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公开(公告)号:CN110128127B
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN201910582275.3
申请日:2019-07-01
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有高压电性能及高温稳定性的铁酸铋‑钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:xBiFeO3‑yBaTiO3+uBi(Ti0.5Zn0.5)O3+mP+tMnCO2,其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、Ba(Cu1/3Nb2/3)O3、B2O3、Li2CO3、V2O5中的一种或多种烧结助剂的组合;x、y、u、m、t表示摩尔分数,且0.65≤x≤0.85,0.15≤y≤0.35,0.05
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公开(公告)号:CN111138177A
公开(公告)日:2020-05-12
申请号:CN202010020756.8
申请日:2020-01-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B41/88
Abstract: 本发明公开了一种具有高温稳定性的铁酸铋-锌钛酸铋高温无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为xBi1.05FeO3-yBi(Ti0.5Zn0.5)O3+tP+mMnCO3,其中P为Ba(W0.5Cu0.5)O3、Ba(Cu1/3Nb2/3)O3、Li2CO3中的一种或两种烧结助剂的组合;x、y、t、m表示摩尔分数,且0.50≤x≤0.90,0
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公开(公告)号:CN105503164A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201410548546.0
申请日:2014-10-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高绝缘铁酸铋基高温压电玻璃陶瓷复合材料及其制备方法,成分以通式BiFeO3+x(20Bi2O3-30SiO2-30CaO-20ZrO2)+0.02Sc2O3或BiFeO3+x(35Bi2O3-30SiO2-25CaO-10ZrO2)+0.05Sc2O3来表示,其中x表示摩尔分数,0 600°C,机械品质因数高于600,在高温压电传感器具有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN104129987B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201410350877.3
申请日:2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法,成分以通式Bi1/2Na1/2 TiO3+x (30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2 TiO3+x (20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2 TiO3+x (30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示,其中x表示摩尔分数,0 500°C,损耗低,在高温压电传感器具有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN104108935B
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201410350865.0
申请日:2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种具有自发压电性能的高温无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以化学式(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xNd2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3- xLa2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xSm2Ti2O7或(1-x)K1/2Na1/2NbO3-xPr2Ti2O7来表示,其中x表示摩尔分数,0 700oC,绿色环保。
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公开(公告)号:CN104402425A
公开(公告)日:2015-03-11
申请号:CN201410691071.0
申请日:2014-11-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/63 , C04B35/64 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种低损耗BiFeO3-BaTiO3基无铅压电陶瓷及其制备方法,其组成通式为:(1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中t、x、u、y、z、m表示摩尔分数,且0
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公开(公告)号:CN104129987A
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201410350877.3
申请日:2014-07-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高温无铅纳米压电陶瓷及其制备方法,成分以通式Bi1/2Na1/2TiO3+x(30Li2O-50SiO2-20Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(20Bi2O3-40SiO2-40Al2O3)或Bi1/2Na1/2TiO3+x(30B2O3-35SiO2-35Al2O3)来表示,其中x表示摩尔分数,0 500°C,损耗低,在高温压电传感器具有很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN103159475B
公开(公告)日:2014-09-10
申请号:CN201310081346.4
申请日:2011-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L41/187 , C04B35/475 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z表示摩尔分数,0
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公开(公告)号:CN102320828B
公开(公告)日:2013-10-30
申请号:CN201110162421.0
申请日:2011-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了B位复合Bi基化合物组成的无铅压电陶瓷及其制备方法,成分以通式(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3+zMaOb、(1-x)Bi(Li1/2Me1/2)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb、(1-x-y)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)Bi(Li1/2Me1/2)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示,其中x、y、z和v表示摩尔分数,0
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公开(公告)号:CN102285794B
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201110162422.5
申请日:2011-06-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/01 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了B位复合钙钛矿结构化合物组成的无铅压电陶瓷,成分以通式(1-x)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3+zMaOb;(1-x)Bi(Li1/3Me2/3)O3-x(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb;(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb;(1-x-y)Bi(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb或(1-x-y-v)i(Li1/3Me2/3)O3-xBaTiO3-y(Na1/2Bi1/2)TiO3-v(K1/2Bi1/2)TiO3+zMaOb来表示的无铅压陶瓷,其中x、y、z和v表示摩尔分数,0
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