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公开(公告)号：CN101409228A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810227378.X
申请日：2008-11-28
Applicant: 中电华清微电子工程中心有限公司 , 清华大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明涉及具有可移动热挡板半导体片红外快速热处理腔，属于极大规模集成电路和半导体制造的工艺设备技术领域，该热处理腔包括：由扁平矩形双层石英腔，固定在石英内、外腔之间的红外加热腔和红外反射板，该石英内腔的前端伸入石英外腔中，该石英内、外腔的前端面设置有密封腔盖及其密封阀门，还包括固定有石英片托的机械手及驱动机构；在双层石英腔外还设置有可移动热挡板，该热挡板能沿该双层石英腔轴线方向从双层石英腔后端伸入到石英内腔外壁与扁平矩形红外加热腔内壁之间的缝隙内。本发明可使半导体片迅速升降温，实现真正的尖峰退火。该热处理腔加热半导体片温度均匀、范围宽，加热半导体片升温速率和降温速率快，半导体片尺寸任意大小，生产效率高。
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公开(公告)号：CN101359682A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810222241.5
申请日：2008-09-12
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/737 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域一种自对准抬升外基区双极或异质结双极晶体管及其制备方法。首先在基区上面淀积多层介质层，接着通过刻蚀形成发射区窗口，然后在窗口内形成介质内侧墙。接下来在淀积或生长并刻蚀形成发射极材料的基础上，对上述多层介质层进行选择性腐蚀，并在选择性腐蚀介质牺牲层后腾出的位置内利用选择性外延的方法形成抬升外基区，且通过发射区窗口介质内侧墙的隔离作用实现抬升外基区与发射区位置的自对准，从而有效地减少了器件的基极电阻，进而可改善器件的速度、频率以及噪声性能。
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公开(公告)号：CN100346938C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510086475.8
申请日：2005-09-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于集成电路半导体薄膜外延生长技术及超晶格薄膜材料生长技术领域；其特征在于含有：磁传动轴、止推弹簧、止推挡板、档头、双定位转芯、两个内套筒、外套筒、换向轴、换向弹簧以及基于四连杆机构的张合式机械手夹臂；磁传动轴前进过程中，固定在外套筒一端的档头被外延生长反应腔真空阀门第一次挡住后，磁传动轴继续向前位移，使机械手夹臂张开实现放片功能；而在磁传动轴前进过程中，档头被阀门第二次挡住时，磁传动轴继续向前位移，却使机械手夹臂闭合实现取片功能，并依次循环往复。本发明具有硅片的存取准确可靠，重复稳定性好的优点，大大提高了单片三腔红外加热超高真空化学气相淀积外延系统的生产效率。
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公开(公告)号：CN1740384A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510086476.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 清华大学
IPC: C23C16/00
Abstract: 单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)外延系统属于集成电路半导体薄膜外延生长技术和超晶格薄膜材料生长技术领域。其特征在于：在外延生长室的石英反应腔内有一个衬片旋转机构，该机构水平放置在上述反应腔内。该机构含有：提供旋转动力源的马达(自带或附加减速器)、与该马达相连接的密封磁扭力传输组件，带有螺纹的石英玻璃杆、与该杆实行外螺纹啮合的石英环、石英环上固定有多个用于托起外延生长衬片的石英柱、支撑石英环的装有滚珠的石英档块、固定石英档块的石英玻璃平板。由于增加了本机构，因此本发明可大大提高外延衬片的薄膜内组分以及厚度的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN85100131B
公开(公告)日：1987-02-25
申请号：CN85100131
申请日：1985-04-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高（每小时六十片以上）。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既适合于制作１μｍ短沟超大规模集成电路和浅ＰＮ结（结深为０．２μｍ）器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅ＰＮ结的欧姆结制作。
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公开(公告)号：CN85100131A
公开(公告)日：1986-07-23
申请号：CN85100131
申请日：1985-04-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高(每小时六十片以上)。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既合适于制作1μm短沟超大规模集成电路和浅pn结(结深为0.2μm)器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅pn结的欧姆结制作。
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公开(公告)号：CN2106421U
公开(公告)日：1992-06-03
申请号：CN91219291.7
申请日：1991-08-02
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/324
Abstract: 红外快速热处理设备，属于超大规模集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本实用新型特征是由微机系统、红外热处理石英腔、悬臂传送片机构、双门过渡腔、自动取放片机构、高频感应加热源、测温与控温装置、气路及其控制等构成，微机自动控制半导体片的取放与传送、过渡腔双门的开闭、半导体片热处理温度和时间以及多路气体的流量从而实现自动快速热处理半导体片的目的，适用于集成电路和半导体器件的研制和工业化大生产。
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