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公开(公告)号：CN115933224A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310118828.6
申请日：2023-02-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了对光计算器件进行调控的方法和光计算器件，包括：S100：提供平板波导，平板波导包括至少一个子波导，子波导包括多个间隔排布的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽为衍射槽内部未填充相变材料，第二凹槽为可调控衍射槽内部填充所述相变材料；S200：向平板波导输入光信号，光信号在相邻所述凹槽之间传播，并记录平板波导的输出值；S300：计算预设值与输出值之间的差值，当差值大于标准值时，执行S400；S400：利用调控装置对第二凹槽中的相变材料的晶体状态进行调控；S500：重复执行S200和S300，直至所述差值不大于所述标准值。由此可以提供可编辑、可重构的神经网络，进而获得具有宽谱范围的光计算器件。
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公开(公告)号：CN115358381A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211063558.5
申请日：2022-09-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及神经网络技术领域，特别涉及一种光学全加器及其神经网络设计方法、设备及介质，其中，方法包括：获取隐藏层的每层中不同位置神经元的期望计算特征和输出端口优先级；根据期望计算特征和输出端口的优先级匹配隐藏层中衍射槽之间的设计间距，其中，优先级高的输出端口对应的衍射槽之间的设计间距小于优先级低的输出端口对应的衍射槽之间的设计间距；根据隐藏层衍射槽之间的设计间距生成目标神经网络的设计方案，基于设计方案实现目标神经网络的设计。由此，解决了相关技术采用神经元在空间上均匀排布的方法会导致输出结果的精度分布不均，且需要长时间训练才能达到理想的精度，效率低等问题。
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公开(公告)号：CN115224156A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210669468.4
申请日：2022-06-14
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , G11C13/04
Abstract: 本发明公开了一种片上红外感存算一体的光电器件及其制备方法。制备片上红外感存算一体的光电器件的方法包括：提供衬底；在衬底的一侧表面上形成电荷俘获层；通过定点转移的方法在电荷俘获层远离衬底的一侧形成隧穿层；通过定点转移的方法在隧穿层远离衬底的一侧形成感光层；在感光层远离衬底的表面分别形成源极和漏极，源极和漏极间隔设置；在形成源极和漏极之后，对感光层进行电感耦合等离子刻蚀；在源极和漏极之间形成覆盖层，覆盖层覆盖感光层远离衬底的部分表面，由此，利用该方法制备得到的器件可以将红外传感器和存储器有效集成，将红外数据实时转换并存储为电信号进而实现光数据通信与计算。
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公开(公告)号：CN115207152A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210682163.7
申请日：2022-06-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/18 , G06N3/067 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了硅光原位探测与调制一体化器件及其制备方法和应用。所述器件包括：衬底；硅波导，硅波导置于衬底的部分表面上；填充层，填充层置于衬底未被硅波导覆盖的部分表面；纳米氧化钨材料层，纳米氧化钨材料层置于硅波导远离衬底的一侧；二维半导体材料层，二维半导体材料层置于纳米氧化钨材料层远离衬底的一侧；第一侧电极和第二侧电极，第一侧电极和第二侧电极分别置于纳米氧化钨材料层的两侧；绝缘层，绝缘层置于二维半导体材料层远离衬底的一侧；顶电极，顶电极置于绝缘层远离衬底的一侧。将纳米氧化钨材料与二维半导体材料结合，再与硅波导异质集成，可实现在原位光电探测的同时对波导中传输的光的幅值进行非线性调制。
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公开(公告)号：CN102360710B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201110166520.6
申请日：2011-06-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO基稀磁薄膜及其制备方法。该ZnO基稀磁薄膜，包括基片、位于基片上的稀磁薄膜和反铁磁薄膜；其中，构成稀磁薄膜的材料为Zn1-xTMxO，所述Zn1-xTMxO中，x为0.2％-10.0％，优选3％-5％，TM为过渡金属元素；构成反铁磁薄膜的材料选自过渡金属氧化物中的至少一种。本发明通过在ZnO基稀磁薄膜上沉积一薄层反铁磁薄膜或在反铁磁薄膜上沉积一层稀磁薄膜来提高ZnO基稀磁薄膜的室温铁磁性，利用室温铁磁性TM:ZnO薄膜和反铁磁薄膜的界面近邻效应，使双层膜结构的室温饱和平均原子磁矩(μB/Co)相对单层稀磁薄膜结构的平均原子磁矩明显增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118675574A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410683155.3
申请日：2024-05-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种数据处理装置、电子装置和数据处理装置的制备方法。该数据处理装置包括逻辑处理层、存内计算层和存储阵列层。其中，逻辑处理层、存内计算层和存储阵列层至少部分层叠；逻辑处理层被配置为进行逻辑运算和/或控制处理；存内计算层被配置为对接收的数据进行神经网络运算，存储阵列层被配置为存储用于存内计算层的数据；存储阵列层包括存储阵列，存储阵列包括排列为多行多列的多个存储单元，多个存储单元每个包括晶体管以及与晶体管电连接的磁随机存储器件。该数据处理装置可以提高数据处理效率以及集成度。
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公开(公告)号：CN115358391B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211078157.7
申请日：2022-09-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及神经网络技术领域，特别涉及一种神经网络的规模拓展方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括：确定目标神经网络的实际运算位宽；利用算术逻辑运算训练策略训练目标神经网络运算位宽中小于实际运算位宽的第一规模子网络，得到的权重参数作为运算位宽大于第一规模子网络的第二规模子网络的初始权重参数，训练第二规模子网络，并按照运算位宽由低位至高位的顺序逐级拓展网络规模，直到网络规模的运算位宽达到实际运算位宽，得到目标神经网络的初始权重参数，实现对目标神经网络的训练。由此，解决了相关技术利用整体网络参数初始化的方法，无法充分挖掘算术逻辑运算任务本身的可复用性，训练复杂度高，训练时间长，效率低等问题。
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公开(公告)号：CN116883451A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310603290.8
申请日：2023-05-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种基于双模态光电器件的目标跟踪方法、装置、设备及介质，双模态光电器件包括非易失性模态和易失性模态，包括：利用双模态光电器件的非易失性模态对待跟踪目标的像素区域进行模板记忆，得到待跟踪目标的模板；利用双模态光电器件的易失性模态提取待跟踪目标的动态视频图像，得到待跟踪目标的动态场景图像；对待跟踪目标的模板和待跟踪目标的动态场景图像进行相似度匹配，并根据相似度最大值对应的区域生成目标跟踪结果。由此，解决了相关技术中的目标定位由于传感器、存储器与处理器分离，导致信息传递时效性低，能耗高，制备工艺复杂等问题，降低了冗余的信息交换，提升处理时效性，并且简化了制备的工艺，利于多功能集成一体化。
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公开(公告)号：CN115224156B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210669468.4
申请日：2022-06-14
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/113 , G11C13/04
Abstract: 本发明公开了一种片上红外感存算一体的光电器件及其制备方法。制备片上红外感存算一体的光电器件的方法包括：提供衬底；在衬底的一侧表面上形成电荷俘获层；通过定点转移的方法在电荷俘获层远离衬底的一侧形成隧穿层；通过定点转移的方法在隧穿层远离衬底的一侧形成感光层；在感光层远离衬底的表面分别形成源极和漏极，源极和漏极间隔设置；在形成源极和漏极之后，对感光层进行电感耦合等离子刻蚀；在源极和漏极之间形成覆盖层，覆盖层覆盖感光层远离衬底的部分表面，由此，利用该方法制备得到的器件可以将红外传感器和存储器有效集成，将红外数据实时转换并存储为电信号进而实现光数据通信与计算。
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公开(公告)号：CN115207152B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202210682163.7
申请日：2022-06-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/18 , G06N3/067 , G06N3/08
Abstract: 本发明公开了硅光原位探测与调制一体化器件及其制备方法和应用。所述器件包括：衬底；硅波导，硅波导置于衬底的部分表面上；填充层，填充层置于衬底未被硅波导覆盖的部分表面；纳米氧化钨材料层，纳米氧化钨材料层置于硅波导远离衬底的一侧；二维半导体材料层，二维半导体材料层置于纳米氧化钨材料层远离衬底的一侧；第一侧电极和第二侧电极，第一侧电极和第二侧电极分别置于纳米氧化钨材料层的两侧；绝缘层，绝缘层置于二维半导体材料层远离衬底的一侧；顶电极，顶电极置于绝缘层远离衬底的一侧。将纳米氧化钨材料与二维半导体材料结合，再与硅波导异质集成，可实现在原位光电探测的同时对波导中传输的光的幅值进行非线性调制。
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