-
公开(公告)号：CN104134648B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410335689.3
申请日：2014-07-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片，以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中，固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和第二电极导通，而在芯片失效后受热膨胀以解除对导电件的阻止，使得第一电极通过导电件与第二电极导通。由于在芯片失效后，第一电极和第二电极可以通过旁路导通单元导通，因此，在芯片失效后，该功率半导体器件仍能正常工作。
-
公开(公告)号：CN106803488B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201510834949.6
申请日：2015-11-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种功率模块焊接装置，包括用于将焊片定位安装于基板上的定位工装，所述定位工装包括安装本体及与焊片形状对应的焊片安装区，所述焊片安装区由安装本体围成，所述安装本体包括多组隔片，多组所述隔片沿基板的长度方向分段设置。本发明具有保证焊片有效定位、提高组装效率及焊接质量的优点。
-
公开(公告)号：CN104409484B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410534231.0
申请日：2014-10-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/04 , H01L21/68 , H01L23/48 , H01L23/32
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种压接式绝缘栅双极型晶体管，包括壳体，以及设置在所述壳体内且沿第一方向依次布置的发射极、电路板、模块定位件、钼板和集电极，其中在模块定位件上开设有多个定位孔，在各定位孔内沿第一方向依次设有钼块、芯片和固定设在钼板的表面上的由钼材料制成的定位凸起，在部分的定位孔内的钼块内设有用于把相应的芯片与电路板相接通的电连组件。根据本发明的压接式绝缘栅双极型晶体管能够采用贴片机顺利进行组装，避免了停机修整，从而提高了企业的生产效率。
-
公开(公告)号：CN105140192A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201410412270.3
申请日：2014-08-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/32
Abstract: 本发明涉及绝缘栅双极晶体管的制造领域。本发明提出了一种用于压接式绝缘栅双极晶体管的芯片模组，所述芯片模组包括：芯片，所述芯片具有集电极、发射极和栅极；以及用于容纳和支撑所述芯片的模座单元，所述模座单元包括具有弹簧腔室的底座部分和位于所述弹簧腔室内的栅极弹簧组件，所述栅极弹簧组件的第一端部与所述芯片的栅极相连，所述栅极弹簧组件的第二端部与电路板连通。在根据本发明的用于压接式绝缘栅双极晶体管的芯片模组中，栅极弹簧组件无需独立安装，可简化模块封装工艺过程，极大地提高封装效率。
-
公开(公告)号：CN105679750B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201410661590.2
申请日：2014-11-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/33
Abstract: 本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法，模块包括：半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT（或MOSFET）芯片，下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。IGBT（或MOSFET）芯片的集电极（漏极）烧结在下钼片上上钼片烧结在IGBT（或MOSFET）芯片的发射极（源极）上。PCB设置在下钼片上或底座上，IGBT（或MOSFET）芯片的栅极通过引线键合方式互连至PCB上，并通过PCB的内部线路汇集至栅极引出端。本发明能够有效地解决现有压接式半导体模块制作方法过于复杂，压接过程中芯片受到的应力大，绝缘性能较差的技术问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106856180A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510900654.4
申请日：2015-12-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种焊接IGBT模块的方法，其包括以下步骤：步骤一：将拱形的基板展平并固定在平板上，所述基板的凸出面抵接于平板；步骤二：在所述基板的凹陷面上设置焊料以形成厚度均匀的衬板焊料层；步骤三：将衬板覆盖在所述衬板焊料层上；步骤四：将所述平板放置在水平的加热板上加热以使得所述衬板焊料层熔化，然后冷却所述衬板焊料层。采用本方法后能有效的控制基板拱度不规则变化，使模块封装后达到规定的基板拱度值，在焊接时不需要考虑焊接材料与封装工艺参数，基板拱度合格率提高。
-
公开(公告)号：CN103985686B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201410251618.5
申请日：2014-06-09
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块封装焊接结构，包括基板、衬板、芯片和母排，所述基板和衬板上表面均涂有焊料或者放置有焊片，所述基板与所述衬板之间、所述衬板与所述芯片之间、所述母排与所述衬板之间均通过多个金属支柱连接。本发明在衬板正面金属层与基板正面焊接区域制作深度为0～5mm的金属支柱，用来支撑芯片，衬板，使焊料熔化后均匀地流动，填充间隙，以控制焊层的厚度和均匀性，该金属支柱还可以用来固定开设有通孔的焊片，避免了焊片在焊接过程中的滑动，漂移。
-
公开(公告)号：CN104992932A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510274433.0
申请日：2015-05-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及用于承载芯片的绝缘衬板以及IGBT模块。该绝缘衬板包括：含有多个绝缘板的层叠体，在相邻绝缘板之间设置有金属层，多个绝缘板中的每一个均大于与之相邻的两个金属层的面积。在使用本发明的绝缘衬板时，在金属层与绝缘衬板的界面处的电场集中的问题很小，从而避免影响绝缘衬板以及使用这种绝缘衬板的芯片的使用。
-
公开(公告)号：CN104465549A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410779614.4
申请日：2014-12-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：相对设置的外壳上盖和外壳底座，所述外壳底座设置有多个定位凸台；设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置，所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。本申请所公开的一种功率半导体模块的整体定位装置和定位凸台配合定位，就能保证将每个芯片置于合适的位置，因此可以利用机器，自动化地向定位方格中放置芯片，从而使得生产效率大为提高。
-
公开(公告)号：CN104134648A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410335689.3
申请日：2014-07-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/58
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的功率半导体器件包括第一电极、第二电极、设置在第一电极和第二电极之间的芯片，以及设置在第一电极和第二电极之间的旁路导通单元。旁路导通单元包括导电件和固定件。其中，固定件构造成在芯片正常工作时能阻止导电件与第一电极和第二电极导通，而在芯片失效后受热膨胀以解除对导电件的阻止，使得第一电极通过导电件与第二电极导通。由于在芯片失效后，第一电极和第二电极可以通过旁路导通单元导通，因此，在芯片失效后，该功率半导体器件仍能正常工作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
29
records
(took 0.034 seconds)
