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公开(公告)号：CN116555899A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310534059.8
申请日：2023-05-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请公开了一种单晶生长装置，单晶生长装置包括坩埚、感应加热器、至少一个感应加热体以及石墨桶；石墨桶设置在坩埚内部，感应加热器设置在坩埚外周侧，感应加热器用于对坩埚以及石墨桶内的原料进行加热，感应加热器包括感应线圈以及为感应线圈供电的电源；至少一个感应加热体设置在石墨桶内部，感应加热体用于辅助感应加热器对石墨桶内的原料进行加热，感应加热体为导体，感应加热体的加热源为感应加热器。石墨桶可以起到热传递以及热均衡的作用。本申请提供的单晶生长装置通过感应加热体对内部原料进行加热，使第一放料空间以及第二放料空间的温度保持近似相同，以获取更均匀的加热以及升华效果。
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公开(公告)号：CN114167138B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202111528881.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法、系统及存储介质，通过向碳化硅晶圆施加一个固定电压，来形成碳化硅晶圆的EL光谱强度分布图像，再建立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电压强度与载流子浓度关系方程、电阻分布方程，然后通过联立EL光谱强度方程、电压强度与载流子浓度关系方程、平均电子浓度方程，计算得到碳化硅晶圆平均电子浓度与EL光谱强度的函数关系，来生成载流子浓度分布图像；最后生成精确、完整的碳化硅晶圆的电阻分布图像。相比传统方法，本发明一种碳化硅晶圆电阻分布图像生成方法比电阻仪的速度快一个数量级以上，且图像连续完整等优点，适用于大规模工业化生产中的碳化硅晶圆表征。
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公开(公告)号：CN114093765B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210051840.5
申请日：2022-01-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/324 , H01L21/26 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅领域，公开了一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法，通过先对碳化硅薄膜进行热处理，激活碳化硅薄膜中的碳空位和氢杂质，然后利用紫外光照射碳化硅薄膜，控制碳化硅的准费米能级位置，使得氢杂质由负电调整为正电，利用带正电的氢杂质钝化带负电的碳空位，消除碳空位的缺陷能级，从而提高碳化硅薄膜少子寿命，且不会额外增加其他的缺陷。
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公开(公告)号：CN115424099A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211383066.4
申请日：2022-11-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: G06V10/778 , G06V10/774 , G06V10/82 , G06V10/26 , G06T7/00 , G06T7/73 , G06T3/40 , G06N3/04 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种用于识别碳化硅位错的模型训练方法、识别方法及装置，通过获取背景干净且不同位错无重叠的第一碳化硅位错图片样本进行标注，再通过神经网络模型进行训练得到第1代检测模型；获取背景干净且存在位错重叠交错的多张第二碳化硅位错图片样本，通过第1代检测模型进行检测后进行标注，再通过神经网络模型对标注后的多张第一碳化硅位错图片样本和第二碳化硅位错图片样本进行训练，得到第2代检测模型；获取背景不干净的多张第三碳化硅位错图片样本，根据上述步骤得到第3代检测模型。采用本发明在保证识别准确率的条件下，大大节省了时间和人工成本，并节约了30%以上的晶片加工成本，进而降低了检测成本。
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公开(公告)号：CN114836834B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210776964.X
申请日：2022-07-04
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种PVT法连续生长单晶碳化硅的装置及方法，包括：晶体生长设备，所述晶体生长设备用于碳化硅晶体的PVT法生长；上料设备，所述上料设备包括固体粉末源和气流源，所述固体粉末源与气流源可分离，上料设备采用带载模式或鼓泡模式上料；混料设备，所述混料设备连接于上料设备和晶体生长设备之间，利用混料设备进行多级混料，在进入晶体生长设备之前将固体粉末气流搅拌均匀。本发明中，实现碳化硅晶体生长的原料持续供给，且选择性的采用带载模式或鼓泡模式进气，采用带载模式进气，能够快速生长碳化硅晶体，或者采用鼓泡模式进气，能稳定的生长碳化硅晶体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114800253B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210627321.9
申请日：2022-06-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明具体涉及硅晶圆加工技术领域，具体为一种碳化硅晶圆的研磨装置及方法，所述碳化硅晶圆的研磨装置包括：研磨机构，所述研磨机构包括研磨驱动机构和研磨基座，所述研磨驱动机构为碳化硅晶圆片的旋转研磨提供动力；研磨液供给源，所述研磨液供给源包括研磨液、磁流变液和磁场，通过磁场使磁流变液形成磁簇，从而控制研磨液中研磨颗粒的运动轨迹；磨粒回收机构，所述磨粒回收机构包括磁力控制设备，通过磁力控制设备对研磨颗粒和磁流变液分离，之后对研磨颗粒进行回收。本发明使研磨液中的研磨颗粒分布均匀，使碳化硅晶圆片的表面研磨均匀，研磨结束后，通过磁力控制设备的表面可控的产生磁性，对研磨颗粒集中收集，对磁流变液进行循环使用。
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公开(公告)号：CN114496728A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111654707.0
申请日：2021-12-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种低缺陷碳化硅外延材料制备方法，涉及碳化硅外延材料的技术领域，向反应室通入氩气和氯化氢与氢气组成混合气体来对碳化硅偏轴衬底进行5～20min的原位刻蚀。氯化氢与氢气的通入使碳化硅偏轴衬底表面Si组分和C组分达到相似的去除速度，从而获得更光滑的衬底表面，氩气的通入使反应室内的温场更均匀的同时，减少了反应室中由氯化氢与氢气刻蚀碳化硅偏轴衬底产生的各项异性，减少了表面刻蚀的不均匀性以及衬底延伸至外延层的表面缺陷，后经缓冲层生长以及外延层生长获得的碳化硅外延材料具有低表面缺陷密度和高均匀性的优点。
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公开(公告)号：CN114427115A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202210338379.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶片制造技术领域，公开了一种碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：将碳化硅晶锭作为阳极通过碳化硅晶锭上的导电层连接电压输出端并在刻蚀液中设置阴极连接电压输入端；采用大于所述单晶层对应的吸收光波长临界值的入射光照射在所述碳化硅晶锭表面；在照射的过程中，向所述碳化硅晶锭提供正恒电位并对所述刻蚀液进行微波加热，实现单晶层的剥离，得到碳化硅单晶片。本发明采用的刻蚀工艺方法，可快速获得厚度可控的碳化硅单晶片。
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公开(公告)号：CN114318551A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210244788.5
申请日：2022-03-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，公开了一种碳化硅晶片位错腐蚀方法及装置，包括：提供碳化硅晶片，将碳化硅晶片放置到坩埚中，其中，碳化硅陪片的第一表面面向腐蚀剂，碳化硅陪片的第二表面面向碳化硅晶片的碳面，碳化硅陪片的尺寸与坩埚内壁的尺寸相适应且碳化硅陪片的侧边与坩埚的内壁之间留有间隙，碳化硅晶片的碳面与碳化硅陪片的第二表面之间小于或等于预定距离；基于加热工艺对坩埚进行加热，加热形成的腐蚀剂蒸汽对所述碳化硅晶片和所述碳化硅陪片进行腐蚀。本发明使得在保证高温腐蚀活性的同时有效降低腐蚀剂浓度，实现碳化硅晶片碳面和硅面位错的显露，在碳化硅晶片的碳面和硅面得到区分度高的位错腐蚀坑，识别明确。
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公开(公告)号：CN114203527A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111535802.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶片热氧化的方法及装置，装置包括真空加热腔室、均温台和等离子体发生器，真空加热腔室内设有加热器，均温台设置在真空加热腔室内，碳化硅晶片放置在均温台上，真空加热腔室与抽真空装置相连，真空加热腔室上设有进气口，真空加热腔室上设有与进气口相连通的等离子体发生腔，等离子体发生器与等离子体发生腔相对设置，在富含硅气氛下通过采用等离子体辅助化学气相沉积方法使得碳化硅晶片表面沉积二氧化硅薄膜，有效防止碳化硅晶片中硅组分在高温下升华溢出，碳化硅晶片整个表面可沉积高质量的二氧化硅薄膜进而形成高质量SiC/SiO2界面。
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