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公开(公告)号：CN1223306A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN98104639.8
申请日：1998-01-14
Applicant: 浙江大学
IPC: C22C9/06
Abstract: 本发明是一种铜基合金,为良好的弹性材料,可用来制造仪器仪表、电子通信器件中的精密弹性元件。具有良好的导电性,较高的抗张强度、弹性极限和韧性,较高的软化温度,抗应力松弛能力强,加工性能好,焊接、电镀性能良好,很高的耐蚀和抗氧化性,原料来源丰富、无毒性。生产成本较铍青铜低,可以部分代替铍青铜材料。这种材料成分是:4.6～6.8%Ni、1.1～2.6%Si、0.8～2.1%Al、0.21～0.52%Fe、0.14～0.43%Cr、0.08～0.19Ce、0.04～0.12%Mg、余Cu。
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公开(公告)号：CN111496200B
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202010334809.3
申请日：2020-04-24
Applicant: 浙江大学
IPC: B22D11/045 , B22D11/115 , B22D11/12 , B22D11/124 , B22D11/22
Abstract: 本发明公开了一种铜合金的水平连铸方法，该方法是将保温炉中的铜合金熔体在保温炉侧下方进行水平连铸：在保温炉侧下方安装至少一个多路水冷结晶器，所述多路水冷结晶器在沿初坯引出方向依次设置3组独立的冷却单元，第1组冷却单元最靠近保温炉；使每组冷却单元的进水口的温度低于20℃，并控制3组冷却单元的温度梯度；在所述多路水冷结晶器第1组和第2组冷却单元的水冷套外壁设置电磁感应线圈实现电磁搅拌，在所述多路水冷结晶器出口设置水幕喷淋冷却装置对初坯进行冷却，从而得到合金元素均处于过饱和固溶态的铸态初坯。本发明不仅能节省传统高强高导铜合金制备工艺里耗能最大的高温固溶环节，而且能有效细化晶粒，保障合金高强度。
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公开(公告)号：CN110006927A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910215088.1
申请日：2019-03-21
Applicant: 浙江大学 , 中国中车股份有限公司 , 天津中铁电气化设计研究院有限公司 , 邢台鑫晖铜业特种线材有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备高强高导铜合金原位拉伸试样的装置，包括装置台、样品台、上面板，装置台上设有第一滑轨，样品台上设有第二滑轨，装置台与样品台通过第一滑轨连接，样品台可以相对于装置台滑动，上面板与样品台通过第二滑轨连接，上面板可以相对于样品台滑动。本发明还公开了一种制备高强高导铜合金原位拉伸试样的装置的使用方法。本发明具有样品装取简便、中心对孔易于操作和实现且适用于非对称电解双喷样品等优点，本发明装置能够提升对样品离子减薄的效果。
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公开(公告)号：CN104466089B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410764757.8
申请日：2014-12-12
Applicant: 浙江大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/1397 , H01M4/136 , H01M4/58 , B82Y30/00
Abstract: FeS片状阵列薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗‑超声波清洗‑冲洗，干燥得到FeS·mEDA前驱体纳米片阵列；将FeS·mEDA纳米片阵列真空热处理得到FeS片状阵列薄膜。FeS片状阵列薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS纳米片，FeS纳米片与铁箔基底垂直，FeS纳米片交叉呈开放的网状阵列。本发明具有能够有效缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。
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公开(公告)号：CN104638066A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510067375.4
申请日：2015-02-09
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底清洗好的基底备用；制备均匀透明的种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置均匀的前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；使基底的表面覆盖有ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列；将ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列薄膜和纯度为99.5%的升华硫粉封装于石英管中；硫化ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列成为ZnO/ZnS/FeS2核壳纳米棒阵列。本发明具有能够吸收太阳光谱中波长大于362nm的可见光，光吸收和光响应性能好的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103872186A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410103081.8
申请日：2014-03-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: FeS2薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；形成均匀透明的种子层溶液；在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；在基底表面形成均匀致密的ZnO纳米棒阵列；将具有ZnO纳米棒阵列的基底放入反应釜的前驱体溶液内水热反应，在基底表面形成ZnO/Fe2O3核-壳结构纳米棒阵列；在基底表面得到Fe2O3纳米管阵列；硫化处理，Fe2O3纳米管阵列原位硫化转变成FeS2纳米管阵列。FeS2薄膜包括FTO导电玻璃基底，基底上覆盖有FeS2纳米管阵列，每个FeS2纳米管由FeS2颗粒堆积而成。本发明具有能增大二硫化铁薄膜的有效光吸收面积来提高其光吸收性能和光电转换效率的优点。
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公开(公告)号：CN103824902A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410103793.X
申请日：2014-03-19
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/20 , H01L31/0296
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1836 , H01L31/0296
Abstract: 一种FeS2薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；配置种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液提拉镀膜，在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；室温下将具有ZnO纳米棒阵列薄膜的使基底的表面覆盖有Fe(OH)3纳米棒阵列；硫化处理，Fe(OH)3纳米棒阵列转化为FeS2纳米棒阵列。一种FeS2薄膜，包括由FTO导电玻璃制成的基底，基底上覆盖有FeS2纳米棒阵列，每个FeS2纳米棒由FeS2纳米颗粒堆积而成。本发明具有通过增大二硫化铁薄膜的有效光吸收面积来提高其光吸收性能和光电转换效率的优点。
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公开(公告)号：CN102643032A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110042237.2
申请日：2011-02-22
Applicant: 浙江大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明公开了一种化学水浴沉积制备In2S3薄膜的方法。镀膜基底先在铬酸洗液中浸泡后，用去离子水冲洗；再依次在丙酮和乙醇中用超声波振荡清洗5～20min；最后用去离子水冲洗后，在120℃下保温烘干待用；将镀膜基底垂直置于配置好的沉积膜水溶液中；再将盛有所述溶液的容器放入温度为70℃的恒温水浴槽中沉积薄膜；沉积薄膜在去离子水中浸泡去除表面残留后置于空气中干燥。本发明与背景技术相比，用化学水浴沉积法制备出的In2S3薄膜化学成分稳定，结构单一，工艺参数可控性强，制备工艺及设备简单，效率较高。可为FeS2薄膜光电转换材料缓冲层的研究提供更多选择。
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公开(公告)号：CN101386925A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810121203.0
申请日：2008-09-12
Applicant: 邢台鑫晖铜业特种线材有限公司 , 浙江大学 , 中铁电气化勘测设计研究院有限公司 , 烟台金晖铜业有限公司
Abstract: 本发明公开了一种接触线用Cu－Cr－Zr合金制备工艺。真空感应炉中熔炼含量为Cu－(0.30～0.50)％Cr－(0.10～0.15)％Zr－(0.01～0.02)％Si合金，其中合金元素Cr、Zr及Si由中间合金加入，通过控制凝固及冷却速率，得到细小铸态晶粒和二次枝晶间距的过饱和基体组织，配合轧制、拉拔变形及退火热处理并控制变形程度和热处理参数，有机结合应变强化效应和沉淀强化效应，在简化工艺、设备及成分比较简单的条件下，使得合金具有优良的抗拉强度、电导率及抗高温软化能力，成本较低，适于工业化生产。
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公开(公告)号：CN101215681A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810059076.6
申请日：2008-01-09
Applicant: 浙江大学
IPC: C22F1/08
Abstract: 本发明公开了一种改善Cu－Ag合金硬度和电导率的固溶时效工艺。将质量百分数为(5～7)％的金属Ag，其余为电解Cu的配料在真空感应炉中熔化，并在Ar气保护下浇注成锭，经730℃/8h+(760～780℃)/(4～8)h固溶及350～450℃/2～24h时效，可使得铸态合金维氏硬度达到110～130，相对电导率达到85％～96％IACS。本发明通过固溶时效提高了铸态Cu－(5～7)％Ag合金硬度及相对电导率，工艺过程简单，性能水平高于Cu－24％Ag，降低了原材料成本。
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