公开(公告)号：CN111826089A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010735582.3

申请日：2020-07-28

Applicant: 河北工业大学 ,  天津晶岭微电子材料有限公司

Inventor： 刘玉岭 ,  王辰伟 ,  罗翀

IPC: C09G1/00 ,  C09G1/02

Abstract: 本发明公开了一种GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，为化学机械抛光平坦化提高稳定性提供一种新技术。所述多层布线高价金属的化合物替代氧化剂。CMP所用抛光液中含有与布线金属种类相同的布线高价金属化合物。采用本发明技术方案的抛光液可以稳定6个月以上，直接使用。使用时，不用专用设备的配置，简化了工艺，大大提高了抛光液的稳定性。而且，运输保存安全，不对设备产生腐蚀，使用更安全。

公开(公告)号：CN111004579A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201911184055.1

申请日：2019-11-27

Applicant: 河北工业大学

Inventor： 罗翀 ,  王辰伟 ,  徐奕 ,  宋国强 ,  刘玉岭 ,  檀柏梅

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法。抛光液由下述组分组成，按质量份百分比计：硅溶胶5-20％，螯合剂0.1-5％，表面活性剂0.001-5％，氧化剂0.001-10％，去离子水余量；其中，所述的表面活性剂为非离子活性剂和阴离子活性剂进行复配获得。本发明抛光液呈碱性，pH为7.5-11，不腐蚀设备，不污染环境。本发明使用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其浓度高，分散度好、硬度小。本发明由硅溶胶、螯合剂、表面活性剂、助溶剂、氧化剂和去离子水组成，成分简单，稳定性好，价格便宜。