-
公开(公告)号：CN103336858A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310218939.0
申请日：2013-06-04
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种刻蚀和沉积工艺元胞自动机模拟时三维元胞信息存储结构及操作方法，属于微电子加工过程中对刻蚀和沉积过程模拟技术领域，该存储结构为：创建一个二维静态数组来表示元胞自动机模型信息,该二维静态数组每个元素的信息包括：记录(x,y)列所有表面元胞的个数和一个用来存储(x,y)列所有表面元胞一维动态数组；该一维动态数组中每个元素除记录元胞的信息外，还增加一个记录表面元胞沿z轴坐标值z，用于还原三维元胞自动机模型。一维动态数组zcell中所有元素按坐标值z由小到大排序。该元胞操作方法包括对元胞的随机访问、元胞信息的添加、删除及修改。本发明解决了现有的元胞自动机模拟时使用的三维元胞信息存储结构，不能实现高分辨率元胞自动机模拟的问题。
-
公开(公告)号：CN102521886A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110391099.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 清华大学
IPC: G06T19/00
Abstract: 本发明涉及一种化学气相沉积过程的三维模拟方法，属于微电子加工中沉积过程模拟领域，该方法包括用元胞方法(CM)来表示模拟区域Ω中各个位置的材料分布并将沉积图形表面剖分成若干个三角平面；用蒙特卡罗(MC)方法结合空间八叉树非均匀剖分技术实现快速跟踪沉积粒子的输运过程，计算到达沉积图形表面的三角平面，再结合当前位置材料所对应的沉积模型和三角平面的面积等，计算得到沉积图形表面各三角平面沉积速度，避免了沉积速度计算的盲目性；根据计算获得沉积速度，用水平集方法(LS)实现化学气相沉积(CVD)过程沉积表面运动的准确跟踪。该方法可以模拟低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、大气压下化学气相沉积等多种气相沉积过程，实现复杂多种材料构成的沉积图形的沉积模拟。
-
公开(公告)号：CN103336858B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310218939.0
申请日：2013-06-04
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种刻蚀和沉积工艺元胞自动机模拟时三维元胞信息存储结构及操作方法，属于微电子加工过程中对刻蚀和沉积过程模拟技术领域，该存储结构为：创建一个二维静态数组来表示元胞自动机模型信息,该二维静态数组每个元素的信息包括：记录(x,y)列所有表面元胞的个数和一个用来存储(x,y)列所有表面元胞一维动态数组；该一维动态数组中每个元素除记录元胞的信息外，还增加一个记录表面元胞沿z轴坐标值z，用于还原三维元胞自动机模型。一维动态数组zcell中所有元素按坐标值z由小到大排序。该元胞操作方法包括对元胞的随机访问、元胞信息的添加、删除及修改。本发明解决了现有的元胞自动机模拟时使用的三维元胞信息存储结构，不能实现高分辨率元胞自动机模拟的问题。
-
公开(公告)号：CN103020349B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210526667.6
申请日：2012-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种等离子体刻蚀工艺中刻蚀产额的建模方法，属于微电子加工过程中对刻蚀过程模拟技术领域；该方法包括：将刻蚀产额模型进行参数化表示；采用优化算法来优化得到刻蚀产额模型中的最优控制参数；在优化过程中，通过刻蚀剖面演化方法来计算每组控制参数的优劣（适应值），作为优化算法选择、生成下一步控制参数集的依据。将得到最优的模型控制参数代入到模型参数化公式中，即得到刻蚀产额的模型。本发明可避免实验中的测量仪器对模型的影响，解决测量代价高的问题；同时通用性好，利用该模型，可以实现相同工艺条件下，对不同刻蚀时间不同尺度沟槽进行模拟。
-
公开(公告)号：CN102930143B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210385043.7
申请日：2012-10-11
Applicant: 清华大学
IPC: G06F19/00
Abstract: 本发明涉及一种面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定粒子入射角度的方法，属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域；该方法首先根据刻蚀粒子的入射方向选择两个与入射面垂直的切平面；然后分别在两个切平面上选取入射点周围的表面元胞，将其位置坐标作为数据采样点采用二维曲线拟合方法进行拟合计算，进而求得入射点在两个坐标轴方向上的切向量；最后对这两个切向量采用向量叉积求得入射点的表面法向量，从而获得刻蚀粒子的入射角度。本发明将一个三维曲面拟合问题转化为两个二维曲线拟合进行求解，减少了对多元方程组的求解，降低了计算复杂度，同时避免了对多项式曲面拟合中病态方程组的处理；计算准确度和运算速度都有较大的提高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103020349A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210526667.6
申请日：2012-12-08
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种等离子体刻蚀工艺中刻蚀产额的建模方法，属于微电子加工过程中对刻蚀过程模拟技术领域；该方法包括：将刻蚀产额模型进行参数化表示；采用优化算法来优化得到刻蚀产额模型中的最优控制参数；在优化过程中，通过刻蚀剖面演化方法来计算每组控制参数的优劣（适应值），作为优化算法选择、生成下一步控制参数集的依据。将得到最优的模型控制参数代入到模型参数化公式中，即得到刻蚀产额的模型。本发明可避免实验中的测量仪器对模型的影响，解决测量代价高的问题；同时通用性好，利用该模型，可以实现相同工艺条件下，对不同刻蚀时间不同尺度沟槽进行模拟。
-
公开(公告)号：CN102194031B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201110135120.9
申请日：2011-05-24
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域，提供了一种用蒙特卡罗(MC)和元胞自动机(CA)技术实现的等离子干法三维刻蚀过程的模拟方法。该方法从模拟刻蚀复杂刻蚀图形的角度出发，采用蒙特卡罗方法计算等离体中各种粒子输运到表面元胞的流量，利用表面刻蚀模型来计算刻蚀对象表面的刻蚀速度，再用元胞自动机方法实现复杂刻蚀图形表面轮廓刻蚀过程的模拟，为准确模拟三维复杂图形的刻蚀过程提供了一个方法。本发明可实现模拟复杂的刻蚀图形的刻蚀过程，为刻蚀参数配置提供指导，降低生产成本，提高加工效率。
-
公开(公告)号：CN102194031A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110135120.9
申请日：2011-05-24
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域，提供了一种用蒙特卡罗(MC)和元胞自动机(CA)技术实现的等离子干法三维刻蚀过程的模拟方法。该方法从模拟刻蚀复杂刻蚀图形的角度出发，采用蒙特卡罗方法计算等离体中各种粒子输运到表面元胞的流量，利用表面刻蚀模型来计算刻蚀对象表面的刻蚀速度，再用元胞自动机方法实现复杂刻蚀图形表面轮廓刻蚀过程的模拟，为准确模拟三维复杂图形的刻蚀过程提供了一个方法。本发明可实现模拟复杂的刻蚀图形的刻蚀过程，为刻蚀参数配置提供指导，降低生产成本，提高加工效率。
-
公开(公告)号：CN103970963B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410222091.3
申请日：2014-05-23
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法，属于微电子加工技术领域，该方法包括：对仿真区域进行模型表示；在与模型表面距离为Dis的空白元胞所在一侧的曲面上，按照均匀分布的方式随机生成数量为Nn的中性粒子，粒子停留在生成的位置，然后将这些中性粒子和模型表面下深度小于Dep的所有粒子单独抽出，作为一个新模型按照蒙特卡洛方法进行演化处理，演化结束后再将新模型重新导入原体系之中；然后再从模型顶部向下入射数量为Ni的离子，对每一个离子的处理按照元胞方法进行；然后再从模型顶部向下入射数量为Ni的离子，对每一个离子的处理按照元胞方法进行；本发明既大幅度地减少了模型表示所需的内存空间，又保证了仿真过程的计算效率。
-
公开(公告)号：CN102521886B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201110391099.9
申请日：2011-11-30
Applicant: 清华大学
IPC: G06T19/00
Abstract: 本发明涉及一种化学气相沉积过程的三维模拟方法，属于微电子加工中沉积过程模拟领域，该方法包括用元胞方法(CM)来表示模拟区域Ω中各个位置的材料分布并将沉积图形表面剖分成若干个三角平面；用蒙特卡罗(MC)方法结合空间八叉树非均匀剖分技术实现快速跟踪沉积粒子的输运过程，计算到达沉积图形表面的三角平面，再结合当前位置材料所对应的沉积模型和三角平面的面积等，计算得到沉积图形表面各三角平面沉积速度，避免了沉积速度计算的盲目性；根据计算获得沉积速度，用水平集方法(LS)实现化学气相沉积(CVD)过程沉积表面运动的准确跟踪。该方法可以模拟低压化学气相沉积、等离子体增强化学气相沉积、大气压下化学气相沉积等多种气相沉积过程，实现复杂多种材料构成的沉积图形的沉积模拟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.017 seconds)
