一种溶胶凝胶法制备(400)晶面择优取向ITO薄膜的方法

    公开(公告)号:CN109234711A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201811114750.6

    申请日:2018-09-25

    Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备(400)晶面择优取向ITO薄膜的方法,其步骤包括:1)制备ITO溶胶;2)在干净的基片上匀胶;3)干燥;4)真空退火生长(400)晶面择优取向的ITO薄膜。本发明通过向ITO溶胶添加表面活性剂甲基纤维素MC-400,并通过控制表面活性剂加入量、干燥和真空退火的温度及时间等工艺参数即可生长具有(400)择优取向的ITO薄膜。本发明采用一种新颖的溶胶-凝胶技术实现了(400)晶面择优取向ITO薄膜的制备,具有工艺简单,成本低廉,易于实现工业化的特点,光电性能优异。

    一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法

    公开(公告)号:CN105097276B

    公开(公告)日:2018-10-12

    申请号:CN201510449224.5

    申请日:2015-07-28

    Inventor: 徐华蕊 朱归胜

    Abstract: 本发明公开了一种多层薄膜电容器的无掩膜制备方法。该方法先配制纳米金属粉体浆料或采用溶胶凝胶法制备非金属导电氧化物胶体,并均匀涂覆在基片上,然后通过可控温度的红外光斑对基片定向扫描加热,从而使浆料或胶体在干燥、挥发过程中发生定向收缩并形成初始电极图案,最后采用激光光斑加热,使金属电极材料发生表面粘结或使非金属导电氧化物结晶并形成清晰的电极图案最后采用溶胶凝胶法或溅射法制备介质薄膜,再按上述方法在介质薄膜上制备电极薄膜,并利用定向扫描加热使第二层电极与底电极形成错层,重复上述步骤制成具有叉指结构的多层薄膜电容器。本发明无需使用掩膜或光刻技术即可实现多层薄膜电容器的制备,具有成本低,工艺控制简单的特点。

    一种微晶玻璃粉的水热制备方法

    公开(公告)号:CN106430985A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610644369.5

    申请日:2016-08-09

    CPC classification number: C03C10/0045 C03B32/02 C03C12/00

    Abstract: 本发明公开了一种微晶玻璃粉的水热制备方法。以质量百分比正硅酸乙脂︰氯化铝︰氯化镁=50~53:30~35:13~20的复合原料,溶解于去离子水,控制溶液浓度为0.5~1.5mol/L,并加入氨水调节pH值为7.0~9.5,反应生成沉淀物,再将沉淀物倒入水热反应釜,在180~240℃/12h的水热条件反应,待反应釜冷却后,出料并按复合原料的氧化物含量0.5~3%的比例加入氯化物掺杂剂,搅拌,静置1小时后,用常规方法过滤、洗涤、干燥,在1400~1500℃熔融,再按常规方法破碎、球磨、喷雾造粒,得到堇青石基微晶玻璃粉。本发明通过水热法制备微晶玻璃前驱体,可获得具有更好封装性能的玻璃粉体,可广泛应用于电子器件的封装。

    一种通过激光加热制作薄膜图案的方法

    公开(公告)号:CN104505334A

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201410775252.1

    申请日:2014-12-16

    CPC classification number: H01L21/28506 H01L21/268

    Abstract: 本发明公开了一种通过激光加热制作薄膜图案的方法。在磁控溅射沉积金属或非金属薄膜时,采用外部装置对溅射基座进行冷却,冷却的温度为-196~5℃,同时采用激光对基片表面图案化区域加热。激光加热区域与非加热区域的温度差导致薄膜的附着力不同,即在加热区域沉积的薄膜附着力大,未加热区域沉积的薄膜附着力小。然后采用离子束刻蚀技术,通过调节合适的离子束功率,使未加热区域的金属或非金属薄膜快速刻蚀,而加热区域的金属或非金属电极薄膜得以保留并形成所需图案。本发明无需物理掩膜,与光刻技术相比,具有工艺简单,成本低,易于实现工业化的特点,特别适合于各类薄膜器件的制备和加工。

    一种钠离子电池正极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN104495941A

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201410788925.7

    申请日:2014-12-19

    Abstract: 本发明公开了一种钠离子电池正极材料的制备方法,在混合器中加入NaOH水溶液,加热到50-85℃,搅拌下将MnO2粉体缓慢加入,在50-85℃下保温,并抽减压浓缩,干燥,研磨,将研磨得到的粉体在空气气氛煅烧,煅烧温度为600-800℃,煅烧时间为3-6 h。所述的NaOH水溶NaOH和去离子水的重量比为5-10∶90-95。所述的混合是MnO2和NaOH的重量比为10-15∶85-90计算。本发明方法制备Na0.7MnO2.05的电化学性能较好,在40mA g-1的电流密度下的比容量可达179mAh g-1,在140mA g-1的高电流密度下循环100次后仍有67.5%的容量保持率;方法简单,安全环保,高效节能,产品质量好,具有较好的经济效益、社会效益和生态效益。

    一种用于显示屏保护膜的3D曲面超薄钢化玻璃制备方法

    公开(公告)号:CN104445887A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201410780986.9

    申请日:2014-12-16

    Abstract: 本发明公开了一种用于曲面显示屏保护膜的3D曲面超薄钢化玻璃的制备方法。其工艺步骤为:①将超薄玻璃按尺寸大小切割,打孔,磨边和倒角;②将超薄平面玻璃放置于凹模上,定位后在超薄玻璃上方放置超薄的凸模,并在凸模上方放置一定重量的多孔或倒凹形块体材料;③放入加热设备升温至玻璃软化点保温一定时间,利用玻璃自身和凸模的重量实现超薄玻璃的弯曲,并按一定速率降温至50℃以下。采用本发明可以实现超薄玻璃的3D曲面精确弯曲钢化,所加工的超薄3D曲面钢化玻璃具有可见光透光率高、成品率高、表面清洁和易于实现工业化批量制备的优点,特别适合于制备曲面显示屏如手机、可穿戴设备、平板电脑等消费电子产品的屏幕钢化玻璃保护膜。

    LED产品及其制造方法
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101707232B

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN200910114604.8

    申请日:2009-12-01

    Inventor: 徐华蕊 朱归胜

    Abstract: 本发明公开了一种LED产品及其制造方法,该产品为可见光LED或白光LED,它包括芯片、高导热的金属基座、连接支架、透光面罩,并且在所述的透光面罩的内面附着有荧光薄膜。所述荧光薄膜是通过溅射、溶胶-凝胶方式附着在透光面罩内面,且不含有任何树脂或硅胶。所述芯片是多种颜色之一的芯片,所述荧光薄膜的材质为可被光激发并发射设定可见光的单层或多层薄膜材料,所述附着有荧光薄膜的透光面罩制作过程包括抛光透光面罩、溅射面罩、热处理、晶化、切割面等工艺。同现有技术相比较,本制作方法生产的LED发光效率高,发光的均匀性和一致性很好,同时简化了封装操作,去除了传统白光LED加工过程中的荧光材料调胶、涂布、烘烤等关键性作业。

    双3D结构的二氧化锰薄膜电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN102436936A

    公开(公告)日:2012-05-02

    申请号:CN201110269256.9

    申请日:2011-09-13

    Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用具有双重3D结构的二氧化锰薄膜电极及其制备方法,采用具有3D结构的泡沫镍等泡沫金属集流体上覆盖另一3D结构的二氧化锰薄膜组成。其制备方法是在泡沫镍等泡沫金属集流体上通过水热的方法直接反应制备得到二氧化锰薄膜。所述水热制备过程包括集流体清洗、溶液配制以及水热反应等步骤。所制备的薄膜电极具有双重3D结构,且而作为超级电容器的电极具有良好的电容特性及较高的储能特性。同现有技术相比较,本发明制备得到的超级电容器用二氧化锰薄膜电极,较现有二氧化锰电极具有更大的活性物质与电解液接触面积,具有更高的活性物质利用率和更高的比容量。

    海绵钛负载TiO2光催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN101856609A

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN201010195851.8

    申请日:2010-06-09

    Abstract: 本发明的海绵钛负载TiO2光催化剂及其制备方法,是以多孔性泡沫金属海绵钛为载体和钛源,原料经净化处理后,在反应温度为75~250℃,反应压力为2~10大气压条件下,氧化反应而成。该光催化剂具有较大比表面积、较强吸附能力,在紫外光和太阳光下都具有较高光催化性能,回收反复再利用其光催化活性没有下降的特点,特别适用于废水处理。该工序简单、操作安全、设备投资少、生产成本低和无二次污染等优点。

    碳量子点嵌入的氮掺杂多孔碳片材料及其在超级电容器中的应用

    公开(公告)号:CN117079982A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311212932.8

    申请日:2023-09-19

    Abstract: 本发明公开一种碳量子点嵌入的氮掺杂多孔碳片材料及其在超级电容器中的应用,属于碳材料技术领域。本发明的碳材料的制备方法为:(1)将硝酸铜溶液加入邻苯二胺溶液中,混合均匀后搅拌,经离心、洗涤和真空干燥之后,得到聚邻苯二胺片;(2)将邻苯二胺与无水甲醇进行混合,经过水热反应,得到碳量子点溶液;(3)将碳量子点溶液与聚邻苯二胺片进行混合,经高温碳化,冷却至室温,得到碳量子点嵌入的氮掺杂多孔碳片材料。本发明先将邻苯二胺氧化聚合为聚邻苯二胺片,再与碳量子点溶液混合后,经过高温碳化,得到具有许多活性位点的碳材料,大大提高碳材料的电子导电性,将该材料应用于超级电容器中,对超级电容器的性能起到显著的促进作用。

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