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公开(公告)号：CN111052401B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN201880057709.1
申请日：2018-09-21
Applicant: 株式会社钟化
Inventor： 吉河训太
Abstract: 本发明提供用于检测入射光的光点尺寸的光电转换元件。光电转换元件(20)具备：光电转换基板(210)，具有两个主面；第1导电型半导体层(221)和第1电极层(222)，依次层叠于作为光电转换基板(210)的一个主面的受光面侧；以及第2导电型半导体层(231)和第2电极层(232)，依次层叠于作为光电转换基板(210)的另一个主面的背面侧，上述光电转换元件(20)具备绝缘层(235)，上述绝缘层(235)设置于光电转换基板(210)与第2电极层(232)之间，绝缘层(235)具有沿着光电转换基板(210)的主面设置为二维状的多个贯通孔(25)。
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公开(公告)号：CN109314152B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN201780036759.7
申请日：2017-05-29
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0224
Abstract: 太阳能电池单元(10)具备半导体基板(11)、配置于半导体基板(11)的一侧主面上的第1导电型层(12)和第2导电型层(13)，其中，在第1导电型层(12)上配置有第1电极(17)，在第2导电层(13)上配置有第2电极(18)，第1电极(17)与第2电极(18)电分离，在第1电极(17)与第2电极(18)之间配置有岛状的导电层(16)。
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公开(公告)号：CN112805840A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201980064820.8
申请日：2019-09-10
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明的太阳电池单元是由半导体衬底构成的长方形的太阳电池单元，该太阳电池单元在用于发电时的受光面具有受光面集电极，在相对于所述受光面的相反面中的宽度方向的一端部具有形成在所述半导体衬底上的背面集电极，在所述相反面中的所述宽度方向的另一端部形成有不具备所述背面集电极的无电极区域。
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公开(公告)号：CN111052402A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880057729.9
申请日：2018-05-30
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供用于检测入射光的光点尺寸的光电转换元件。光电转换元件(20)包括具备两个主面的光电转换基板，包括分离的第1灵敏度部分(21)和第2灵敏度部分(22)，若将第1灵敏度部分(21)的显露在主面的灵敏度区域作为第1灵敏度区域，并将第2灵敏度部分(22)的显露在主面的灵敏度区域作为第2灵敏度区域，则对于第1灵敏度区域而言，接收向受光面入射的入射光的至少一部分，成为随着主面中的被照射入射光的照射区域R的增大而减小照射区域R中的第1灵敏度区域相对于第2灵敏度区域的比率的图案。
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公开(公告)号：CN107112378B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201680005100.0
申请日：2016-01-07
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0224
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池(100)，在包含半导体接合的光电转换部(50)的受光面具备多个受光面叉指电极(60)。光电转换部的受光面被第一绝缘层(81)覆盖，受光面叉指电极具备设置于光电转换部和第一绝缘层之间的第一金属籽晶层(61)、及通过设置于第一绝缘层的开口与第一金属籽晶层导通的第一镀金属层(62)。太阳能电池(100)具有与受光面叉指电极及背面叉指电极的任一电极均不接触的独立镀金属层(81)。独立镀金属密集区域以与受光面叉指电极的延伸方向平行的带状的形状存在于第一绝缘层的表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109155342A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780031450.9
申请日：2017-02-08
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 本发明所涉及的太阳能电池具备：导电型晶体硅基板(11)；和第一导电型硅系层(12)及第二导电型硅系层(13)，它们配置在导电型晶体硅基板(11)的一个主面上，第一导电型硅系层(12)与第二导电型硅系层(13)电绝缘，第二导电型硅系层(13)包括第一部分(13a)和第二部分(13b)，第一部分(13a)隔着第一本征硅系层(14)及第一导电型硅系层(12)而与导电型晶体硅基板(11)对置，第二部分(13b)隔着第二本征硅系层(15)而与导电型晶体硅基板(11)对置，第一本征硅系层(14)的厚度比第二本征硅系层(15)的厚度厚。
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公开(公告)号：CN108140680A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056974.9
申请日：2016-10-03
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0747
Abstract: 一种光电转换装置(101)，其在半导体基板(10)的一个主面上，具有第一导电型区域(1)、第二导电型区域(2)和与它们相接且将两者隔开的边界区域(9)。第一导电型半导体层(61)遍及第一导电型区域(2)的整面和边界区域而设置，第二导电型半导体层(31)遍及第二导电型区域的整面和边界区域而设置。边界区域的整面设有绝缘层(41)。遍及第一导电型区域的整面和边界区域设置第一电极(71)，在第二导电型区域设置第二电极(72)。在形成有第一导电型半导体层的区域不设置第二电极，第二电极与第一电极被隔开。
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公开(公告)号：CN102473750B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201080030021.8
申请日：2010-07-02
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02363 , H01L31/022483 , H01L31/0747 , Y02E10/50
Abstract: 本发明的目的是提供即使在硅晶体基板的厚度小的情况下也能抑制基板的翘曲，还具有高光电转换效率的异质结型太阳能电池。晶体硅基板1的厚度为50μm～200μm，至少在光入射侧主面具有凹凸结构。光入射侧透明导电层4的光入射侧表面具有凹凸结构。优选光入射侧透明导电层4表面的凹凸结构的高低差小于晶体硅基板1的光入射面侧的凹凸结构的高低差，并且光入射侧透明导电层4表面的凹凸结构的间隔小于晶体硅基板1的光入射面侧的凹凸结构的间隔。优选光入射侧透明导电层4具有厚度为300nm～2500nm的氧化锌层，并且氧化锌层含有在(10-10)面、(11-20)面或(10-11)面方向优先取向的六方晶体氧化锌。
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公开(公告)号：CN112805840B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201980064820.8
申请日：2019-09-10
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0224
Abstract: 本发明的太阳电池单元是由半导体衬底构成的长方形的太阳电池单元，该太阳电池单元在用于发电时的受光面具有受光面集电极，在相对于所述受光面的相反面中的宽度方向的一端部具有形成在所述半导体衬底上的背面集电极，在所述相反面中的所述宽度方向的另一端部形成有不具备所述背面集电极的无电极区域。
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公开(公告)号：CN112567535B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201980052815.5
申请日：2019-06-04
Applicant: 株式会社钟化
IPC: H01L31/0747
Abstract: 提供能够实现输出提高的光电转换元件。光电转换元件(1)包含：在半导体基板(11)的背面侧的一部分依次层叠有本征半导体层(23)和第一导电型半导体层(25)的第一区域(7)；以及在半导体基板(11)的背面侧的另一部分依次层叠有本征半导体层(33)和第二导电型半导体层(35)的第二区域(8)，在该背面接合型的光电转换元件中，第一区域(7)中的本征半导体层(23)的折射率比第二区域(8)中的本征半导体层(33)的折射率小。
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