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公开(公告)号：CN110459876A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910807838.4
申请日：2019-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维简单超材料结构的超宽带吸波体，解决的是吸收效率低、结构复杂、工作带宽窄的技术问题，通过采用所述基于二维简单超材料结构的超宽带吸波体包括重叠设置的上层结构与下层结构，上层结构叠放在下层结构上；所述上层结构为周期设置的工作在亚波长范围内的金属-电介质-金属光栅结构；所述下层结构是多层金属-电介质对所构成，所述金属为铬，所述电介质为SiO2，下层结构的底层为厚度可阻绝电磁波透射的金属层的技术方案，较好的解决了该问题，可用于热辐射计和太阳能吸收系统中。
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公开(公告)号：CN120010167A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510137245.7
申请日：2025-02-07
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，具体涉及一种基于双层十字架结构的非互易电磁超表面，呈周期结构布置，每个结构单元包括介质基板、双层十字架结构和人工制造的非线性液体超材料，双层十字架结构和非线性液体超材料均设置在所述介质基板上方，且双层十字架结构完全浸没在非线性液体超材料中。双层十字架结构的两层具有不同的介电常数，介电常数的差异使十字架结构拥有相对于波传播方向的不对称性，引起空间色散，使得光在不同传播方向产生的电场发生变化，从而改变非线性材料的介电常数，对应的输出光信号也发生改变，实现了光的非互易传输。本发明结构简单，体积小巧，易于集成，适用于光隔离器、光耦合器和光二级管等小型器件。
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公开(公告)号：CN113594662B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110825514.0
申请日：2021-07-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于人工磁材料定向辐射的纽扣天线，所述顶部圆形介质和所述底部圆形介质相对设置，所述底部圆形介质、所述金属柱、所述介质柱和所述顶部圆形介质依次连接，呈工字纽扣形状设置，所述AMC结构设置在所述顶部圆形介质和所述底部圆形介质之间，相对于现有技术，该天线实现了整体高度为10mm的纽扣型结构，且在不额外增加纽扣天线横向尺寸的条件下，通过添加所述AMC结构使纽扣天线由原来的全向辐射变为了定向辐射，并提高了可穿戴纽扣天线的增益。
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公开(公告)号：CN113805348A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111086585.X
申请日：2021-09-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于同类超表面结构的超宽带大角度分束器，每个所述同类超表面结构分别与所述衬底固定连接，并位于所述衬底的顶部，若干个所述同类超表面结构沿X方向和Y方向周期性分布，所述基于同类超表面结构的超宽带大角度分束器，在工作波段内‑1级次与+1级次的透射强度始终保持相等。在678～833nm范围内，±1衍射级的透射率均可保持在35％以上，总透射率大于74％，+1级次透射率大于35％，偏转角度可达48.88°～67.75°。在工作波段内大部分波长中，所述基于同类超表面结构的超宽带大角度分束器的透射光相位均可以保持π的相位差，从而实现超宽带等功率分束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113514905A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110642678.X
申请日：2021-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及光学相位调制技术领域，具体涉及一种等离子体超表面标准具结构的相位调制器；该结构是在SiO2材质的平板上设置了铝构成的五边柱形纳米周期阵列天线，该结构能在600～1000nm波长范围激发Fabry–Perot共振，通过分别调节LSP和Fabry‑Perot参数实现了对LSPR和Fabry–Perot这对耦合共振的调谐，通过改变五边柱的高度和边长实现在在全2π范围的相位控制并对局部表面等离子体激元共振进行调谐用于实现对反射率的控制；该控制器在600～1000nm波长范围内可实现0～2π范围的调相，并完成了在43μm焦距的聚焦效果，本发明结构简单，器件结构紧凑，易于集成到现有系统，加工方便，成本低。
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公开(公告)号：CN111342239B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202010266889.3
申请日：2020-04-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了一种全介质透射型超表面全相位调控器，包括所述周期性排列粒子、所述涂层和所述基底，位置从上往下依次重叠设置的是所述涂层、周期性排列的所述周期性排列粒子以及所述基底，所述周期性排列粒子包括所述水平臂和所述竖直臂，通过改变所述水平臂的长度观察透射谱的分布，最终确定所述水平臂长从而得到的透射谱，平均透射率高达80.3％，如此通过简单的结构可以具有较高的透射效率，可实现0～2π的相位调控。
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公开(公告)号：CN110459876B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN201910807838.4
申请日：2019-08-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于二维简单超材料结构的超宽带吸波体，解决的是吸收效率低、结构复杂、工作带宽窄的技术问题，通过采用所述基于二维简单超材料结构的超宽带吸波体包括重叠设置的上层结构与下层结构，上层结构叠放在下层结构上；所述上层结构为周期设置的工作在亚波长范围内的金属‑电介质‑金属光栅结构；所述下层结构是多层金属‑电介质对所构成，所述金属为铬，所述电介质为SiO2，下层结构的底层为厚度可阻绝电磁波透射的金属层的技术方案，较好的解决了该问题，可用于热辐射计和太阳能吸收系统中。
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公开(公告)号：CN113745835A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202111060646.5
申请日：2021-09-10
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种n型立体缺陷金属墙方向图修正的去耦结构，其结构包括平行于E面放置的n型缺陷金属墙和两组贴片天线。所述缺陷金属墙贯穿所述介质基板并与所述金属地板相连，两组所述贴片天线的间距为λ0/20，采用微带线馈电，并用四分之一波长阻抗变换器调整阻抗匹配。该结构在满足去耦和匹配要求的前提下，还修正了H面的辐射方向图，提高了E面的实际增益，从而较好的解决了现有紧间距去耦结构中存在的方向图偏移问题。
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