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公开(公告)号：CN1529188A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN03143432.0
申请日：2003-09-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于二维分布阵列波导光栅的光波分复用器/解复用器，它采用了二维分布阵列波导光栅作为衍射光栅，二维分布阵列波导光栅的两个端面为平面，分别置于两个凸透镜的一个焦面上，光波分复用器/解复用器的输入端与输出端分别置于这两个凸透镜的另一个的焦面上，也具有二维端面分布。由于采用了二维分布阵列波导光栅作为衍射光栅，可以实现被衍射的光波随光频率/波长的变化而在二维输出上具有特定的分布，通过相应的输出端设置，可以实现二维输出，这样，基于这种方法所实现的光波分复用/解复用器可以有效利用二维空间，具有大规模的光通道数能力。
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公开(公告)号：CN1488957A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN03142298.5
申请日：2003-08-14
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明公开了一种二维分布阵列波导光栅，由一定数量的光波导放置在一起，构成二维分布光波导阵列；光波导的数量由衍射光栅的衍射精度要求和功能特性决定；这些波导的两个端面分别对应构成两个具有二维分布的衍射光栅的输入端面与输出端面；每个光波导具有一定的光程大小，这个光程大小按这个光波导在所对应的衍射光栅的端面上的位置相位要求来设置。构成二维分布阵列波导光栅的光波导可以是基于平面光波导工艺的矩形光波导、脊形光波导或是条载光波导，也可以是光纤。二维分布阵列波导光栅的端面可以是平面结构、凹面结构和凸面结构。本发明基于光波导技术，可以容易地实现具有二维分布的衍射光栅，而且它的二维相位与强度是同时可控的。
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公开(公告)号：CN1487321A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03141953.4
申请日：2003-07-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种二维限制的多模干涉功分器，它由一根以上输入单模波导阵列、X、Y二个方向二维限制的多模矩形波导区和二根以上二维分布的输出单模波导阵列依次连接构成，X、Y二个方向的等效波导宽度(Wxe，Wye)平方之比是有理数，即Wxe2/Wye2=p/q，式中：p，q为整数。本发明采用光波导来构成具有二维分布光功分器，提供一种实现二维空间光功率分配的基本单元器件，并具有结构紧凑，集成度高的特点。若在矩形波导区，利用各种光折射效应，如电光效应、热光效应、载流子注入效应等，可控制输出光波的强度和相位分布，实现三维集成光波导器件，如结合二维波导光栅阵列器件可实现二维空间分布的波分复用器、开关光和光可变衰减器阵列等。
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公开(公告)号：CN1360221A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN01138104.3
申请日：2001-12-31
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种铌酸锂基多模干涉波导型光功分器,包括1×N多模干涉光波导,是在铌酸锂衬底上设置渐变折射率分布的多模光干涉区、及多模光干涉区两端的单模输入波导和N个单模输出波导。本发明由于采用了渐变折射率分布波导,所以用简单的工艺制作过程在商用化程度很高且具有很好光学特性的铌酸锂基片上制作出性能优良的多模干涉波导型光功分器,可进一步商业化,低投入、高产出,形成规模化生产。并可进一步研制出M×N多模干涉波导型光耦合器。
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公开(公告)号：CN1354387A
公开(公告)日：2002-06-19
申请号：CN01139124.3
申请日：2001-12-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 一种采用有机聚合物全内反射型热光光波导开关,包括2×2对称的有机聚合物X形波导,是在有机聚合物波导构成X结的交叉区设置光自由传输扩展区,用“牛角”波导与单模波导连接。本发明用有机聚合物方便地制成了无阻塞、低损耗、高性能的2×2热光光波导开关,这为有机聚合物提供了一种制作大规模的N×N热光光波导开关列阵的途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1336739A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN01113309.0
申请日：2001-07-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 基于SOI材料的全内反射型阵列波导光栅器件及制法,包含输入输出波导、输入输出平板波导,特点是在输入输出平板波导之间依次是弧形过渡连接波导、阵列直波导、全内反射波导、阵列直波导、弧形过渡连接波导,输入输出波导的轴线相垂直。制法是根据确定的参数,以TE、TM模相位差的2π整数倍来确定阵列波导所需长度和全内反射角,采用基本硅器件制作工艺制作。本器件结构紧凑、尺寸小、对TE、TM模偏振不敏感。
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公开(公告)号：CN101666919A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910152944.X
申请日：2009-09-21
Applicant: 浙江大学
IPC: G02F1/035
Abstract: 本发明公开了一种具有刻蚀容差的硅狭缝波导电极。在绝缘体上的硅材料的顶层硅中部设有硅狭缝波导，包括一侧硅波导、狭缝、另一侧硅波导、以及狭缝底部刻蚀残留的本征硅I或狭缝底部刻蚀残留的P型掺杂的硅或N型掺杂的硅。狭缝中填充同时作为上包层的电光材料。它的一侧硅波导以及与之相连的加上负电压的P型掺杂的硅平板，另一侧硅波导以及与之相连的加上正电压的N型掺杂的硅平板，共同构成了硅狭缝波导的电极。本发明利用硅材料的PN结和PIN结反偏耗尽的特性，通过在狭缝波导的两侧电极部分分别进行N型和P型掺杂，并施加反偏电压形成结区耗尽，在物理上阻断了左右电极之间的导电性，从而能够允许狭缝的刻蚀有残留，增大了刻蚀工艺的容差。
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公开(公告)号：CN100593737C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810062161.8
申请日：2008-06-03
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/26
Abstract: 本发明公开了一种基于无间距定向耦合结构的光环行器。在衬底上依次由输入Y分支波导、具有或设置有磁性材料的矩形双模波导和输出Y分支波导串接而成。本发明提出采用无间距定向耦合波导结构，利用其基模和一次模的非互易相移差原理，通过非互易相移，实现集成光学型光隔离器和光环行器。这种非互易器件具有结构紧凑，集成度高的特点，在光信号的发射、放大、传输、路由等方面有应用前景，具有科学研究意义和应用价值。
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公开(公告)号：CN100570419C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810059874.9
申请日：2008-02-26
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/10
Abstract: 本发明公开了一种含Cu离子的光波导。在玻璃基片上表面设有平板状Cu离子扩散区，在平板状Cu离子扩散区中设有条形高极化率离子扩散区，条形高极化率离子扩散区作为光波导的芯层，条形高极化率离子扩散区的折射率高于玻璃基片的折射率，也高于平板状Cu离子扩散区的折射率。由于条形高极化率离子扩散区在平板状Cu离子扩散区的基础上形成，这种离子交换光波导具有Cu离子的蓝绿发光特性。同时这种光波导的制作过程中避免了高温条件下Cu盐离子交换形成条形光波导的离子交换过程，对掩膜的要求降低，因此具有更低的成本。
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公开(公告)号：CN100465676C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710068112.0
申请日：2007-04-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于布拉格光栅和MOS结构的波长选择光开关。包括脊形波导结构、栅极、源极、漏极、绝缘体材料层、半导体材料层、衬底和两个高掺杂区构成的MOS结构。与此同时，半导体材料层也为光波导的芯层，包含有一个带有布拉格光栅结构的脊形波导结构，绝缘体材料层为光波导的上限制层，衬底为光波导的下限制层。本发明采用布拉格光栅结构和MOS结构的有机结合实现了波长的快速选择，设计简单，器件尺寸小，同时因为其制作工艺的MOS兼容性，使其易于集成和扩展，方便低成本制造。
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