公开(公告)号：CN109075148B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201780026378.0

申请日：2017-09-25

Applicant: 株式会社POWDEC ,  株式会社桑田

Inventor： 河合弘治 ,  八木修一 ,  越后谷祥子

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体封装体，具备：半导体芯片(C)，在绝缘基板(10)的第1主面上设置有构成三端子半导体元件的半导体层(20)，在半导体层(20)上以三角形配置有源极(30)、漏极(40)及栅极；电极焊盘(60、70)等，分别与源极(30)、漏极(40)及栅极电连接，被拉出到半导体层(20)的外部；及电绝缘性的树脂(90)，对半导体层(20)、源极(30)、漏极(40)、栅极及绝缘基板(10)的侧面进行密封。

公开(公告)号：CN109075148A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780026378.0

申请日：2017-09-25

Applicant: 株式会社POWDEC ,  株式会社桑田

Inventor： 河合弘治 ,  八木修一 ,  越后谷祥子

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种半导体封装体，具备：半导体芯片(C)，在绝缘基板(10)的第1主面上设置有构成三端子半导体元件的半导体层(20)，在半导体层(20)上以三角形配置有源极(30)、漏极(40)及栅极；电极焊盘(60、70)等，分别与源极(30)、漏极(40)及栅极电连接，被拉出到半导体层(20)的外部；及电绝缘性的树脂(90)，对半导体层(20)、源极(30)、漏极(40)、栅极及绝缘基板(10)的侧面进行密封。