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公开(公告)号：CN103970963B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410222091.3
申请日：2014-05-23
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法，属于微电子加工技术领域，该方法包括：对仿真区域进行模型表示；在与模型表面距离为Dis的空白元胞所在一侧的曲面上，按照均匀分布的方式随机生成数量为Nn的中性粒子，粒子停留在生成的位置，然后将这些中性粒子和模型表面下深度小于Dep的所有粒子单独抽出，作为一个新模型按照蒙特卡洛方法进行演化处理，演化结束后再将新模型重新导入原体系之中；然后再从模型顶部向下入射数量为Ni的离子，对每一个离子的处理按照元胞方法进行；然后再从模型顶部向下入射数量为Ni的离子，对每一个离子的处理按照元胞方法进行；本发明既大幅度地减少了模型表示所需的内存空间，又保证了仿真过程的计算效率。
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公开(公告)号：CN103425871B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201310303479.1
申请日：2013-07-18
Applicant: 清华大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明涉及一种面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定刻蚀粒子到达表面元胞的方法，其特征在于：该方法首先确定刻蚀粒子的三个速度分量分别到达各自维度元胞边界所需的时间；然后根据到达边界时间最短的速度分量，计算刻蚀粒子在次短边界时间内将经过的元胞；依次判断经过的元胞是否为表面元胞，若是表面元胞则结束，否则以刻蚀粒子在次短边界时间内最终到达的新元胞位置为起点，重新进行边界时间排序、计算及判断经过的元胞，寻找表面元胞。本发明既避免了刻蚀粒子入射点错误选取的风险，同时提高了刻蚀粒子寻找表面作用点的计算速度。
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公开(公告)号：CN103440361B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310306649.1
申请日：2013-07-19
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5009 , G06F17/10 , H01J37/32422 , H01J37/32926 , H01J37/32935 , H01J2237/334
Abstract: 本发明涉及一种等离子体刻蚀表面演化仿真中刻蚀产额的建模方法，属于微电子加工技术中对刻蚀表面过程模拟技术领域；该方法包括：将多种离子的刻蚀产额模型进行参数化表示；采用优化算法来得到刻蚀产额模型中的优化参数；在优化过程中，选取沟槽表面的一些特定位置，通过比较演化过程中不同时刻这些点的模拟刻蚀速率与实际刻蚀速率来计算每组模型参数的优劣（适应值），作为优化算法选择、生成下一步模型参数集的依据。将得到模型参数代入到模型参数化的公式中，即得到刻蚀产额的模型。本发明能根据刻蚀加工数据对多种离子的刻蚀产额模型参数进行优化，解决了离子轰击实验法和分子动力学方法求取刻蚀产额参数不准确的问题。
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公开(公告)号：CN102521886B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110391099.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 清华大学
IPC: G06T19/00
Abstract: 本发明涉及一种化学气相沉积过程的三维模拟方法，属于微电子加工中沉积过程模拟领域，该方法包括用元胞方法(CM)来表示模拟区域Ω中各个位置的材料分布并将沉积图形表面剖分成若干个三角平面；用蒙特卡罗(MC)方法结合空间八叉树非均匀剖分技术实现快速跟踪沉积粒子的输运过程，计算到达沉积图形表面的三角平面，再结合当前位置材料所对应的沉积模型和三角平面的面积等，计算得到沉积图形表面各三角平面沉积速度，避免了沉积速度计算的盲目性；根据计算获得沉积速度，用水平集方法(LS)实现化学气相沉积(CVD)过程沉积表面运动的准确跟踪。该方法可以模拟低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、大气压下化学气相沉积等多种气相沉积过程，实现复杂多种材料构成的沉积图形的沉积模拟。
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公开(公告)号：CN103970963A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410222091.3
申请日：2014-05-23
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法，属于微电子加工技术领域，该方法包括：对仿真区域进行模型表示；在与模型表面距离为Dis的空白元胞所在一侧的曲面上，按照均匀分布的方式随机生成数量为Nn的中性粒子，粒子停留在生成的位置，然后将这些中性粒子和模型表面下深度小于Dep的所有粒子单独抽出，作为一个新模型按照蒙特卡洛方法进行演化处理，演化结束后再将新模型重新导入原体系之中；然后再从模型顶部向下入射数量为Ni的离子，对每一个离子的处理按照元胞方法进行；然后再从模型顶部向下入射数量为Ni的离子，对每一个离子的处理按照元胞方法进行；本发明既大幅度地减少了模型表示所需的内存空间，又保证了仿真过程的计算效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103440673A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310303807.8
申请日：2013-07-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种面向元胞自动机的刻蚀表面演化模型的压缩方法，属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域；该方法采用游程编码对表面演化模型进行压缩表示，首先对各部分的材料元胞进行属性定义，分别定义了单个元胞材料编码和整体材料编码；然后根据模型特征选择以模型的垂直列为压缩单元，根据游程编码制定相应的压缩规则；分别对模型的每个垂直列自上而下进行压缩，从而实现模型的压缩表示。本发明既大幅度地减少了模型表示所需的内存空间，又保证了仿真过程的计算效率。
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公开(公告)号：CN102930143A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210385043.7
申请日：2012-10-11
Applicant: 清华大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明涉及一种面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定粒子入射角度的方法，属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域；该方法首先根据刻蚀粒子的入射方向选择两个与入射面垂直的切平面；然后分别在两个切平面上选取入射点周围的表面元胞，将其位置坐标作为数据采样点采用二维曲线拟合方法进行拟合计算，进而求得入射点在两个坐标轴方向上的切向量；最后对这两个切向量采用向量叉积求得入射点的表面法向量，从而获得刻蚀粒子的入射角度。本发明将一个三维曲面拟合问题转化为两个二维曲线拟合进行求解，减少了对多元方程组的求解，降低了计算复杂度，同时避免了对多项式曲面拟合中病态方程组的处理；计算准确度和运算速度都有较大的提高。
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公开(公告)号：CN101738981B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200910241745.6
申请日：2009-12-04
Applicant: 清华大学
IPC: G05B19/18
Abstract: 本发明涉及基于机器学习的机器人磨削方法，属于磨削加工领域，该方法包括：在砂带工作的各个阶段，对不同材质的工件进行磨削，得到工件与砂轮的接触力，工件磨削面的曲率和磨削量，加工速度；利用原始数据，采用机器学习的方法进行动力学模型建模及初始化机器人自适应动力学模型集；根据原始动力学模型和磨削时当前工况条件的测量数据，建立当前机器人自适应动力学模型，并将该模型加到机器人自适应动力学模型集M中；本发明可实现高精度磨削，降低生产成本，提高加工效率。
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公开(公告)号：CN101477620A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810246759.2
申请日：2008-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: G06K9/00 , B60R25/00 , G08B13/196
Abstract: 本发明涉及用于汽车防盗的两级图像异动检测方法，属于计算机应用技术领域，该方法包括：首先分别对车内视频和车外视频进行实时图像采集，然后采用视频图像自适应差分异动检测算法对采集的车内实时图像和车外实时图像分别进行异动检测，得到正常图像和异动图像两种检测结果；设连续出现的异动图像的数量为连续异动次数；当车内的连续异动次数和车外的连续异动次数均达到各自预先设定的阈值时，则判断为汽车被盗。本发明方法仅使用视频图像采集设备，不使用除摄像头之外的额外传感器，且简单易行，安全可靠。
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公开(公告)号：CN1801471A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510135546.9
申请日：2005-12-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种片盒中硅片状态检测及其圆心重定位方法，属于IC制造技术领域。该状态检测为：设置大、中、小光强阈值分别为I01、I1、I2，检测第一个传感器对的接收光强为IS1，若IS1＝I01，则槽中无硅片，当I01＞IS1＞I1为槽中只有一个硅片，I1≥IS1＞I2为槽中硅片重叠，若IS1≤I2则为硅片倾斜；该硅片圆心重定位的方法为：设定圆心对中的硅片边缘和第一个传感器对光路相切时，第二个传感器对接收光强为I02，在该时刻检测第二个传感器对接收光强为IS2，比较IS2与I02，根据两者的差值计算出移动距离d，然后通过传输机械手移动来补偿该硅片的圆心偏差。本发明的方法使用简便，硬件成本低廉。
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