公开(公告)号：CN111094913B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201880060440.2

申请日：2018-08-21

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宅见宗则 ,  丰田晴义 ,  松井克宜 ,  铃木一隆 ,  中村和浩 ,  内田圭祐

IPC: G01J1/02 ,  G01J1/44 ,  G01B11/24 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/10

Abstract: 在位置检测传感器中，在第1像素部入射位置越接近第1像素对组的第2方向上的第1端，第1电信号的强度就越减弱，在第2像素部入射位置越接近第2方向上的第1端，第2电信号的强度就越增强，在第3像素部入射位置越接近第2像素对组的第1方向上的第2端，第3电信号的强度就越减弱，在第4像素部入射位置越接近第1方向上的第2端，第4电信号的强度就越增强。算出部基于第1电信号的强度的累计值和第2电信号的强度的累计值算出第2位置，基于第3电信号的强度的累计值和第4电信号的强度的累计值，算出第1位置。

公开(公告)号：CN116981962A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280018234.1

申请日：2022-01-13

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 内田圭祐 ,  宅见宗则 ,  高本尚宜 ,  加藤尚明 ,  中本胜大 ,  间瀬光人

IPC: G01S17/894

Abstract: 本发明的距离图像获取装置(1)具备光源(2)、照射光学系统(3)、成像光学系统(4)、摄像元件(5)、以及处理部(6)。摄像元件(5)将从光源(2)输出并被对象物反射且经过成像光学系统(4)的光脉冲在受光面上受光。摄像元件(5)的受光面上的多个像素的各个具有根据受光产生电荷的光电二极管和蓄积由该光电二极管产生的电荷的电荷蓄积部。处理部(6)对摄像元件(5)的多个像素分别赋予共同的控制图案。控制图案指示将在多个像素的各个中由光电二极管产生的电荷蓄积于电荷蓄积部的期间。处理部(6)基于由多个像素的各个的光电二极管产生并且蓄积于电荷蓄积部的电荷的量，求出对象物的距离图像。由此，实现能够通过压缩感知技术容易地进行空间分辨率高的距离图像的获取的装置。

公开(公告)号：CN111133282B

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN201880060467.1

申请日：2018-08-21

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宅见宗则 ,  丰田晴义 ,  松井克宜 ,  铃木一隆 ,  中村和浩 ,  内田圭祐

IPC: G01J1/02 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02 ,  H04N5/369 ,  H04N5/3745

Abstract: 在位置检测传感器中，在第1像素部入射位置越接近第1像素对组的第2方向上的第1端，第1电信号的强度越减弱，在第2像素部入射位置越接近第2方向上的第1端，第2电信号的强度越增强，在第3像素部入射位置越接近第2像素对组的第1方向上的第2端，第3电信号的强度越减弱，在第4像素部入射位置越接近第1方向上的第2端，第4电信号的强度越增强。计算部基于第3电信号的强度和第4电信号的强度对第1位置进行加权，并基于第1电信号的强度和第2电信号的强度对第2位置进行加权。

公开(公告)号：CN111133283A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201880060532.0

申请日：2018-08-28

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 宅见宗则 ,  丰田晴义 ,  松井克宜 ,  铃木一隆 ,  中村和浩 ,  内田圭祐

IPC: G01J1/02 ,  H01L31/12 ,  H01L31/16

Abstract: 位置检测传感器包括：受光部，其具有分别包含生成与光的入射光量相应的第1电信号的第1像素和沿第1方向与第1像素排列配置且生成与光的入射光量相应的第2电信号的第2像素并沿第1方向排列的多个像素对；和计算部，其通过使用第1电信号的强度和第2电信号的强度进行重心运算，计算第1方向上的入射位置即第1位置。在第1像素入射位置越接近受光部的与第1方向交叉的第2方向上的一端，第1电信号的强度就越减弱，在第2像素入射位置越接近第2方向上的一端，第2电信号的强度就越增强。计算部还基于对第1电信号的强度进行累计而得到第1累计值和对第2电信号的强度进行累计而得到的第2累计值，计算第2方向上的入射位置即第2位置。