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公开(公告)号：CN116529416A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202180077611.4
申请日：2021-11-16
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23C16/40
Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有铪原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的铪化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在所述基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在300℃以上且小于450℃的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有铪原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基。)
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公开(公告)号：CN116457918A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180077618.6
申请日：2021-11-16
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有锆原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的锆化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在240℃以上450℃以下的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有锆原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基，但不包括R1和R2两者均为氢原子的锆化合物。)
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公开(公告)号：CN112004959A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201980027076.4
申请日：2019-04-08
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23C16/40 , C07F3/02 , C23C16/455 , H01L21/316
Abstract: 本发明使用含有下述通式(1)所示的镁化合物的原子层沉积法用薄膜形成用原料，在基体的表面生产率良好地制造含有镁原子的薄膜。(式中，R1表示异丙基、仲丁基或叔丁基。)
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公开(公告)号：CN111032663A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052124.0
申请日：2018-08-09
Applicant: 株式会社ADEKA
Abstract: 本发明在于提供由下述通式(1)表示的金属醇盐化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料及使用该原料来形成含有金属的薄膜的薄膜的制造方法：[化1](式中，R1表示氢原子或者碳原子数1～4的烷基，R2表示异丙基、仲丁基、叔丁基、仲戊基、1-乙基丙基或者叔戊基，R3表示氢或者碳原子数1～4的烷基，R4表示碳原子数1～4的烷基，M表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或者镥原子，n表示由M表示的原子的价数。但是，在M为镧原子的情况下，R2为仲丁基、叔丁基、仲戊基、1-乙基丙基或者叔戊基)。
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公开(公告)号：CN107428677A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680013777.9
申请日：2016-02-12
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C07C251/08 , C23C16/18 , C07F15/06
CPC classification number: C07C251/08 , C07F15/06 , C07F15/065 , C23C16/18 , C23C16/45553
Abstract: 由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。(式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～6的直链或支化状的烷基，R3表示氢原子或碳数1～6的直链或支化状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示由M表示的金属原子或硅原子的价数。)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114502770A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202080069857.2
申请日：2020-09-24
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及利用原子层沉积法的含氧化钇膜的制造方法，其包括以下工序：将含有三(仲丁基环戊二烯基)钇的薄膜形成原料气化而得到的原料气体导入处理气氛中，在基体上沉积三(仲丁基环戊二烯基)钇的工序；以及，使在所述基体上沉积的三(仲丁基环戊二烯基)钇与含有选自氧等离子体、臭氧、臭氧等离子体以及它们的混合物中的气体的反应性气体在处理气氛中反应，将钇氧化的工序。
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公开(公告)号：CN112969812A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201980073135.1
申请日：2019-10-28
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23C16/18 , C23C16/455 , H01L21/285
Abstract: 本发明的在基体上通过原子层沉积法制造金属钌薄膜的方法的特征在于，包括以下工序：(A)将包含特定钌化合物的原料气体导入处理气氛中，使该钌化合物沉积在所述基体上的工序；(B)将包含特定化合物的反应性气体导入处理气氛中，使其与沉积在所述基体上的特定钌化合物反应的工序。
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公开(公告)号：CN110799665A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880043465.1
申请日：2018-05-17
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23C16/32 , C07F17/00 , C23C16/18 , H01L21/316 , C07F7/28
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种安全性、搬运性以及生产性优异的能用于CVD法的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及用作薄膜形成用原料的新型化合物。为了实现上述目的，本发明是一种含有下述通式(1)所示的化合物的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及在说明书中由通式(2)表示的新型化合物。[式(1)中，X表示卤素原子，R表示碳原子数1～5的伯烷基或仲丁基。]
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公开(公告)号：CN110475904A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201880022667.8
申请日：2018-02-13
Applicant: 株式会社ADEKA
IPC: C23C16/40 , H01L21/31 , H01L21/316
Abstract: 本申请是一种通过原子层沉积法制造含氧化钇薄膜的制造方法，其包括：将包含三(仲丁基环戊二烯基)钇的原料气体导入至处理气氛中，使三(仲丁基环戊二烯基)钇沉积于基体上的工序；以及，将包含水蒸气的反应性气体导入至处理气氛中，通过使其与沉积于所述基体上的三(仲丁基环戊二烯基)钇反应而对钇进行氧化的工序。
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