公开(公告)号：CN115298834A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180022782.7

申请日：2021-03-25

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社POWDEC

Inventor： 佐藤寿朗 ,  竹中靖博 ,  神谷真央 ,  篠田大辅 ,  上村俊也 ,  河合弘治 ,  八木修一

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872

Abstract: 本技术的目的在于提供耐压性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。棒状形状的前端部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj2)为棒状形状的除前端部分以外的部分中的连接从源极电极接触区域(SC1)至漏极电极接触区域(DC1)的最短距离的方向的极化超结区域的长度(Lpsj1)以上。

公开(公告)号：CN115298833A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180022817.7

申请日：2021-03-25

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  株式会社POWDEC

Inventor： 佐藤寿朗 ,  竹中靖博 ,  奥野浩司 ,  篠田大辅 ,  上村俊也 ,  河合弘治 ,  八木修一

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 本技术的目的在于提供至少一个以上的电气特性优异的半导体元件及装置。半导体元件(100)具有第一半导体层(110)、第二半导体层(120)、第三半导体层(130)、第四半导体层(140)、第二半导体层(120)或第三半导体层(130)之上的源极电极(S1)及漏极电极(D1)以及第四半导体层(140)之上的栅极电极(G1)。位错密度为1×106cm‑2以上且1×1010cm‑2以下。第二半导体层(120)与第三半导体层(130)之间的接触面积在栅极宽度方向的每1μm为10μm2以上且200μm2以下。

公开(公告)号：CN109075148A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780026378.0

申请日：2017-09-25

Applicant: 株式会社POWDEC ,  株式会社桑田

Inventor： 河合弘治 ,  八木修一 ,  越后谷祥子

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体封装体，具备：半导体芯片(C)，在绝缘基板(10)的第1主面上设置有构成三端子半导体元件的半导体层(20)，在半导体层(20)上以三角形配置有源极(30)、漏极(40)及栅极；电极焊盘(60、70)等，分别与源极(30)、漏极(40)及栅极电连接，被拉出到半导体层(20)的外部；及电绝缘性的树脂(90)，对半导体层(20)、源极(30)、漏极(40)、栅极及绝缘基板(10)的侧面进行密封。