料领域。本发明提供了一种固体电解质晶体材料及其晶体薄膜制备方法，该材料的化学式为Rb0.5Cs0.5Ag4I5，且在室温下具有立方晶体结构，晶格常数a＝1.131nm。晶体薄膜制备方法是取RbI、CsI和AgI三种粉末按摩尔比x＝0.5和y＝0.15～0.16配成(RbxCs1-xI)y(AgI)1-y混合物，利用真空热蒸镀方法，在真空室压强小于2×10-3Pa时，将其外延生长在加热至55～75℃的新解理的NaCl晶体基片上，膜沉积速率约为5～15nm/s，然后切断加热电流，即可制得Rb0.5Cs0.5Ag4I5的晶体薄膜。
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公开(公告)号：CN1632483A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200510011170.0
申请日：2005-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 基于有序多壁碳纳米管束—金属异质结的温度传感器，涉及一种碳纳米管束—金属异质结的温度传感器。它是将具有宏观长度有序的碳纳米管束的顶端与金属导电薄膜相连接，在连接处形成碳纳米管束—金属异质结，然后，从金属导电薄膜和碳纳米管束的尾端分别引出电极，构成温度传感器。工作时，用导线把两电极和电流信号检测设备相连接构成回路，当异质结上的温度相对于碳纳米管束尾端的温度变化时，回路中即可产生热致电流，该电流的强度依赖于碳纳米管束两端表面的温差，即当温差增加时，热致电流也会增加，反之，温差减小时，热致电流也会减小。该温度传感器具有结构简单，制作方便，其响应速度快等特点。
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公开(公告)号：CN1191465C
公开(公告)日：2005-03-02
申请号：CN02121108.6
申请日：2002-06-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01N1/28 , G01N23/225 , H01J37/26
Abstract: 一种易受潮变性晶体薄膜的透射电子显微镜样品制备方法，该方法的实施步骤是首先在NaCl晶体基片上镀一层薄碳膜，再用真空热蒸镀的方法在碳膜上外延生长出所要检测的晶体薄膜，之后在晶体薄膜外表面镀一层碳膜，制成三明治膜系；将其取出放入盛水的容器中，使三明治膜系向上，然后将其迅速捞取并立即放入真空室内快速烘干，即可制得所需的晶体薄膜的透射电子显微镜样品。采用本发明既能在NaCl基片上外延生长出所需的晶体薄膜，又能够在碳膜的保护下在水中将薄膜从基片上剥离，并使其在真空室内迅速干燥。由于碳膜对电子束透明，因此得到的透射电子显微镜样品完全符合要求，且成功率很高。
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公开(公告)号：CN1139800C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN01136673.7
申请日：2001-10-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种波长调制偏振型表面等离子体波传感器，包括激光器、起偏器、表面等离子体波激发装置、1/4波片、检偏器、光电转换器、锁相放大器、计算机以及信号发生器。由激光器产生的激光经起偏器后变成线偏振光，入射到表面等离子体波激发装置中的光反射面，反射后的出射光经1/4波片后成为左旋和右旋圆偏振光，经检偏器变成线偏振光，经光电转换器转换成为电信号，该电信号经锁相放大器后输入计算机，显示测量结果，信号发生器发出信号对激光器的激光波长进行调制，同时输入锁相放大器，对光电转换信号进行解调。本发明设计的光学系统，可以通过调节，使工作点直流光强背景在理论上为零，从而减少了光学系统的白噪声对测量的影响，可以进一步提高测量的分辨率。
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公开(公告)号：CN1139799C
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN01136668.0
申请日：2001-10-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种相位调制偏振型表面等离子体波传感器，由激光器产生的激光经起偏器后变成线偏振光，该线偏振光入射到表面等离子体波激发装置中的光反射面，反射后的出射光经1/4波片后成为左旋和右旋圆偏振光，圆偏振光经检偏器变成线偏振光，该线偏振光经光电转换器转换成为电信号，该电信号经锁相放大器后输入计算机，显示测量结果，信号发生器发出信号给相位调制器，相位调制器对P波和S波的相位差进行调制，同时输入锁相放大器，对光电转换信号进行解调。利用本发明设计的相位调制偏振型表面等离子体波传感器，通过调整光学元件，使其在工作点处直流光强背景在理论上为零，并且通过调制，进一步提高传感器的分辨率。
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公开(公告)号：CN1460634A
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN03137253.8
申请日：2003-06-03
Applicant: 清华大学
CPC classification number: B82Y30/00 , C23C2/00 , C23C26/00 , C30B29/605
Abstract: 纯银纳米管阵列及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银管阵列及制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气中，通过改变银离子导电薄膜RbAg4I5的外加电场强度和作用时间制备出具有不同长度和直径的银管阵列；可以使制备的银管的长度达数微米以上，外径为百纳米量级、内径为几十纳米，且生长的方向是由直流电场方向控制的。本发明所制备的银管阵列可作为导线或器件应用于微电子学及光电子学领域中。
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公开(公告)号：CN1342884A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01136667.2
申请日：2001-10-26
Applicant: 清华大学
IPC: G01D5/26
Abstract: 本发明涉及一种使偏振表面等离子体传感器反射谱最低点为零的调试方法,首先将传感器中的检偏器放在检偏45°的方向,将起偏器放在起偏角α=0的位置,此时S波的电场为零,设初始待测介质的折射率为n1,记录最小值Rmin以及与此最小值相对应的光入射角θSPR,调节传感器旋转平台,使光电接收器输出的光电信号极小,此时光入射角为θSPR,旋转起偏器,尽量满足tga=Rmin,调节相位补偿器,使光电接收器的输出信号极小,调节起偏器,使光电接收器输出信号极小。本发明的优点是在激发表面等离子体波的条件下,不论传感器的光反射面上的金膜厚度的大小,都可以通过调节光学系统,使SPR谱的最小值为零,从而有效地提高传感器的分辨率。
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