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公开(公告)号：CN1119837C
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN00105549.6
申请日：2000-03-31
Applicant: 清华大学
IPC: H01L41/22 , H01L41/16 , C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种用于电子元器件的硅基铁电夹心结构的制备方法，首先制备PZT和PT先驱溶胶备用，在单晶硅衬底上生长二氧化硅，再在溅射一层金属Pt/Ti层作底层电极，在其上旋涂一层PT溶胶，再旋涂一层PZT溶胶，最后在铁电薄膜表面旋涂一层正胶，光刻，溅射一层金属Pt/Ti层，正胶剥离形成顶层电极，即得本发明的用于电子元器件的夹心结构。本发明方法降低了铁电薄膜的退火温度，从而提高了铁电薄膜的制备工艺与微电子工艺的兼容性。
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公开(公告)号：CN1343009A
公开(公告)日：2002-04-03
申请号：CN01134337.0
申请日：2001-10-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种集成MOS力敏运放压力传感器用的力敏运算放大器器件,其特征在于它含有:凹形硅杯,做在N型(100)硅膜片上由完全对称但沟道相互垂直的一对运算放大器构成以取代力敏运放电路输入端一对运算放大器的PMOS差分输入对管M1,M2,做在厚体硅上和上述M1,M2管相连的上述力敏运放电路的其余部分。它具有结构简单,压力响应灵敏度高,线性度好,只需一次调零,输入端调零方便,系统温漂和功耗低,元件数量少,无电阻制作工艺,成品率高和生产成本低的优点。
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公开(公告)号：CN1267918A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN00105549.6
申请日：2000-03-31
Applicant: 清华大学
IPC: H01L41/22 , H01L41/16 , C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种用于电子元器件的硅基铁电夹心结构的制备方法,首先制备PZT和PT先驱溶胶备用,在单晶硅衬底上生长二氧化硅,再在溅射一层金属Pt/Ti层作底层电极,在其上旋涂一层PT溶胶,再旋涂一层PZT溶胶,最后在铁电薄膜表面旋涂一层正胶,光刻,溅射一层金属Pt/Ti层,正胶剥离形成顶层电极,即得本发明的用于电子元器件的夹心结构。本发明方法降低了铁电薄膜的退火温度,从而提高了铁电薄膜的制备工艺与微电子工艺的兼容性。
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公开(公告)号：CN100556795C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710176082.5
申请日：2007-10-19
Applicant: 清华大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及射频微机械串联接触式开关的制作方法，属于半导体器件及集成电路制作技术领域，该方法包括：以硅片为衬底，并进行清洗；溅射、电镀、淀积、光刻、刻蚀形成共面波导和下电极；旋涂并固化牺牲层，溅射金属，淀积介质；图形化形成带系列小孔的桥膜开关；侧向钻蚀；释放牺牲层。本方法可以避免介质桥膜的应力集中问题，改善开关的机械可靠性，提高开关的成品率和使用寿命；同时，本方法与CMOS工艺兼容，可望得到广泛应用。
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公开(公告)号：CN101143701A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710176082.5
申请日：2007-10-19
Applicant: 清华大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及射频微机械串联接触式开关的制作方法，属于半导体器件及集成电路制作技术领域，该方法包括：以硅片为衬底，并进行清洗；溅射、电镀、淀积、光刻、刻蚀形成共面波导和下电极；旋涂并固化牺牲层，溅射金属，淀积介质；图形化形成带系列小孔的桥膜开关；侧向钻蚀；释放牺牲层。本方法可以避免介质桥膜的应力集中问题，改善开关的机械可靠性，提高开关的成品率和使用寿命；同时，本方法与CMOS工艺兼容，可望得到广泛应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1649166A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN200510002224.7
申请日：2005-01-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种采用弯曲极板实现高电容值调节范围的微机械可变电容。在高阻硅衬底上覆盖一层热氧化层，其上是厚度为0.15～3.0μm下极板金属层，在中部的下极板4上为绝缘介质层，牺牲层将上极板支撑在下极板的两边的金属层上，使微机械可变电容上极板和下电极的间距为1～4μm。该上极板采用弯曲极板形状，厚度为0.3～3.0μm，并通过弹性系数较低的细梁结构与牺牲层支撑梁连接。该可变电容的工艺流程和传统可变电容相同，并且机械性能均与传统可变电容基本相当，而电容值调节范围优于传统微机械可变电容。
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公开(公告)号：CN1558437A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410000698.3
申请日：2004-01-16
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于微型电子元件领域的一种用牺牲层材料做支撑梁的微机械开关。其结构是在衬底的氧化层上面固定下极板、上极板和支撑梁，支撑梁在上下极板之间，上极板的两端，用牺牲层材料层做成。省去了传统微机械开关制作过程中所需的形成金属支撑梁的工艺，简化了工艺流程。同时解决了上层金属极板和金属支撑梁之间容易断裂的问题，提高了结构的稳定性和可靠性。该开关的使用寿命优于传统金属支撑梁结构的开关。
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公开(公告)号：CN1159950C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN01140441.8
申请日：2001-12-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺属于硅基微传声器技术领域，其特征在于：下电极为在上端面开有大量声学孔的背极板，上电极为作振膜用的复合式纹膜，纹膜的底部形状与声学孔的形状相对应，构成凹陷的纹槽，纹槽之间有平坦的梁桥；绝缘层夹在纹膜和背极板的上端面之间。复合膜采用多晶硅/氮化硅结构。纹槽共有六种结构。在纹槽间有一系列小的凹形支撑结构，背极板是用单晶硅制成的，在单晶硅的上面集成着一个前置CMOS放大器，在前置CMOS放大器和单晶硅之间有一层氮化硅保护层。背极板厚度可大于膜厚的十倍。它可用各向同性或各向异性腐蚀工艺制成，它具有：机械灵敏度好、频带宽、刚性好、抗电击穿、抗粘连、抗干扰等优点。
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公开(公告)号：CN1156005C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN01134337.0
申请日：2001-10-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种集成MOS力敏运放压力传感器用的力敏运算放大器器件，其特征在于它含有：凹形硅杯，做在N型(100)硅膜片上由完全对称但沟道相互垂直的一对运算放大器构0成以取代力敏运放电路输入端一对运算放大器的PMOS差分输入对管(M1，M2)，做在厚体硅上和上述(M1，M2)管相连的上述力敏运放电路的其余部分。它具有结构简单，压力响应灵敏度高，线性度好，只需一次调零，输入端调零方便，系统温漂和功耗低，元件数量少，无电阻制作工艺，成品率高和生产成本低的优点。
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公开(公告)号：CN1303126A
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：CN00134177.4
申请日：2000-12-08
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种用于模拟铁电电容的等效电路,包括控制电路和电容切换电路,控制电路的输入电压是电容切换电路的第一端口节点和第二端口节点之间的电压差;电容切换电路中的四个压控开关受控制电路的输出电压控制。本发明设计的模拟铁电电容的等效电路,不仅准确、而且简单易于实现。本发明设计的电路模型有利于铁电存储器的设计,由于铁电存储器的广泛应用,本发明适用于非接触IC卡,MP3播放器,手持PC设备,军用芯片等许多领域。
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