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公开(公告)号：CN103811138B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310692290.6
申请日：2013-12-17
Applicant: 清华大学
IPC: H01C1/16
Abstract: 一种变方阻薄膜电阻网络，涉及器件和信号测量领域，使用多晶硅薄膜电阻技术和表面微加工技术制作，包括中心薄膜电阻、旁路薄膜电阻、信号传输线以及地线共同形成的完整信号通路，如T型/π型网络，为了获得较大的衰减量，中心电阻和旁路电阻的差值非常大，采用相同方阻会带来尺寸跃变问题，本发明通过控制离子注入工艺条件，使中心薄膜电阻和旁路薄膜电阻具有不同的杂质元素浓度，从而获得不同的方块电阻，有效调节了大幅度调整信号时电阻网络的长宽尺寸，同时，可以采用上述原理使相同尺寸的电阻网络具有不同的调整功能，与现有电阻网络相比，本发明能够节约结构面积，减小引入的寄生效应。
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公开(公告)号：CN102928132B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210404406.7
申请日：2012-10-22
IPC: G01L1/12
Abstract: 一种隧道磁阻压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的整个下表面的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的隧道磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的通孔，本发明利用铁磁性薄膜形变引起磁场变化测得压力，被测压力通过通孔作用在沉孔区域的铁磁性薄膜上，使其发生离面形变，导致磁场发生变化，根据隧道磁阻效应，隧道磁敏电阻的阻值会在微弱磁场变化下发生剧烈变化，电阻值的变化将影响到外电路的输出电流或电压变化，由测得的电流或电压值实现对被测压力的测量，本发明结构合理，检测电路简单，灵敏度高，适合微型化。
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公开(公告)号：CN102509816B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201110335347.8
申请日：2011-10-28
Applicant: 清华大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明为一种基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器，包括MEMS开关、T型结、参考移相位共面波导传输线、MEMS电容电感移相传输线、传输线直角转角、MEMS开关电极、引线、隔离电阻及介质衬底；参考移相位共面波导传输线及嵌入MEMS电容电感的移相传输线构成开关线型移相器的两条传输路径；MEMS开关设于T型结上，用于选通两条传输路径；传输线直角转角用于连接两段相互垂直的传输线；本发明的优点是：通过MEMS电容电感构成的相位延迟单元，有效地减小了移相器的整体尺寸；将几个基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器级联，可以得到小型化的基于MEMS电容电感移相单元的多位开关线型移相器。
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公开(公告)号：CN103177904A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310066388.0
申请日：2013-03-01
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出一种射频MEMS开关及其形成方法，该开关包括：衬底；形成在衬底上的隔离层；形成在隔离层之上的驱动电极和微波信号共面波导传输线，其中，微波信号共面波导传输线具有开关接触点和锚区，开关接触点的位置与金属悬梁臂的自由端相对应，锚区与金属悬梁臂的固定端相连；以及形成在微波信号共面波导传输线之上的金属悬梁臂，其中，开关接触点由铜薄膜和形成在铜薄膜上的石墨烯薄膜组成，当驱动电极未施加驱动电压时，金属悬梁臂与开关接触点断开，使开关为关闭状态，当驱动电极施加驱动电压时，金属悬梁臂与驱动电极之间产生静电力，使金属悬梁臂弯曲后与开关接触点接触，使开关为开启状态。本发明具有热失效降低，开关功率容量高的优点。
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公开(公告)号：CN102509816A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110335347.8
申请日：2011-10-28
Applicant: 清华大学
IPC: H01P1/18
Abstract: 本发明为一种基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器，包括MEMS开关、T型结、参考移相位共面波导传输线、MEMS电容电感移相传输线、传输线直角转角、MEMS开关电极、引线、隔离电阻及介质衬底；参考移相位共面波导传输线及嵌入MEMS电容电感的移相传输线构成开关线型移相器的两条传输路径；MEMS开关设于T型结上，用于选通两条传输路径；传输线直角转角用于连接两段相互垂直的传输线；本发明的优点是：通过MEMS电容电感构成的相位延迟单元，有效地减小了移相器的整体尺寸；将几个基于MEMS电容电感移相单元的开关线型移相器级联，可以得到小型化的基于MEMS电容电感移相单元的多位开关线型移相器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101683967B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910023540.0
申请日：2009-08-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种用于射频微机电系统的圆片级封装机构及方法，利用表面微加工技术和三维光刻技术，将带封装的射频微机电系统器件RF MEMS通过侧面引线连接到焊球9处，从而实现了封装，避免了传统的RFMEMS封装需要打通孔的工艺，有效地保证了器件可动部分结构受到保护并且形成密封环境，从而保证RFMEMS器件的批量制作和器件的正常工作。
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公开(公告)号：CN102126699A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110031770.9
申请日：2011-01-28
Applicant: 清华大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种利用原子束和纳米孔进行微小尺寸图形制作的方法，包括以下步骤：一、用微细加工技术，采用干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的方法，制作出阵列纳米孔结构，形成阵列纳米孔掩模；二、以原子为工作粒子进行原子刻蚀或者原子沉积加工；三、根据对准结构和对准图形进行对准，利用衬底或者掩模的移动完成纳米结构的制作；本发明是在纳米尺度内实现原子的结构化和图形化的一种新型纳米制作方法，为原子束的表面控制和其他纳米加工技术提供了技术支持，起到了推动作用。
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公开(公告)号：CN101392374B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200810225705.8
申请日：2008-11-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/306 , C23F1/12
Abstract: 一种双控温氢氟酸气相刻蚀装置，一种对反应体和硅片衬底的温度分别可控的刻蚀装置。本发明提出的氢氟酸气相刻蚀装置主体包括一个具有温度调节及工作气体均匀性控制的反应腔体、样品台和一个利用控温液及相应传输通道对样品进行温度控制的控温液体腔室。通过加热反应腔体控制氢氟酸的挥发速度，从而实现对工作物质浓度和压力的控制。控温液体腔室通过传输通道和样品台连接，从而实现对样品台的直接温度控制。本发明由于可以对反应腔题和控温液体腔室分别加热，能同时控制反应气体参数和样品上本地工作温度，从而有效和灵活地控制和选择氢氟酸气相刻蚀速度和刻蚀质量，满足特殊结构的微米纳米加工要求。
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公开(公告)号：CN101620952A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200810240374.5
申请日：2008-12-19
Applicant: 清华大学 , 上海得倍电子技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种欧姆接触式射频开关，包括绝缘材料衬底、下电极，还包括偏置线、金属桥及偏置电阻，所述金属桥的两端跨接在分开的CPW地极上；所述偏置线穿过所述金属桥连接至所述偏置电阻，对所述下电极进行驱动。本发明还对应提出一种欧姆接触式射频开关的集成工艺。本发明的技术方案使用玻璃、陶瓷等绝缘材料作为衬底，利用PECVD工艺制作的非晶硅薄膜作为偏置电阻，实现了偏置电阻的片上集成；同时通过特殊的工艺步骤，实现了欧姆接触式射频开关，使其保持了MEMS器件的可集成、偏置电路简单等优点。
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公开(公告)号：CN100399575C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200510002224.7
申请日：2005-01-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件范围的一种采用弯曲极板实现高电容值调节范围的微机械可变电容。在高阻硅衬底上覆盖一层热氧化层，其上是厚度为0.15～3.0μm下极板金属层，在中部的下极板上为绝缘介质层，牺牲层将上极板支撑在下极板的两边的金属层上，使微机械可变电容上极板和下电极的间距为1～4μm。该上极板为向外弯曲极板，厚度为0.3～3.0μm，与牺牲层支撑梁连接。该可变电容的工艺流程和传统可变电容相同，并且机械性能均与传统可变电容基本相当，而电容值调节范围优于传统微机械可变电容。
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