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公开(公告)号：CN102918874A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026170.1
申请日：2011-05-10
Applicant: 欧姆龙株式会社 , 意法半导体股份有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R3/00 , H04R19/016
Abstract: 本发明的音响传感器(11)在半导体基板的上表面形成有振动膜(22)及固定膜(23)，根据振动膜(22)中的振动电极(22a)和固定膜(23)中的固定电极(23a)间的静电电容的变化，来检测声波。为了使声波从外部到达振动膜(22)，在固定膜(23)上形成有多个音孔部(32)，固定电极(23a)是以缘部(40)的边界不和音孔部(32)相交的方式形成的。
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公开(公告)号：CN101506987B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200780031774.9
申请日：2007-07-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H01L29/84 , H01L21/306 , H04R19/04 , H04R31/00
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种振动传感器及其制造方法。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
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公开(公告)号：CN101820570A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010163546.0
申请日：2007-07-20
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , B81B2203/0127 , B81B2203/0353 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 本发明提供一种麦克风。在硅基板(12)的表面形成由SiO2薄膜构成的保护膜(20)，在将保护膜的一部分除去而开设的蚀刻窗(22)成膜由多晶硅构成的保护层(23)。从保护层(23)之上开始在硅基板表面形成由SiO2构成的保护膜(24)，从保护膜之上形成由多晶硅构成的元件薄膜(13)。在背面的保护膜(21)开设背面蚀刻窗(26)。将硅基板浸渍在TMAH中而从背面蚀刻窗对硅基板进行晶体各向异性蚀刻，在硅基板设置贯通孔(14)。保护层在贯通孔内露出时，将保护层蚀刻除去，在保护膜与硅基板之间生成间隙(19)，从表面侧和背面侧对硅基板进行晶体各向异性蚀刻。
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公开(公告)号：CN101422053A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780013260.0
申请日：2007-02-23
Applicant: 欧姆龙株式会社
IPC: H04R31/00 , H01L21/306
CPC classification number: H04R31/00 , H04R19/005 , H04R19/04 , Y10T29/49002 , Y10T29/49005 , Y10T29/4908
Abstract: 本发明涉及一种麦克风的制造方法。使牺牲层(36)从药液投入口(31)露出，利用从药液投入口(31)导入的蚀刻剂将牺牲层(36)和牺牲层(35)蚀刻除去。由于在除去了牺牲层(35)后的痕迹的蚀刻窗口(34)使Si衬底(22)的表面露出，因此，在蚀刻窗口(34)的下方对Si衬底(22)进行结晶各向异性蚀刻并产生空腔(23)。与此相对，由于在蚀刻除去了牺牲层(36)的空间，Si衬底(22)的表面由保护膜(32)覆盖，因此，Si衬底(22)未被蚀刻而在此形成通风孔(26)。可通过来自表面侧的蚀刻在半导体衬底形成空腔。另外，能够很容易制造声阻大的通风孔。
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