Li离子导体及其制造方法
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115210185A

    公开(公告)日:2022-10-18

    申请号:CN202180018246.X

    申请日:2021-03-03

    Inventor: 金井和章

    Abstract: 本发明目的在于,提供与以往不同的组成的Li离子导体。本发明为Li离子导体,其特征在于,含有选自由Ga、V及Al组成的组Q中的至少1种且含有Li、La及O,Li位点的一部分任选被金属元素D置换,La位点的一部分任选被金属元素E置换,Ga、V及Al的位点的一部分任选被金属元素J置换,Li的量相对于La、前述元素E、Ga、V、Al及前述元素J的合计量以摩尔比计为8.1/5以上且9.5/5以下,Ga、V及Al的合计量相对于La及前述元素E的合计量以摩尔比计为1.1/3以上且2/3以下。

    Li离子导体及其制造方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114365318A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202080063450.9

    申请日:2020-09-08

    Abstract: 本发明为一种Li离子导体,其具有包含Li、La、Zr及O的石榴石型复合金属氧化物相(L),所述Li离子导体在使用CuKα射线的X射线衍射测定中,在2θ=13.8°±1°及15.2°±1°中的至少一处具有衍射峰。该Li离子导体具有与前述相(L)不同的含金属相(K),该相(K)优选包含卤素元素及Li。

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