公开(公告)号：CN100401470C

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200610014041.1

申请日：2006-06-02

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 刘玉岭 ,  张建新 ,  黄妍妍

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/30 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00 ,  C30B25/02 ,  C30B23/02 ,  C30B29/06 ,  C30B33/12

Abstract: 本发明公开了一种控制和消除硅气相外延层雾状微缺陷的方法，旨在提供一种有效消除雾状微缺陷，而且不增加成本以及工艺和设备的复杂性的控制硅气相外延层雾状微缺陷的方法。包括下述步骤：采用常规的化学机械抛光方法对硅衬底片进行双面抛光处理和清洗，在清洗最后的纯水清洗后，向清洗槽内加入氧化剂处理1～15min，使整个硅片表面生成一层洁净的SiO2氧化层，氧化层的厚度一般为3～5nm，再将其放入外延炉中进行外延生长。生长中可控制外延层的厚度大于预定厚度，再用气相抛光去除预留厚度。该方法工艺简单，工作效率高，不需添加额外设备，与常规外延工艺完全兼容，而且消除雾状微缺陷的效果十分显著。